- Главная
- Разное
- Бизнес и предпринимательство
- Образование
- Развлечения
- Государство
- Спорт
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Религиоведение
- Черчение
- Физкультура
- ИЗО
- Психология
- Социология
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Что такое findslide.org?
FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.
Обратная связь
Email: Нажмите что бы посмотреть
Презентация на тему Схемотехника телекоммуникационных устройств
Содержание
- 2. АНАЛОГОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВАСИГНАЛЫАНАЛОГОВЫЕЗначения могут бытьизмерены в любой моментЦИФРОВЫЕЗначения могут бытьизмерены только в определенный момент
- 3. Аналоговые электронные устройства (АЭУ) — это устройства
- 4. СХЕМА УСИЛИТЕЛЬНОГО УСТРОЙСТВАОбщая схема усилительного устройстваФункциональная схема усилительного устройства
- 5. КЛАССИФИКАЦИЯ АНАЛОГОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ Аналоговые электронные устройства условно
- 6. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ АНАЛОГОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ1. Входное сопротивление
- 7. АМПЛИТУДНО- И ФАЗО-ЧАСТОТНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКИАмплитудно-частотная характеристикаФазо-частотная характеристика
- 8. ПЕРЕХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
- 9. НЕЛИНЕЙНЫЕ ИСКАЖЕНИЯ
- 10. ОЦЕНКА НЕЛИНЕЙНЫХ ИСКАЖЕНИЙ
- 11. КОЭФФИЦИЕНТ ПОЛЕЗНОГО ДЕЙСТВИЯ
- 12. СОБСТВЕННЫЕ ПОМЕХИ 1. Фон. 2. Наводки. 3. Собственные шумы. 4. Дрейф нуля.
- 13. АМПЛИТУДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА И ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН Амплитудной характеристикой (АХ)
- 14. ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВСтруктура кристалла кремния SiT = 0T > 0
- 15. ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВРаспределение Ферми-Дирака
- 16. ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВПримесные полупроводники
- 17. ТРАНЗИСТОРЫ – УПРАВЛЯЕМЫЕ НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ Принцип действия и режимы работы биполярного транзистора. Схемы включения.
- 18. ТРАНЗИСТОРЫ – УПРАВЛЯЕМЫЕ НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ Принцип действия и режимы работы полевого транзистора.
- 19. ТРАНЗИСТОРЫ – УПРАВЛЯЕМЫЕ НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ Принцип действия и
- 20. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО УСТРОЙСТВАОбщая схема усилительного устройства с обратной связью
- 21. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ
- 22. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ
- 23. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ
- 24. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ
- 25. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ
- 26. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ
- 27. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ
- 28. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ
- 29. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ
- 30. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ
- 31. РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕСхемы включения биполярного
- 32. РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕСхемы включения биполярного
- 33. РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕСхемы включения биполярного
- 34. РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕСхемы включения биполярного
- 35. РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕСхемы включения биполярного
- 36. РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕСхемы включения биполярного
- 37. РЕЖИМЫ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВРежим A.ВАХ и временные
- 38. РЕЖИМЫ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВРежим B.ВАХ и временные
- 39. РЕЖИМЫ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВРежим C.ВАХ и временные зависимости выходного тока для режима Б.Коэффициент использования токаКПД
- 40. РЕЖИМЫ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВРежим D. Для режима D
- 41. ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВНагрузочная прямая.
- 42. ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВПределы изменения температуры перехода. Предельные значения коэффициента усиления по току.
- 43. ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВЦепи смещения с фиксацией
- 44. ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВЦепи смещения с фиксацией
- 45. ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВЦепи смещения с фиксацией
- 46. ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВЦепи смещения с фиксацией
- 47. ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВЦепи смещения с эмиттерной
- 48. ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВЦепи смещения с эмиттерной
- 49. ЦЕПИ ПИТАНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВВлияние температуры на характеристики прямой передачи.
- 50. ЦЕПИ ПИТАНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВСхемы цепей питания с
- 51. ЦЕПИ ПИТАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМДифференциальный каскад предварительного усиления.Для задания нужного напряжения применяется делитель
- 52. ЦЕПИ ПИТАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМНестабильности параметров.Влияние обратной связи на коэффициент усиления при каскадном соединении.
- 53. Скачать презентацию
- 54. Похожие презентации
АНАЛОГОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВАСИГНАЛЫАНАЛОГОВЫЕЗначения могут бытьизмерены в любой моментЦИФРОВЫЕЗначения могут бытьизмерены только в определенный момент
Слайд 2
АНАЛОГОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА
СИГНАЛЫ
АНАЛОГОВЫЕ
Значения могут быть
измерены в любой
момент
ЦИФРОВЫЕ
Значения
могут быть
Слайд 3 Аналоговые электронные устройства (АЭУ) — это устройства усиления
и обработки аналоговых электрических сигналов, выполненные на основе электронных
приборов. К аналоговым относятся сигналы, которые изменяются по тому же закону, что и характеризуемые (описываемые) ими физические процессы. Аналоговые сигналы заданы (известны, могут быть измерены) во все моменты времени.АНАЛОГОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА
Слайд 4
СХЕМА УСИЛИТЕЛЬНОГО УСТРОЙСТВА
Общая схема усилительного устройства
Функциональная схема усилительного
устройства
Слайд 5
КЛАССИФИКАЦИЯ АНАЛОГОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
Аналоговые электронные устройства условно можно
разделить на две большие группы: усилители и устройства, выполненные
на их основе. Усилители классифицируются по нескольким признакам:По форме усиливаемых сигналов.
По диапазону частот.
По типу усилительных элементов.
По области применения.
Устройства на основе усилителей – это в основном преобразователи электрических сигналов и сопротивлений. Их выполняют на базе усилителей с помощью ОС или путем видоизменения.
Слайд 6
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ АНАЛОГОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
1. Входное сопротивление Zвх
(входная проводимость Yвх).
2. Выходное сопротивление Zвых.
3. Коэффициент усиления K=Uвых
/ Uвх.4. Коэффициент сквозной передачи Kскв =Uвых / EГ .
5. Коэффициент передачи входной цепи Kвх= Zвх / (Zг+Zвх)
(Kскв= KвхK).
6. Коэффициент усиления тока KI = Iвых/Iвх .
7. Коэффициент усиления мощности KP = Pн / Pвх. Обычно выражают в децибелах, дБ = 10lg KP.
Слайд 7
АМПЛИТУДНО- И ФАЗО-ЧАСТОТНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Амплитудно-частотная
характеристика
Фазо-частотная
характеристика
Слайд 13
АМПЛИТУДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА И ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН
Амплитудной характеристикой (АХ) усилителя
называется зависимость амплитудного или действующего значения выходного
напряжения от
входного синусоидального напряжения.B
Uвых
Uвх
Uвых2
Uвых1
Uвх1
Uвх2
A
Uп
Слайд 17
ТРАНЗИСТОРЫ – УПРАВЛЯЕМЫЕ НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Принцип действия и режимы
работы биполярного транзистора. Схемы включения.
Слайд 18
ТРАНЗИСТОРЫ – УПРАВЛЯЕМЫЕ НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Принцип действия и режимы
работы полевого транзистора.
Слайд 19
ТРАНЗИСТОРЫ – УПРАВЛЯЕМЫЕ НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Принцип действия и режимы
работы полевого транзистора. Униполярные транзисторы с изолированным затвором. Принцип
работы МОП-транзистора.Слайд 20 ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО
УСТРОЙСТВА
Общая схема усилительного устройства с обратной связью
Слайд 21 ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО
УСТРОЙСТВА
Виды обратной связи.
Положительная и отрицательная ОС.
Частотно-зависимая и частотно-независимая ОС.
Внутренняя
и внешняя ОС.Местная и общая ОС.
Слайд 22 ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО
УСТРОЙСТВА
Основные соотношения.
Связь выходного и входного сигналов.
Коэффициент усиления усилителя, охваченного
обратной связью.Возвратное отношение.
Глубина обратной связи.
ПОС
ООС
Слайд 23 ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО
УСТРОЙСТВА
Основные соотношения.
Нестабильность коэффициента усиления при наличии обратной связи
Коэффициенты усиления
на границах полосы пропусканияСлайд 24 ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО
УСТРОЙСТВА
Параллельная по входу и выходу ОС.
Эквивалентная схема устройства с
параллельной ОС по напряжению.Слайд 25 ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО
УСТРОЙСТВА
Параллельная по входу и выходу ОС.
Схема каскада с параллельной
ОС по напряжению.Слайд 26 ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО
УСТРОЙСТВА
Последовательная по входу и выходу ОС.
Эквивалентная схема устройства с
параллельной ОС по току.Слайд 27 ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО
УСТРОЙСТВА
Последовательная по входу и выходу ОС.
Схема каскада с параллельной
ОС по току.Слайд 28 ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО
УСТРОЙСТВА
Последовательная по входу и параллельная по выходу ОС.
Эквивалентная схема
устройства с последовательной ОС по напряжению.Слайд 29 ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО
УСТРОЙСТВА
Последовательная по входу и параллельная по выходу ОС.
Схемы устройств
с последовательной ОС по напряжению.Слайд 30 ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО
УСТРОЙСТВА
Параллельная по входу и последовательная по выходу ОС.
Эквивалентная схема
устройства с параллельной ОС по току.
Слайд 31
РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕ
Схемы включения биполярного транзистора
и их свойства.
Схемы включения транзистора с общим эмиттером (а),
с общей базой (б) и с общим коллектором (в).
Слайд 32
РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕ
Схемы включения биполярного транзистора
и их свойства.
Каскад с общим эмиттером на транзисторах n-p-n
типа(а) и p-n-p типа(б).
Слайд 33
РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕ
Схемы включения биполярного транзистора
и их свойства.
Диаграммы коллекторного тока для схемы с общим
эмиттером . n-p-n структура(а) и p-n-p структура(б)
Слайд 34
РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕ
Схемы включения биполярного транзистора
и их свойства.
Коэффициенты усиления тока и напряжения в схеме
с общим эмиттером
Слайд 35
РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕ
Схемы включения биполярного транзистора
и их свойства.
Зависимость коэффициента усиления тока
от частоты
Зависимость входного сопротивления
от частоты
Слайд 36
РАБОТА УСИЛИТЕЛЬНРЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КАСКАДЕ
Схемы включения биполярного транзистора
и их свойства.
Характер нелинейных искажений при возбуждении каскада с
общим эмиттером гармоническим токомЗависимость коэффициента гармоник от сопротивления источника сигнала
Слайд 37
РЕЖИМЫ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ
Режим A.
ВАХ и временные зависимости
выходного тока для режима А.
Коэффициент использования тока
КПД
Коэффициент использования напряжения
Слайд 38
РЕЖИМЫ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ
Режим B.
ВАХ и временные зависимости
выходного тока для режима Б.
Коэффициент использования тока
КПД
Коэффициент использования напряжения
Слайд 39
РЕЖИМЫ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ
Режим C.
ВАХ и временные зависимости
выходного тока для режима Б.
Коэффициент использования тока
КПД
Слайд 40
РЕЖИМЫ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ
Режим D.
Для режима D характерной
является работа усилителя в ключевом режиме, при котором усилительный
элемент либо открыт, либо закрыт. Поэтому режим D можно использовать только для усиления прямоугольных импульсов. В этом режиме потери внутри усилительного элемента незначительны, КПД близок к 100%.Для усиления гармонического сигнала необходимо его преобразовать в прямоугольные импульсы неименного размаха, длительность которых пропорциональна мгновенному значению напряжения сигнала при постоянной частоте следования импульсов. После усиления осуществляется демодуляция, т.е. обратное преобразование сигнала.
Слайд 42
ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Пределы изменения температуры перехода.
Предельные значения
коэффициента усиления по току.
Слайд 43
ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цепи смещения с фиксацией тока
базы и напряжения на базе.
Схема смещения с фиксацией тока
базы.Выражения для тока базы:
Известно, что для транзистора:
Из этого получим:
Из этого получим:
Обратный ток коллектора зависит от температуры:
Слайд 44
ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цепи смещения с фиксацией тока
базы и напряжения на базе.
Влияние изменения температуры перехода при
постоянном токе базы на ток коллектора.Влияние изменения температуры перехода при постоянном напряжении базы на ток коллектора.
Слайд 45
ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цепи смещения с фиксацией тока
базы и напряжения на базе.
Схема подачи напряжения на базу
с помощью делителя напряжения.
Слайд 46
ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цепи смещения с фиксацией тока
базы и напряжения на базе.
Общая эквивалентная схема для определения
нестабильности коллекторного тока.Нестабильность тока базы:
Нестабильность тока коллектора:
После преобразований получим:
Слайд 47
ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цепи смещения с эмиттерной стабилизацией.
Цепь
с эмиттерной стабилизацией.
Часть напряжения, передаваемого на базу, стремится уменьшить
коллекторный ток.
Слайд 48
ЦЕПИ ПИТАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цепи смещения с эмиттерной стабилизацией.
Эквивалентная
схема цепи питания с эмиттерной стабилизацией.
Контурное уравнение.
Нестабильность коллекторного тока.
Слайд 50
ЦЕПИ ПИТАНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Схемы цепей питания с фиксацией
напряжения на затворе. а-полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
б-полевой транзистор с индуцированным каналом.Цепи смещения с фиксацией напряжения на затворе.
Для задания нужного напряжения применяется делитель
Слайд 51
ЦЕПИ ПИТАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Дифференциальный каскад предварительного усиления.
Для задания
нужного напряжения применяется делитель
Слайд 52
ЦЕПИ ПИТАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Нестабильности параметров.
Влияние обратной связи на
