Что такое findslide.org?

FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.


Для правообладателей

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Яндекс.Метрика

Презентация на тему Квантовая статистика. Основы зонной теории

Содержание

1. Фермионы – частицы с полуцелым спином (электроны, протоны и др.) - подчиняются принципу Паули: в любом квантовом состоянии может находиться не более одной частицы. 2. Бозоны –
Тема. Квантовая статистика. Основы зонной теории 1. Фермионы – частицы с полуцелым спином (электроны, протоны и др.) - Свободные электроны в металле расположены в потенциальной яме глубиной Ер0Из решения уравнения ЕОбразование энергетических зон в кристалле (следует из решения уравнения Шредингера для е ЕРазрешенные и запрещенные зоны § 4. Проводники и диэлектрикиВ зависимости от степени заполнения валентной зоны электронами ЕЕдиэлектрикпроводникТ=0Зона проводи-мостиУсловие массового термического перехода электронов в зону проводимости диэлектрика:При ΔЕ = εдиэлектрикполупроводникΔЕ        (5-10 эВ)ΔЕ (ширина запрещенной § 5. Полупроводники.    Электроны и дырки в полупроводниках εПолупроводники. T > 0При Т = 300 K концентрация электронов в зоне ΔЕ ≤ 1эВεДоноры (5-вал.): фосфор P, мышьяк As, сурьма SbΔεп~0,01эВТпер~120 К1. Полупроводники Акцепторы (3-вал.): B, Al, Ga, In2. Полупроводники р –типа (дырочная проводимость) Δε ≤ 1эВεΔЕп~0,01эВТпер~120 К Через границу раздела областей кристалла с разным типом проводимости происходит диффузия электроновНа Прямое    и	 обратное подключение диода Применение полупроводникового диодаПолупроводниковый диод позволяет создавать асимметричные с точки зрения полярности сигнала §7. Другие контактные явления	Если привести в соприкосновение два разных металла, то между Контактная разность потенциалов возникает между находящимися в электрич. контакте проводниками в условиях 2. Эффект Зеебека	Эффект Зеебека состоит в том, что в замкнутой цепи, состоящей Если места контактов Т. поддерживать при различных температурах, то в цепи возникает 3.Эффект ПельтьеТермоэлектрический эффект или эффект Пельтье заключается в том, что при включении Причина возникновения эффекта ПельтьеСредняя энергия носителей заряда (например, электронов), участвующих в электропроводности, - полупроводниковый прибор, действие которого основано на явлении испускания фотонов света в При пропускании тока в прямом направлении электроны и дырки рекомбинируют (электроны переходят Устройство светодиодаОснову светодиода составляет искусственный полупроводниковый кристаллик размером 0,3 × 0,3 мм, Внутренним фотоэффектом называется перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых и жидких ΔεФоторезистор - полупроводниковый приборполупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом.1. Эффект ТомпсонаТеплота выделяется (поглощается) при прохождении тока по однородному проводнику, вдоль которого Тема. Тепловое равновесное излучение Теплово́е излуче́ние — электромагнитное излучение — электромагнитное излучение, возникающее за счёт внутренней энергии тела. Формула ПланкаСпектральная объемная плотность энергии излучения АЧТ (энергия, излучаемая в узком спектральном интервале): Закон Стефана -БольцманаЭнергетическая светимость:Полная интегральная по спектру энергия, излучаемая единичной площадкой в Закон смещения ВинаДлина волны, на которую приходится максимум спектральной плотности излучения тела, обратно пропорциональна его температуре. Какая звезда горячее?Цвет звезды зависит от температуры ее фотосферы Тепловизор- устройство для наблюдения за распределением температуры исследуемой поверхности. Распределение температуры отображается Пирометр - - прибор для бесконтактного измерения температуры тел. Принцип действия основан
Слайды презентации

Слайд 2 1. Фермионы – частицы с полуцелым спином (электроны,

1. Фермионы – частицы с полуцелым спином (электроны, протоны и др.)

протоны и др.) - подчиняются принципу Паули: в

любом квантовом состоянии может находиться не более одной частицы.

2. Бозоны – частицы с целым или нулевым спином - не подчиняются принципу Паули: в любом квантовом состоянии может находиться неограниченное число частиц.


Слайд 3 Свободные электроны в металле расположены в потенциальной яме

Свободные электроны в металле расположены в потенциальной яме глубиной Ер0Из решения

глубиной Ер0
Из решения уравнения Шрёдингера следует, что энергетические уровни

электрона в кристалле Ei образуют квазинепрерывный спектр.

Электроны являются фермионами и подчиняются принципу Паули, согласно которому каждый энергетический уровень заселяется не более чем двумя электронами с противоположными спинами.


Слайд 4 Е
Образование энергетических зон
в кристалле (следует из решения

ЕОбразование энергетических зон в кристалле (следует из решения уравнения Шредингера для

уравнения Шредингера для е в периодическом силовом поле кристалла)
в

кристалле (N атомов)


В кристаллах энергетический спектр электронов распадается на N (число атомов в кристалле) близких уровней (взаимодействие атомов). «Расстояние» между уровнями внутри зон ~10– 23 эВ

§ 3. Энергетические уровни в атоме и энергетические зоны в кристалле


Слайд 5 Е
Разрешенные и запрещенные зоны


ЕРазрешенные и запрещенные зоны

Слайд 6 § 4. Проводники и диэлектрики
В зависимости от степени

§ 4. Проводники и диэлектрикиВ зависимости от степени заполнения валентной зоны

заполнения валентной зоны электронами и ширины запрещенной зоны кристаллы

подразделяют на проводники (металлы), полупроводники и диэлектрики.

Слайд 7 Е
Е
диэлектрик
проводник
Т=0
Зона проводи-мости
Условие массового термического перехода электронов в зону

ЕЕдиэлектрикпроводникТ=0Зона проводи-мостиУсловие массового термического перехода электронов в зону проводимости диэлектрика:При ΔЕ

проводимости диэлектрика:
При ΔЕ = 5эВ Т ~ 105

K.

Условие электрического пробоя диэлектрика:
E ~ 108 В/м

kT ~ ΔЕ.

Δε~10– 23 эВ

ΔЕ ~5 эВ


εF

εF


Слайд 8 ε
диэлектрик
полупроводник

ΔЕ

εдиэлектрикполупроводникΔЕ    (5-10 эВ)ΔЕ (ширина запрещенной зоны): для Ge

(5-10 эВ)
ΔЕ (ширина запрещенной зоны): для Ge - 0,72

эВ,
для Si - 1,09 эВ

ε

проводник

ε

Т=0

εF

εF

ЕF


Слайд 9 § 5. Полупроводники.
Электроны и

§ 5. Полупроводники.  Электроны и дырки в полупроводниках

дырки в полупроводниках


Слайд 10 ε
Полупроводники. T > 0













При Т = 300 K

εПолупроводники. T > 0При Т = 300 K концентрация электронов в

концентрация электронов в зоне проводимости n ~ 1017 1/м3,

а уд. сопротивление ρ~103 Ом ∙м;
При Т=400 К - n ~ 1024 м-3, ρ~10-3 Ом∙м

( у металлов n ~ 1028 – 1029 1/м3)

дырки

Зависимость
удельного сопротивления ρ
чистого полупроводника
от абсолютной температуры

Рекомбинация- встреча свободного электрона с дыркой, приводящая к взаимо-уничтожению («компенсации»)

~


Слайд 11 ΔЕ ≤ 1эВ
ε
Доноры (5-вал.): фосфор P, мышьяк As,

ΔЕ ≤ 1эВεДоноры (5-вал.): фосфор P, мышьяк As, сурьма SbΔεп~0,01эВТпер~120 К1.

сурьма Sb

Δεп~0,01эВ
Тпер~120 К
1. Полупроводники n –типа (электронная проводимость)
(nнеосн ~

1019 – 1020 1/м3)

Примесная проводимость полупроводников

Примеси искажают поле решетки, что приводит к возникно-вению примесных уровней в запрещенной зоне.


Слайд 12 Акцепторы (3-вал.): B, Al, Ga, In
2. Полупроводники р

Акцепторы (3-вал.): B, Al, Ga, In2. Полупроводники р –типа (дырочная проводимость) Δε ≤ 1эВεΔЕп~0,01эВТпер~120 К

–типа (дырочная проводимость)
Δε ≤ 1эВ
ε

ΔЕп~0,01эВ
Тпер~120 К


Слайд 13 Через границу раздела областей кристалла с разным типом

Через границу раздела областей кристалла с разным типом проводимости происходит диффузия

проводимости происходит диффузия электронов
На границе раздела возникает контактная разность

потенциалов (около 0,35-0,6 В)

§6. Р-n переход.

Способность перехода запирать электрический ток при включении Р(отрицат. полюс), n(положит.полюс) используется для выпрямления переменного тока (полупроводниковый диод).


Слайд 14 Прямое и обратное
подключение диода

Прямое  и	 обратное подключение диода

Слайд 15 Применение полупроводникового диода
Полупроводниковый диод позволяет создавать асимметричные с

Применение полупроводникового диодаПолупроводниковый диод позволяет создавать асимметричные с точки зрения полярности

точки зрения полярности сигнала схемы. Например, выпрямители, преобразующие переменный ток

в пульсирующий однополярный, или детекторы, выделяющие низкочастотную огибающую из высокочастотного сигнала.

Слайд 16 §7. Другие контактные явления
Если привести в соприкосновение два

§7. Другие контактные явления	Если привести в соприкосновение два разных металла, то

разных металла, то между ними возникнет разность потенциалов, называемая

контактной (у металла с большей Энергией Ферми больше концентрация электронов, начнется диффузия электронов).

Внешняя контактная разность потенциалов:

1

2

Авых= eφ1

Внутренняя контактная разность потенциалов:





Холодная эмиссия электронов


Слайд 17 Контактная разность потенциалов возникает между находящимися в электрич.

Контактная разность потенциалов возникает между находящимися в электрич. контакте проводниками в

контакте проводниками в условиях термодинамич. равновесия.
Между двумя проводниками,

приведёнными в соприкосновение, происходит обмен электронами, в результате чего они заряжаются (проводник с меньшей работой выхода положительно, а с большей - отрицательно) до тех пор, пока потоки электронов в обоих направлениях не уравновесятся, и во всей системе уровень Ферми станет одинаковым.
Установившаяся К. р. п. равна разности работ выхода проводников, отнесённой к заряду электрона.
Сопротивление контакта изменяется несимметрично в зависимости от знака приложенного напряжения (выпрямляющее свойство контакта)

Слайд 18 2. Эффект Зеебека
Эффект Зеебека состоит в том, что

2. Эффект Зеебека	Эффект Зеебека состоит в том, что в замкнутой цепи,

в замкнутой цепи, состоящей из разнородных проводников, возникает ЭДС

(термоэдс), если места контактов поддерживают при разных температурах Т1 и Т2. Происходит диффузия электронов от теплого к холодному концу проводника.

В небольшом интервале температур термоЭДС можно считать пропорциональной разности температур:
ε=α12(T2 − T1),
где α12 — термоэлектрическая способность пары (или коэффициент термоэдс)


Слайд 19 Если места контактов Т. поддерживать при различных температурах,

Если места контактов Т. поддерживать при различных температурах, то в цепи

то в цепи возникает эдс (термоэдс), а при замыкании

цепи — электрический ток.
Это явление (Зеебека эффект) используется преимущественно для измерения температур либо др. физических величин, измерение которых может быть сведено к измерению температур: давления газа, скорости потока жидкости или газа, влажности, потока лучистой энергии.

Термопара состоит из двух спаянных на одном из концов проводников, изготовленных из 2 разных металлов.

Термопара


Слайд 20 3.Эффект Пельтье
Термоэлектрический эффект или эффект Пельтье заключается в

3.Эффект ПельтьеТермоэлектрический эффект или эффект Пельтье заключается в том, что при

том, что при включении в электрическую цепь двух различных

проводников в месте их контакта поглощается или выделяется теплота (в зависимости от направления тока). Эффект особенно заметен при использовании разнородных полупроводников, с дырочной – p и электронной – n проводимостью.

Слайд 21 Причина возникновения эффекта Пельтье
Средняя энергия носителей заряда (например,

Причина возникновения эффекта ПельтьеСредняя энергия носителей заряда (например, электронов), участвующих в

электронов), участвующих в электропроводности, в разл. проводниках различна, т.

к. зависит от их энергетич. спектра, концентрации и механизма рассеяния . При переходе из одного проводника в другой электроны либо передают избыточную энергию решётке (нагрев), либо пополняют недостаток энергии за её счёт (охлаждение)

Слайд 22 - полупроводниковый прибор, действие которого основано на явлении

- полупроводниковый прибор, действие которого основано на явлении испускания фотонов света

испускания фотонов света в области p-n перехода при

протекании электрического тока.

4. Светодиод


Слайд 23 При пропускании тока в прямом направлении электроны и

При пропускании тока в прямом направлении электроны и дырки рекомбинируют (электроны

дырки рекомбинируют (электроны переходят на более низкий энергетический уровень)

и испускают «избыточную» энергию в виде фотона.

Слайд 24 Устройство светодиода
Основу светодиода составляет искусственный полупроводниковый кристаллик размером

Устройство светодиодаОснову светодиода составляет искусственный полупроводниковый кристаллик размером 0,3 × 0,3

0,3 × 0,3 мм, в котором реализован p-n-переход.

Цвет свечения зависит от материала кристаллика.

Слайд 25 Внутренним фотоэффектом называется перераспределение электронов по энергетическим состояниям

Внутренним фотоэффектом называется перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых и

в твердых и жидких полупроводниках и диэлектриках, происходящее под

действием света. Проявляется в изменении концентрации носителей тока в среде и приводит к возникновению фотопроводимости .

§8. Внутренний фотоэффект


Слайд 26



























Δε



Фоторезистор - полупроводниковый приборполупроводниковый прибор, изменяющий величину своего

ΔεФоторезистор - полупроводниковый приборполупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении

сопротивления при облучении светом.
1. Видимая часть спектра (λ ~

5.10-7м):

- CdS

2. Инфракрасная часть спектра (λ ~ 10-6м):

PbS, PdSe, PbTe, InSb




Применяют в автоматике в качестве датчиков, обнаруживающих изменение температуры или освещенности

Для изготовления фоторезисторов используют полупроводниковые материалы с шириной запрещенной зоны, оптимальной для решаемой задачи.


Слайд 27 Эффект Томпсона
Теплота выделяется (поглощается) при прохождении тока по

Эффект ТомпсонаТеплота выделяется (поглощается) при прохождении тока по однородному проводнику, вдоль

однородному проводнику, вдоль которого имеется градиент температуры:
При переходе из

одного проводника в другой электроны либо передают избыточную энергию атомам, либо пополняют недостаток энергии за их счёт (в зависимости от направления тока). В первом случае вблизи контакта выделяется, а во втором — поглощается теплота.


Т1

Т2>Т1

нагрев

охлаждение


Слайд 28
Тема. Тепловое равновесное излучение

Тема. Тепловое равновесное излучение

Слайд 29 Теплово́е излуче́ние — электромагнитное излучение — электромагнитное излучение, возникающее за

Теплово́е излуче́ние — электромагнитное излучение — электромагнитное излучение, возникающее за счёт внутренней энергии

счёт внутренней энергии тела. Имеет сплошной спектр — электромагнитное излучение,

возникающее за счёт внутренней энергии тела. Имеет сплошной спектр, расположение и интенсивность максимума которого зависят от температуры тела. При остывании последний смещается в длинноволновую часть спектра.

В случае, если излучение находится в термодинамическом равновесии с веществом, то такое излучение называется равновесным. Спектр такого излучения эквивалентен спектру абсолютно чёрного тела и описывается законом Планка.

Термодинамическое равновесие — состояние системы, при котором остаются неизменными по времени макроскопические величины этой системы (температура, давление, объём, энтропия) в условиях изолированности от окружающей среды.

АБСОЛЮТНО ЧЕРНОЕ ТЕЛО - тело, которое полностью поглощает любое падающее на его поверхность электромагнитное излучение, независимо от температуры этого тела. Таким образом, для абсолютно черного тела поглощательная способность (отношение поглощённой энергии к энергии падающего излучения) равна 1 при излучениях всех частот, направлений распространения и поляризаций.


Слайд 30 Формула Планка
Спектральная объемная плотность энергии излучения АЧТ (энергия,

Формула ПланкаСпектральная объемная плотность энергии излучения АЧТ (энергия, излучаемая в узком спектральном интервале):

излучаемая в узком спектральном интервале):


Слайд 31 Закон Стефана -Больцмана
Энергетическая светимость:
Полная интегральная по спектру энергия,

Закон Стефана -БольцманаЭнергетическая светимость:Полная интегральная по спектру энергия, излучаемая единичной площадкой

излучаемая единичной площадкой в единицу времени, пропорциональна четвертой степени

абсолютной температуры тела.

Слайд 32 Закон смещения Вина
Длина волны, на которую приходится максимум

Закон смещения ВинаДлина волны, на которую приходится максимум спектральной плотности излучения тела, обратно пропорциональна его температуре.

спектральной плотности излучения тела, обратно пропорциональна его температуре.


Слайд 33 Какая звезда горячее?
Цвет звезды зависит от температуры ее

Какая звезда горячее?Цвет звезды зависит от температуры ее фотосферы

фотосферы


Слайд 34 Тепловизор
- устройство для наблюдения за распределением температуры исследуемой

Тепловизор- устройство для наблюдения за распределением температуры исследуемой поверхности. Распределение температуры

поверхности. Распределение температуры отображается на дисплее как цветная картинка,

где разным температурам соответствуют разные цвета.

  • Имя файла: kvantovaya-statistika-osnovy-zonnoy-teorii.pptx
  • Количество просмотров: 123
  • Количество скачиваний: 0