Презентация на тему Flesh память

Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения

технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.

работы и низкому энергопотреблению флеш-память широко используется в цифровых

портативных устройствах и носителях информации.

регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры.
Изменение

заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора

чтения-записи.
Конструкция NOR использует классическую двумерную матрицу проводников («строки» и

«столбцы») в которой на пересечении установлено по одной ячейке. При этом проводник строк подключался к стоку транзистора, а столбцов к второму затвору. Исток подключался к общей для всех подложке. В такой конструкции было легко считать состояние конкретного транзистора подав положительное напряжение на один столбец и одну строку.
Конструкция NAND — трехмерный массив. В основе та же самая матрица что и NOR, но вместо одного транзистора в каждом пересечении устанавливается столбец из последовательно включенных ячеек. В такой конструкции затворных цепей в одном пересечении получается много. Плотность компоновки можно резко увеличить (ведь к одной ячейке в столбце подходит только один проводник затвора), однако алгоритм доступа к ячейкам для чтения и записи заметно усложняется.

каждой ячейке, однако площадь ячейки велика. Наоборот, NAND имеют

малую площадь ячейки, но относительно длительный доступ сразу к большой группе ячеек. Соответственно различается область применения: NOR используется как непосредственная память программ микропроцессоров и для хранения небольших вспомогательных данных.

ячейка хранит один бит информации и несколько. В однобитовых

ячейках различают только два уровня заряда на плавающем затворе. Такие ячейки называют одноуровневыми (англ. single-level cell, SLC). В многобитовых ячейках различают больше уровней заряда, их называют многоуровневыми (англ. multi-level cell, MLC). MLC-приборы дешевле и более емкие чем SLC-приборы, однако время доступа и количество перезаписей хуже. Обычно под MLC понимают память с 4 уровнями заряда (2 бита), память с 8 уровнями (3 бита) называют TLC, с 16 уровнями (4 бита) - 16LC.

энергопотреблении: устройства флеш-памяти потребляют достаточно большой ток при записи

для формирования высоких напряжений, тогда как при чтении затраты энергии относительно малы.

Рекомендуемый максимальный срок хранения заряда, заявляемый большинством производителей для

бытовых изделий — 10—20 лет.
Специфические внешние условия могут катастрофически сократить срок хранения данных. Например, повышенные температуры или радиационное (гамма-лучевое и высокоэнергичными частицами) облучение.

— без контроллера. В этом случае задачи контроллера должен

выполнять программный NAND-драйвер в операционной системе. Чтобы не выполнять избыточную работу по равномерному распределению записи по страницам стараются эксплуатировать такие носители со специально придуманными файловыми системами (англ.)русск.: JFFS2[7] и YAFFSдля GNU/Linux и др.