Презентация на тему Солнечные батареи

p-n переходе, только его задача обеспечить Рmax на выходе.

К Квант света

Внутренний фотоэффект

стоит в зените; при этом Р ~925 Вт/м2.  Спектр АМ2 реализуется

при  =60; при этом Р ~691Вт/м2.. Средняя интенсивность излучения на Земле примерно совпадает с интенсивностью излучения, прошедшего через воздушную массу АМ1,5 ; при этом составляет Р ~844 Вт/м2. Верхняя кривая соответствует солнечному спектру за пределами земной атмосферы, т.е. при нулевой воздушной массе (АМ0). Это распределение можно аппроксимировать распределением интенсивности черного тела при температуре 5800 К. Спектр АМ0 определяет работу солнечных батарей на спутниках и космических кораблях.

Спектр АМ1 соответствует распределению солнечного излучения на поверхности Земли, когда солнце стоит в зените; при этом полная мощность излучения составляет ~925 Вт/м2.

иллюстрирующие спектральное распределение интенсивности солнечного излучения (мощность на единицу

площади в единичном интервале длин волн).

термоядерная реакция – каждую секунду на Солнце ~6*1011 кг

водорода превращается в гелий. Дефект массы при этом составляет 4000 кг, что согласно соотношению Эйнштейна E=mc2 приводит к выделению 4*1020 Дж энергии. Основная часть этой энергии испускается в виде электромагнитного излучения в диапазоне 0,2–3 мкм. Поскольку полная масса Солнца ~2*1030 кг, оно должно пребывать в достаточно стабильном состоянии свыше 10 млрд. лет с постоянным выделением энергии. Интенсивность солнечного излучения в свободном пространстве на удалении, равном среднему расстоянию между Землей и Солнцем, называется солнечной радиацией. Ее величина – 1353 Вт/м2.

свет ослабляется в основном из-за поглощения инфракрасного излучения парами

воды, ультрафиолетового излучения – озоном и рассеяния излучения частицами атмосферной пыли и аэрозолями. Показатель атмосферного влияния на интенсивность солнечного излучения, доходящего до земной поверхности, называется “воздушной массой” (АМ)
АМ определяется как секанс угла между Солнцем и зенитом.

при контакте двух полупроводников с различными энергетическими положениями запрещенной

зоны.
Фотоны с энергией, меньшей Eg1, но большей Eg2, будут проходить через слой первого полупроводника, который играет роль оптического окна, и поглощается во втором полупроводнике. Носители, генерируемые излучением внутри обедненного слоя и в электронейтральном объеме полупроводника в пределах диффузионной длины от перехода, будут коллектироваться переходом подобно тому, как это имеет место в солнечных элементах с n - p-гомопереходами.

поглощаются в первом полупроводнике, и переход будет коллектировать носители,

генерируемые этим излучением на расстоянии от перехода, не превышающем диффузионную длину, либо непосредственно в области пространственного заряда перехода.

отклика в коротковолновом диапазоне при условии, что энергия Eg1

достаточно велика и фотоны с высокой энергией поглощаются в обедненном слое второго полупроводника
2) в понижении последовательного сопротивления при условии, что первый полупроводник можно сильно легировать, не ухудшая при этом условия прохождения света через него
3) в высокой радиационной стойкости, если первый слой полупроводника достаточно толстый и полупроводник имеет широкую запрещенную зону.

должен быть достаточно тонким, чтобы основная доля света достигла

полупроводника. Можно выделить три компоненты фототока. Одна из них обусловлена поглощением в металле фотонов с энергией hn qj В (qj В - высота барьера), что вызывает возбуждение дырок через барьер в полупроводник (эта компонента на рис. 26 обозначена цифрой 1). Попадающий в полупроводник коротковолновый свет поглощается главным образом в обеднённом слое (соответствующий фототок на рис. 26 обозначен цифрой 2). Длинноволновый свет, поглощается в нейтральном объёме полупроводника, создаёт электронно-дырочные пары; затем электроны, так же как и в случае обычного р-n - перехода, диффундируют к краю обеднённого слоя, где происходит их коллектирование (этот фототок на рис. 26 обозначен цифрой 3).

светом носителей из металла в полупроводник составляет менее 1%

полного фототока, и поэтому этим процессом можно пренебречь.

Длинноволновый свет, поглощается в нейтральном объёме полупроводника, создаёт электронно-дырочные пары; затем электроны, так же как и в случае обычного р-n - перехода, диффундируют к краю обеднённого слоя, где происходит их коллектирование (этот фототок на рис. 26 обозначен цифрой 3).

элементов при низких температурах, поскольку отпадает необходимость в проведении

высоковольтной операции - диффузии

2) применение данной технологии при создании поликристаллических и тонкоплёночных солнечных элементов

стойкость элементов, поскольку вблизи их поверхности существует сильное электрическое

поле
4) большой выходной ток и хороший спектральный отклик, что также обусловлено непосредственным примыканием обеднённого слоя к поверхности полупроводника, вследствие чего ослабляется негативное влияние малых времен жизни и высокой скорости поверхностной рекомбинации.

от внешнего
напряжения VG = const. При освещении:

Если убрать нагрузку

Rн то Iф = Iкз тогда


Vg – Падение напряжения на нагрузке Rн

VG – в Вольтах
I – в милиамперах

ВАХ солнечного элемента
Концентрация света не увеличивает КПД
КПД можно менять если применять различ
ные материалы, т. к. у разных материалов разная Еg
КПД=28% если это GaAs т.к. у него Еg=1,4 эВ

материалов для создания высокоэффективных солнечных батарей. Это объясняется следующими

его особенностями:
почти идеальная для однопереходных солнечных элементов ширина запрещенной зоны 1,43 эВ;
повышенная способность к поглощению солнечного излучения: требуется слой толщиной всего в несколько микрон;
высокая радиационная стойкость, что совместно с высокой эффективностью делает этот материал чрезвычайно привлекательным для использования в космических аппаратах;
относительная нечувствительность к нагреву батарей на основе GaAs;
характеристики сплавов GaAs с алюминием, мышьяком, фосфором или индием дополняют характеристики GaAs, что расширяет возможности при проектировании солнечных элементов.

солнечной энергетики. Чрезвычайно высока способность к поглощению солнечного излучения

у диселенида меди и индия (CuInSe2) – 99 % света поглощается в первом микроне этого материала (ширина запрещенной зоны – 1,0 эВ).
Теллурид кадмия (CdTe) – еще один перспективный материал для фотовольтаики. У него почти идеальная ширина запрещенной зоны (1,44 эВ) и очень высокая способность к поглощению излучения. Пленки CdTe достаточно дешевы в изготовлении.
Среди солнечных элементов особое место занимают батареи, использующие органические материалы. Коэффициент полезного действия солнечных элементов на основе диоксида титана, покрытого органическим красителем, весьма высок – ~11 %.

кремния n-типа, окруженную слоем кремния р-типа толщиной около одного

микрона, с контактами для присоединения к внешней цепи.
Когда СЭ освещается, поглощенные фотоны генерируют неравновесные электрон - дырочные пары.

Электроны, генерируемые в p-слое вблизи p-n-перехода, подходят к p-n-переходу и существующим в нем электрическим полем выносятся в n-область.

частично переносятся в p-слой (рис. а). В результате n-слой

приобретает дополнительный отрицательный заряд, а p-слой – положительный. Снижается первоначальная контактная разность потенциалов между p- и n-слоями полупроводника, и во внешней цепи появляется напряжение (рис. б). Отрицательному полюсу источника тока соответствует n-слой, а p-слой – положительному.

момент освещения; б) - изменение зонной модели под действием

постоянного освещения и возникновение фотоЭДС

и В образовали электронно-дырочные пары аа' и bb'. Электрон

c и дырка с', образованные предыдущим фотоном, движутся к контактам солнечного элемента. Электроны d, e, f и g перемещаются по внешней цепи, образуя электрический ток;
б — дырка, образованная фотоном А, прошла через переход и направляется к положительному контакту. Электрон, образованный фотоном В, также прошел через переход и движется к отрицательному контакту Электрон с перешел из полупроводника в проводник. Электрон g перешел в полупроводник и рекомбинировал с дыркой с'.

и характеристики фотоэлемента

1) Интегральная чувствительность – отношение фототока к вызывающему его световому потоку. Для определения этой чувствительности используют, как правило, эталонные источники света.
2) Спектральная чувствительность – величина, определяющая диапазон значений длин волн оптического излучения, в котором практически возможно использовать данный фотоэлемент
3) Вольтамперная характеристика – зависимость фототока от напряжения на фотоэлементе при постоянном значении светового потока.
4) Кпд, или коэффициент преобразования солнечного излучения – отношение электрической мощности, развиваемой фотоэлемента в номинальной нагрузке к падающей световой мощности.

солнечные батареи обычно выполняют в виде плоской панели из

солнечных элементов, защищенных прозрачными покрытиями. Число этих элементов в батарее может достигать нескольких сотен тыс., площадь панели - десятков м2, генерируемая мощность - нескольких десятков КВт.
* Достоинства солнечных батарей - их простота, надёжность и долговечность, малая масса и миниатюрность солнечных элементов, генерирование энергии без загрязнения окружающей среды;
* Основной недостаток, ограничивающий развитие солнечной фотоэнергетики, - их пока ещё высокая стоимость.

занимают доминирующее положение среди др. источников автономного энергопитания. СБ

снабжают электроэнергией аппаратуру спутников и системы жизнеобеспечения космических кораблей и станций, а также заряжают электрохимические аккумуляторы, используемые на теневых участках орбиты.

устройств автоматики, переносных радиостанций и радиоприёмников, для катодной антикоррозионной

защиты нефте- и газопроводов. В Калифорнии суммарная мощность всех солнечных установок составляет 100 мегаватт и сравнима с мощностью небольшой атомной электростанции




Солнечные электростанции

и вентиляции зданий, небоскрёбов, опреснения воды, производства электроэнергии. Такие

устройства используются в различных технологических процессах.
Кроме традиционных кремниевых фотоэлементов, ученые разработали несколько новых технологий. Например, специалисты Института физической электроники при университете в городе Штутгарт (Германия) создали синтетические волокна, которые под воздействием света могут генерировать электрический ток. Его силы достаточно для питания многих маломощных устройств. Например, рубашка, сшитая из такого материала, может питать карманный компьютер, сотовый телефон или какой-либо другой прибор.