Слайд 2
План урока:
Историк – Парникова Дуся
Химик – Карбаканов Андрей
Физик
– Слепцов Вася
Инженер многоканальной электросвязи – Гаврильев Петя
Инженер радиоэлектронных
средств – Анисимов Вова
Пресса – Степанова Алиса, Колосова Сардана, Окошкина Раджана
Слайд 3
Карл Браун Фердинанд
(6.06 1850-20.04 1918) -немецкий физик. Окончил
Берлинский университет(1872). В 1872-74 работал в Вюрцбургском университете, в
1876-80-провессор Марбургского университета , в 1880-83-Страсбургского, в 1883-85-Высшей технической школы в Карлсруэ, в 1885-95-в Тюбингеском университете, где основал физический институт. Работы относятся к радиотехнике и радиофизике. (1874) обнаружил одностороннюю проводимость у кристаллов некоторых сульфидов металлов (серного цинка, перекиси свинца, карборунда и другие.
Слайд 4
Браттейн Уолтер
(10.02 1902)-американский физик. Окончил колледж Витмана (штат
Орегон). Работы посвящены физике и технике полупроводников. Исследовал поверхностные
свойства полупроводников, полупроводниковые свойства окиси меди, оптические свойства германиевых пленок, зависимость проводимости от действия облучения альфа-частицами, механизм рекомбинации. За исследование полупроводников и открытие транзисторного эффекта вместе с Джоном Бардиным и Уильяма Шокли в 1956 был удостоен Нобелевской премии
Слайд 5
Френкель Яков Ильич
(10.02 1894-23.01 1952)-немецкий физик-теоретик. Окончил Петроградский
университет(1916). С 1921 работал в Ленинградском физико-техническом институте. Основные
работы относятся к физике твердого тела, магнетизму, физике жидкостей, физике ядра. Дал теорию движения атомов и ионов в кристаллах, ввел теорию о дефектах кристаллической решетки- «дефекты по Френкелю» (1926) и понятие о подвижных дырках (дырочная проводимость), получил теоретическое выражение для электропроводности ионных кристаллов.
Слайд 6
Вагнер Карл Вильгельм
(25.05 1901-10.12 1977)-немецкий физик и физико-химик.окончил
Лейпцигский университет (1924). Основные работы в области физики полупроводников,
физики твердого тела, металлургии, физической химии. В 1930 обнаружил существование двух типов полупроводников-электронных и дырочных. С Вальтер Шоттки разработал (1930) теорию электролитического переноса. Наряду с Вальтер Шоттки является создателем физики полупроводников в Германии.
Слайд 7
Вильсон Алан Хэррис
(2.07 1906)-английский физик, член Лондонского королевского
общества. Учился (1923-26)в Кембриджском университете, в 1945-62- «Кортаулдз лимид»
Исследования относятся к теории металлов и полупроводников, термодинамике, статистической механике, атомной физике. Исходя из представлений о зонной структуре электронного спектра, провел деление кристаллов на металлы, полупроводники и диэлектрики. Открыл ряд фундаментальных закономерностей в полупроводниках. Ввел деление полупроводников на собственные и примесные, представление о донорной и акцепторной проводимости. В 1932 построил квантовую теорию полупроводников. Один их первых применил (1932) представления о квантовомеханическом туннелировании к описанию контактов между металлов и полупроводником.
Слайд 8
Бардин Джон
(23.05 1908)- американский физик. Работы посвящены физике
твердого тела и сверхпроводимости. Вместе с Уолтером Браттейном открыл
в 1948 транзисторный эффект и создал кристаллический триод с точечным контактом-первый полупроводниковый транзистор. В 1968-69 был президентом Американского физического общества. Медаль Фриц Лондона (1962), Национальная медаль за науку (1965) и другие.
Слайд 9
Жорес Алферов-Нобелевский лауреат 2005г.
(15.03 1930) Жорес Иванович Алферов
хранит свой лабораторный журнал того времени с записью о
создании им 5 марта 1953 г. Первого советского транзистора. В мае 1958г. К Алферову обратился Анатолий Петрович Александров , будущий президент Академии наук СССР, с просьбой разработать полупроводниковые устройства для первой советской атомной подводной лодки. Уже в октябре 1958 г. Устройства стояли на подводной лодке. Ж.И.Алферов выдвинул идею использования гетероструктур для полупроводникового лазера
Слайд 10
Селен
Selenium
Химический символ Se
Атомный номер 34
Необычайное свойство – электрическая
проводимость селена на свету в 1000 раз выше,чем в
темноте, - впоследствии и обусловило его использование в устройствах,реагирующих на свет.Селеновые мостики и фотоэлементы стали применять в сигнальных приборах,автоматических выключателях,фотоэкспонометрах,фототелеграфе,телевидении,звукозаписи в кино.
Слайд 11
Германий
Germanium
Химический символ Ge
Атомный номер 32
Применения:
- датчики Холла
- линзы для инфракрасной техники
- рентгеновской спектроскопии
-
детекторы ионизирующих излучений
Слайд 12
Кремний
Silicium
Химический символ Si
Атомный номер 14
На основе кремния применяются
для создания преобразователей солнечной энергии,использующихся в космической технике.
Слайд 13
Мышьяк
Arsenicum
Химический символ As
Атомный номер 33
Применения:
- в кожевенном
производстве
- стоматологии
- дерматологии
- неврологии
Слайд 14
Индий
Indium
Химический символ In
Атомный номер 49
Индий и его сплавы
успешно применяют в новой технике в качестве жидкометаллической среды
в процессе синтеза соединений в расплаве,при моделировании некоторых металлургических процессов, в качестве теплоносителя, радиационного гамма-носителя, компонента жидкого ядерного топлива, поглотителя радиоактивного излучения, в мягких припоях, защитных покрытиях.
Слайд 16
Собственная проводимость
Si
Электронная проводимость – электроны
( n –
типа )
Дырочная – вакантное место электрона – дырка
( p – типа)
Слайд 17
Проводимость при наличии примесей
Донорные примеси Индий In
( III валентный)
Акцепторные примеси Мышьяк As (V валентный)
Слайд 18
Транзистор
Термин “транзистор” образован из двух английских слов: transfer-преобразователь
и resistor-сопротивление.
Виды - сплавные
Транзистор - усилитель
Слайд 21
Схематическое устройство и графическое обозначение на схемах транзисторов
структуры p-n-p и n-p-n
Слайд 24
Применение и изготовление диодов
Германий
- компактные
Кремний
Селен
применяются в искусственных спутниках
Земли,
космических кораблях, электронно-вычислительных машинах
Слайд 25
Устройство диода
N-типа (германий)
P-типа (индий)
Между двумя
областями возникает
P-n
переход
Германий – катод
Индий - анод
Слайд 26
Физики, изучавшие полупроводники
Слайд 27
Физики, изучавшие полупроводники
Слайд 28
Физики, изучавшие полупроводники
Слайд 29
Физики, изучавшие полупроводники
Слайд 30
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы могут играть роль электронных
устройств малых размеров, могут преобразовывать электрические сигналы в световые
и наоборот, тепловую энергию в электрическую и наоборот. Виды:
1. Полупроводниковый диод
2. Полупроводниковый транзистор
3. Пьезоэлектрические датчики
Слайд 31
Интегральные схемы
Полупроводниковые приборы миниатюрных размеров соединены на одном
полупроводниковом кристалле
Применяются ПК, системах управления, бытовой электронике и т.д.
В
мире ежегодно выпускается 50 млрд интегральных схем
Слайд 32
Инженер многоканальной электросвязи
Интегральные схемы
Применяются в в современных компьютерах,
Системах
автоматизированного управления
И телемеханики, производственном оборудовании,
средствах транспорта, бытовой
электронике
Слайд 33
Инженер радиоэлектронных средств
Радио в авиации
Радио на флоте
Радио на
железнодорожном транспорте
Радио на китобойных промыслах
Космическая радиосвязь
Слайд 34
ВУЗ – ы, где можно получить инженерное образование
Якутск,
ФТИ
Якутск, ЯГУ, физический факультет
Мирный, политехнический институт
Слайд 35
Пресса
Выпускает газету
Фотографируют выступающих
Слайд 36
Каким типом проводимости обладают полупроводниковые материалы с донорными
примесями?
А. В основном электронной.
Б. В основном дырочной.
В.
В равной степени электронной и дырочной.
Г. Ионной.
Слайд 37
Каким типом проводимости обладают полупроводниковые материалы с донорными
примесями?
А. В основном электронной.
Б. В основном дырочной.
В.
В равной степени электронной и дырочной.
Г. Ионной.
Слайд 38
В четырехвалентный кремний добавили первый
раз трехвалентный индий, а во второй раз пятивалентный фосфор.
Каким типом проводимости в основном будет обладать полупроводник в каждом случае ?
А. В первом – дырочной, во втором – электронной.
Б. В первом электронной, во втором дырочной.
В. В обоих случаях электронной.
Г. В обоих случаях дыроочной.
Слайд 39
В четырехвалентный кремний добавили первый
раз трехвалентный индий, а во второй раз пятивалентный фосфор.
Каким типом проводимости в основном будет обладать полупроводник в каждом случае ?
А. В первом – дырочной, во втором – электронной.
Б. В первом электронной, во втором дырочной.
В. В обоих случаях электронной.
Г. В обоих случаях дыроочной.
Слайд 40
В одном случае в германий добавили пятивалентный фосфор,
в другом – трехвалентный галлий. Каким типом проводимости в
основном обладал полупроводник в каждом случае?
А. В первом – дырочной, во втором – электронной.
Б. В первом – электронный, во втором – дырочной.
В. В обоих случаях электронной.
Г. В обоих случаях дырочной.
Д. В обоих случаях электронно-дырочной
