Что такое findslide.org?

FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.


Для правообладателей

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Яндекс.Метрика

Презентация на тему Моделирование 3D наносхемотехники

Содержание

Актуальность Нанотехнологии и нанонауки, многофункциональные материалы, основанные на новых знаниях и предназначенные для новых производственных процессов и устройств. Промышленность и общество могут извлечь пользу из новых знаний посредством разработки новых продуктов и технологических процессов. Необходима согласованность
Моделирование  3-d наносхемотехники Актуальность Нанотехнологии и нанонауки, многофункциональные материалы, основанные на новых знаниях и предназначенные Прошлое и настоящее схемотехники Настоящее и будущее схемотехники НовизнаПредставлен новый подход к пониманию и освоению свойств трехмерных интегральных схем. Разработана ТеорияРазработана переходная схемотехника для 3-d СБИС. Компонент схемотехники - физический переход между Теоретические основы переходной схемотехники (ТОПС 1)Математической моделью функционально-интегрированного элемента (ФИЭ) является неориентированный ТОПС 2Элементу множества вершин хi соответствует часть интегральной структуры ТОПС 3Функциональное множествоF = Fy U FHсостоит из двух подмножеств:Fy = {Fyi} ТОПС 4Элементам множества ребер ак, аi соответствуют переходы между различными частями интегральной ТОПС 5Графовые модели интегральных элементов могут представлять собой деревья, а могут содержать ТОПС 6. Генерация структур Процедура генерации структурных формул интегральных структур по математической Пример проектирования ФИЭа) – математическая модель (объединение двух n-p-n транзисторов по эмиттерам RS-триггер в переходной схемотехникеУравнение синтезаRS-триггер в переходной схемотехнике:   а) – структура, б) – топология N-разрядный регистр на RS-триггерах  в переходной схемотехникеа) – уравнение синтеза, б) Биочипы (подобие углеродной и кремниевой переходных схемотехник)На рисунке показан синтез комплиментарной цепи Программное обеспечение (ПО 1)SGenerator –  генерация 2-d интегральной структуры по математической модели ФИЭ Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective –  3-d визуализация (пример 1) Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective –  3-d визуализация (пример 2) Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective –  3-d визуализация (пример 3) Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective –  3-d визуализация (пример 4) Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective –  3-d визуализация (пример 5) Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective –  3-d визуализация (пример 6) Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective –  3-d визуализация (пример 7) Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective –  3-d визуализация (пример 8) РезультатыСистема оптимальных математических моделей интеллектуальных элементов различной степени сложности для 3-d СБИС.Моделирующее ОбучениеРазработан учебный курс, включающий:курс лекций,практикум по компьютерному  моделированию,тестирование на сайте методические материалы Дополнительная литератураТрубочкина Н.К. Синтез на ЭВМ функционально-интегрированных элементов. Вопросы радиоэлектроники, сер. Технология О руководителе  научного направленияТрубочкина Надежда Константиновна - доктор  технических наук, Контакты:Адрес: Россия, 121109, Москва, Московский институт электроники и математики (МИЭМ), Б.Трехсвятительский пер.,
Слайды презентации

Слайд 2 Актуальность
Нанотехнологии и нанонауки, многофункциональные материалы, основанные на

Актуальность Нанотехнологии и нанонауки, многофункциональные материалы, основанные на новых знаниях и

новых знаниях и предназначенные для новых производственных процессов и

устройств.
Промышленность и общество могут извлечь пользу из новых знаний посредством разработки новых продуктов и технологических процессов.
Необходима согласованность национальных исследовательских программ и инвестиций. Это должно гарантировать обеспечение страны командами и соответствующей инфраструктурой, нацеленными на решение актуальных задач.


Слайд 3 Прошлое и настоящее схемотехники

Прошлое и настоящее схемотехники

Слайд 4 Настоящее и будущее схемотехники

Настоящее и будущее схемотехники

Слайд 5 Новизна
Представлен новый подход к пониманию и освоению свойств

НовизнаПредставлен новый подход к пониманию и освоению свойств трехмерных интегральных схем.

трехмерных интегральных схем.
Разработана соответствующая подходу схемотехника.
Разработано программное обеспечение,

позволяющее синтезировать новые интегральные структуры, а также «совершать экскурсию» внутрь интеллектуального кристалла и «гулять» там.


Слайд 6 Теория
Разработана переходная схемотехника для 3-d СБИС.
Компонент схемотехники

ТеорияРазработана переходная схемотехника для 3-d СБИС. Компонент схемотехники - физический переход

- физический переход между материалами с различными свойствами.
Математические модели

интеллектуальных элементов содержат минимальное количество переходов и физических областей с различными свойствами.
Некоторые модели «совпадают» по структуре с органическими молекулами, имеющими те же логические функции.


Слайд 7 Теоретические основы переходной схемотехники (ТОПС 1)
Математической моделью функционально-интегрированного

Теоретические основы переходной схемотехники (ТОПС 1)Математической моделью функционально-интегрированного элемента (ФИЭ) является

элемента (ФИЭ) является неориентированный граф
G (X, А, Г),
где: X

= (х1, х2, …хN) – множество вершин,
А = (а1,а2,…аМ) – множество ребер.

Предикат Г является трехместным предикатом и описывается логическим высказыванием
Г (xi, ak, xj),
которое означает, что ребро aк соединяет вершины хi и xj.

Слайд 8 ТОПС 2
Элементу множества вершин хi соответствует часть интегральной

ТОПС 2Элементу множества вершин хi соответствует часть интегральной структуры

структуры
Fi
Тi

,
в которой
Тi определяет качественный состав части интегральной структуры,
Fi – элемент функционального множества.

Т = {Ti}(i=1,n) = (p,n,p+,n+,…SiO2, Al, Ga…) = П U Д U М –

множество элементов типа частей структуры (р – полупроводниковая область р-типа, n – полупроводниковая область n-типа, SiO2 – область двуокиси кремния, Аl – область алюминия, Ga – область галия и т.д.),
П – подмножество областей полупроводников, Д – подмножество областей диэлектриков, М – подмножество проводников.

Слайд 9 ТОПС 3
Функциональное множество
F = Fy U FH
состоит из

ТОПС 3Функциональное множествоF = Fy U FHсостоит из двух подмножеств:Fy =

двух подмножеств:
Fy = {Fyi} = (E1,…,Ek1,I1,…,Ik2,φ1,…,φk3…)
подмножества управляющих воздействий в

виде напряжения Еi, тока Ij, света φк и
FH = {FHi} = (вх1,…,вхm,вых1,…,выхn)
подмножества назначения, задающего входные и выходные функции областям из подмножества Т, по отношению к которым определяются передаточные характеристики элементов.
N – число областей интегральной структуры, размерность элемента.

Слайд 10 ТОПС 4
Элементам множества ребер ак, аi соответствуют переходы

ТОПС 4Элементам множества ребер ак, аi соответствуют переходы между различными частями

между различными частями интегральной структуры, выполняющие определенные функции, причем

существуют
xi, xj ( хi ≠ xj & Г (xi , ак , xj ) & Г (xj , ак , xi).
Примерами переходов – компонентов переходной схемотехники – являются:
Пi – Пj переход -
переход между полупроводниками, например, р – n переход, переход между полупроводниками р и n типа, выполняющий диодную функцию,
Пi – Дj переход -
переход между полупроводником и диэлектриком,
Пi – Мj переход -
переход между полупроводником и металлом (диод Шоттки),
переходы между прозрачными и непрозрачными слоями в оптоэлектронных элементах,
мембраны в биологических элементах и т.д,
Инциндентор Г (xi, ak, xj) означает, что область xi, имеет с областью xj физическую границу – переход ak.

Слайд 11 ТОПС 5
Графовые модели интегральных элементов могут представлять собой

ТОПС 5Графовые модели интегральных элементов могут представлять собой деревья, а могут

деревья, а могут содержать и циклы.









цепь открытий и изобретений,

давших три последних поколения вычислительных машин, всего лишь начальные элементы таблицы оптимальных математических моделей элементов переходной (p-n) схемотехники.

Слайд 12 ТОПС 6. Генерация структур
Процедура генерации структурных формул интегральных

ТОПС 6. Генерация структур Процедура генерации структурных формул интегральных структур по

структур по математической модели элемента переходной схемотехники: а) –

структурная формула элемента И-НЕ, б) – структура элемента, выполненного по эпитаксиально-nланарной технологии, в) – структурная формула И-НЕ, г) – структура элемента с локальными эпитаксиальными областями, д) – структурная формула И-НЕ, е) – структура элемента с многослойной (трехмерной) конструкцией

Слайд 13 Пример проектирования ФИЭ
а) – математическая модель (объединение двух

Пример проектирования ФИЭа) – математическая модель (объединение двух n-p-n транзисторов по

n-p-n транзисторов по эмиттерам и коллекторам),
б) – вертикальная оптимальная интегральная

структура,
в) – вертикальная структура с разбиением вершины nвых ,
г) – горизонтальная структура на изоляторе

Уравнение синтеза


Слайд 14 RS-триггер в переходной схемотехнике
Уравнение синтеза






RS-триггер в переходной схемотехнике:

RS-триггер в переходной схемотехникеУравнение синтезаRS-триггер в переходной схемотехнике:  а) – структура, б) – топология

а) – структура, б) – топология


Слайд 15 N-разрядный регистр на RS-триггерах в переходной схемотехнике
а) –

N-разрядный регистр на RS-триггерах в переходной схемотехникеа) – уравнение синтеза, б)

уравнение синтеза,
б) – ДНК,



в) – интегральная структура,

г) – топология одного разряда

Слайд 16 Биочипы (подобие углеродной и кремниевой переходных схемотехник)
На рисунке

Биочипы (подобие углеродной и кремниевой переходных схемотехник)На рисунке показан синтез комплиментарной

показан синтез комплиментарной цепи ДНК из нуклеотидов, модели которых

удивительно похожи на математические модели триггеров в переходной схемотехнике.

Слайд 17 Программное обеспечение (ПО 1)
SGenerator – генерация 2-d интегральной структуры

Программное обеспечение (ПО 1)SGenerator – генерация 2-d интегральной структуры по математической модели ФИЭ

по математической модели ФИЭ


Слайд 18 Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d

Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d визуализация (пример 1)

визуализация (пример 1)


Слайд 19 Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d

Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d визуализация (пример 2)

визуализация (пример 2)


Слайд 20 Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d

Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d визуализация (пример 3)

визуализация (пример 3)


Слайд 21 Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d

Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d визуализация (пример 4)

визуализация (пример 4)


Слайд 22 Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d

Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d визуализация (пример 5)

визуализация (пример 5)


Слайд 23 Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d

Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d визуализация (пример 6)

визуализация (пример 6)


Слайд 24 Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d

Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d визуализация (пример 7)

визуализация (пример 7)


Слайд 25 Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d

Программное обеспечение (ПО 2) – Perspective – 3-d визуализация (пример 8)

визуализация (пример 8)


Слайд 26 Результаты
Система оптимальных математических моделей интеллектуальных элементов различной степени

РезультатыСистема оптимальных математических моделей интеллектуальных элементов различной степени сложности для 3-d

сложности для 3-d СБИС.
Моделирующее программное обеспечение.
Побочный культурологический эффект:


3-d технологии в интернете (3-d сайты)
http://nadin.miem.edu.ru/my_img/3d_room/3d_p_1_1.html

Слайд 27 Обучение
Разработан учебный курс, включающий:
курс лекций,
практикум по компьютерному моделированию,
тестирование на

ОбучениеРазработан учебный курс, включающий:курс лекций,практикум по компьютерному моделированию,тестирование на сайте методические материалы

сайте
методические материалы


Слайд 28 Дополнительная литература
Трубочкина Н.К. Синтез на ЭВМ функционально-интегрированных элементов.

Дополнительная литератураТрубочкина Н.К. Синтез на ЭВМ функционально-интегрированных элементов. Вопросы радиоэлектроники, сер.

Вопросы радиоэлектроники, сер. Технология производства и оборудование, вып.1, 1985,

с.20.
Трубочкина Н.К. Логические элементы статических БИС. М: МИЭМ, 1987.
Трубочкина Н.К. Машинное моделирование функционально-интегрированных элементов. Учебное пособие. М.: МИЭМ, 1989.
Трубочкина Н.К., Мурашев В.Н., Петросян Ю.А., Алексеев А.Е. Функциональная интеграция. Концепция. Электронная промышленность, 2000, № 4, с.49-70.
Трубочкина Н.К., Мурашев В.Н., Петросян Ю.А., Алексеев А.Е. Функциональная интеграция элементов и устройств. Электронная промышленность, 2000, № 4, с.70-88.
Трубочкина Н.К. Схемотехника ЭВМ. М: МИЭМ, 2008.

Слайд 29 О руководителе научного направления
Трубочкина Надежда Константиновна - доктор

О руководителе научного направленияТрубочкина Надежда Константиновна - доктор технических наук, профессор,

технических наук, профессор, Россия, Москва, МИЭМ, кафедра вычислительных систем

и сетей.
Работает в области информационных, компьютерных и интернет-технологий, занимается теоретическими разработками в области переходной схемотехники для 3-d СБИС.
Автор более 80 научных работ и изобретений в области создания элементной базы и программного обеспечения для проектирования компьютерных систем.
Читает лекции в Московском институте электроники и математики по компьютерной схемотехнике и Web-дизайну. Ведет курс в интернете по Flash-технологиям.


  • Имя файла: modelirovanie-3d-nanoshemotehniki.pptx
  • Количество просмотров: 185
  • Количество скачиваний: 0
- Предыдущая Tornados
Следующая - В.Ф. Одоевский