Презентация на тему Сцинтиляційні детектори

типів – органічні і неорганічні.
Органічні сцинтилятори
відносно

невеликі атомні номери (6-7)
мала густина (біля 1-2 г/см2)
малий час висвічування (порядку 10-9 с)

кристали (антрацен, толан, стильбен),
рідкі сцинтилятори
тверді

розчини сцинтилюючих речовин в мономерах та полімерах (сцинтилюючі пластмаси).
органічні гази.

Сцинтилятори на основі полімерів (полістиролу, полівінілтолуолу) з добавкою п-терфенілу і зміщувача спектру (для узгодження спектру висвічування сцинтилятору зі спектральною характеристикою фотокатоду ФЕП) типу POPOP дають короткий сцинтиляційний імпульс з часом наростання 0.2 - 0.6 нс і часом спадання близько 3 нс.
Якщо гасити більш інтенсивні, але повільні компоненти, можна досягати ширини імпульсу менше одної наносекунди, при цьому світловихід сцинтилятора значно зменшується.

залежить від орієнтації шляху важкої зарядженої частинки відносно осі

кристалу.

Світловихід органічних сцинтиляторів складає 20 – 30 % в порівнянні із світловиходом неорганічного кристалу NaI(Tl).

Рідкі сцинтилятори найбільш дешеві із усіх типів сцинтиляторів, потім ідуть пластичні сцинтилятори.

Органічні сцинтилятори

великі атомні номери
велика густина
відносно великий час висвічування

сцинтиляторах

сцинтиляторах

часу кристалу стильбену для різних типів іонізуючого випромінювання

від α‑ (а) та γ(β)−частинок (б) у сцинтиляторі CdWO4.

Імпульси від γ‑квантів (β‑частинок) мають більш пологе затухання, у той час як сигнали від α‑частинок відрізняються більшою інтенсивністю швидкої компоненти сцинтиляційного спалаху

у сцинтиляторах CdWO4 від α‑частинок та γ‑квантів

втрат енергії (різні типи частинок) для органічного сцинтилятора NE-102

основі неорганічного сцинтилятора

основі неорганічного сцинтилятора

основі неорганічного сцинтилятора

складається з фотокатоду, скляної колби динодів та аноду
Після

проходження 10 – 15 динодів проходить підсилення в 106 – 107 раз

фотопомножувача

фотопомножувача

фотопомножувача

часового розкиду приходу електронів на анод

електронів від енергії налітаючого електрона

записати у вигляді:

де

- коефіцієнт вторинної емісії

електронів для і-того диноду (кількість електронів, яка вибивається одним бомбардуючим електроном), n – кількість динодів ФЕП.

- коефіцієнт, який визначає середню долю електронів, які попадають з одного динода на інший,

Залежність коефіцієнта вторинної емісії електронів від потенціалу V, який прикладається для прискорення електрону можна представити у вигляді

де

- максимальне значення

, яке досягається при V=Vmax

і поглинання фотокатодів для деяких ФЕП

пластин (МКП)
При жорстких вимогах до просторової роздільної здатності

чи (та) роздільної здатності по часу в сучасних сцинтилюючих системах використовують ФЕП на основі мікроканальних пластин (МКП).

МКП складається із мільйонів тонких скляних трубочок діаметром кілька (4-25) мікрометрів, на внутрішній поверхні яких нанесено провідний шар (з великим опором – від 20 до 1000 Мом), а на нього тонкий (порядку 10 нанометрів) діелектричний шар, з якого можуть ефективно вибиватися електрони. До МКП прикладається напруга (1-3 кВ), мінус на вході трубочок, плюс на виході. Ця напруга розподіляється по всій довжині трубки. Електрон під дією поля попадає на вхід мікротрубки, прискорюється і вибиває із стінки кілька електронів, далі кожний з них теж прискорюється вздовж трубки і теж вибиває електрони – утворюється електронна лавина.

пластин (МКП)
Підсилення однієї МКП, в залежності від напруги

може складати від 104 до 106 – 107 в залежності від напруги. Для того, щоб вибиті іони (під дією електронного бомбардування) не могли прискорюватися по всій довжині трубки в зворотньому напрямку і не вибивали паразитні електрони на початку трубки, утворюючи вторинні лавини аж до неперервного струму в трубці (як в газоразрядних лічильниках з катодів), роблять або шевронні збірки (2 чи три МКП ставлять одна за одною під невеликими кутами між собою), або канали-трубки трохи вигинають

пластин (МКП)
МКП дозволяють отримати часову роздільну здатність до

десятків пікосекунд і просторову – одиниці мікрометрів. Довжина імпульсу порядку 500 пікосекунд на половині висоти, фронт менше 300 пікосекунд. Коефіцієнт підсилення МКП визначається за формулою:

Де G – коефіціент вторинної емісії, l та d – довжина і діаметр трубки (каналу). Відношення у стандартних МКП 40 – 80.