Презентация на тему Полупроводниковые лазеры

населенностей в полупроводниках
Методы накачки в п.л.
Инжекционные лазеры
П.л. с

электронной накачкой
П.л. материалы
Применение п.л.

полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л.,

в отличие от лазеров др. типов, используются излучательные квантовые переходы не между изолированными уровнями энергии атомов, молекул и ионов, а между разрешенными энергетическими зонами кристалла. В П. л. возбуждаются и излучают (коллективно) атомы, слагающие кристаллическую решётку.

энергию когерентного излучения (до 30—50%);
Малая инерционность, обусловливающая широкую

полосу частот прямой модуляции (более 109 Ггц);
Простота конструкции;
Возможность перестройки длины волны излучения и наличие большого числа полупроводников, непрерывно перекрывающих интервал длин волн от 0,32 до 32 мкм.

возможности использования полупроводников для создания лазера
1961 г. – для

этих целей предложено применение p-n переходов
1962 г. – осуществлены п.л. На кристалле GaAs (США)
1964 г. – осуществлен п.л. с электронным возбуждением; сообщено о создании п.л. с оптической накачкой
1968 г. – созданы п.л. с использованием гетероструктуры.

гетеропереход или контакт металл — полупроводник (инжекционные лазеры);
Накачка

пучком быстрых электронов;
Оптическая накачка;
Накачка путём пробоя в электрическом поле.

Наибольшее развитие получили П. л. первых двух типов.

линии связи);
Оптическая локация и специальная автоматика (дальнометрия, высотометрия,

автоматическое слежение и т.д.);
Оптоэлектроника (излучатель в оптроне, логические схемы, адресные устройства, голографические системы памяти),
Техника специального освещения (скоростная фотография, оптическая накачка др. лазеров и др.);
Обнаружение загрязнений и примесей в различных средах;
Лазерное проекционное телевидение

1 — электронная пушка;
2 — фокусирующая и отклоняющая система;
3 — полупроводниковый кристалл — резонатор;
4 — объектив;
5 — экран.