Слайд 2
О чем пойдет речь
Понятие флэш-памяти
Достоинства и недостатки
Типы
и принцип действия
Применение
История создания
Слайд 3
Флэш-память
Флэш-память (англ. flash memory) — разновидность твердотельной полупроводниковой
энергонезави-симой перезаписываемой памяти (ПППЗУ).
Слайд 4
Флэш-память. Достоинства
1. Срок хранения данных от 10 до
100 лет.
2. Наиболее распространенная флэш-память, выдержи-вает около 100 тысяч
циклов перезаписи — намного больше, чем способны выдержать диски CD-RW или DVD-RW (максимально около миллиона циклов)
Слайд 5
Флэш-память. Достоинства
3. Не содержит подвижных частей, так что,
в отличие от жёстких дисков, более надёжна.
4. Компактна, невысокая
стоимость, низкое энергопотребление
A
Слайд 6
Флэш-память. Недостатки
1. Высокое соотношение цена/объем
2. Скорость доступа
к данным меньше, чем
у жестких дисков.
Справедливости ради следует отметить,
что последние модели SSD-накопителей и по этому параметру уже вплот-ную приблизились к винчестерам. Однако, эти модели пока слишком дороги.
Слайд 7
Флэш-память.
Типы и принцип действия
Флэш-память хранит информацию в массиве
транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками (англ. cell).
Флэш-память
типа NOR
В основе этого типа флэш-памяти лежит ИЛИ-НЕ элемент (англ. NOR), потому что в транзисторе с плавающим затвором низкое напряжение на затворе обозначает единицу.
Слайд 8
Флэш-память.
Типы и принцип действия
Флэш-память типа NOR
Транзистор имеет два
затвора: управляющий и плавающий. Последний полностью изолирован и способен
удерживать электроны до 10 лет.
Программирование и чтение ячеек сильно различаются в энергопотреблении: устройства флэш-памяти потребляют достаточно большой ток при записи, тогда как при чтении затраты энергии малы.
Слайд 9
Флэш-память.
Типы и принцип действия
Флэш-память типа NAND
В основе NAND-типа
лежит И-НЕ элемент (англ. NAND). Принцип работы такой же,
от NOR-типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND-чипа может быть существенно меньше. Также запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.
Слайд 10
Флэш-память.
Типы и принцип действия
NAND и NOR-архитектуры сейчас существуют
параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят
применение в разных областях хранения данных.
Слайд 11
Флэш-память. Применение
Благодаря своей компактности, дешевизне и низ-кому энергопотреблению
Флэш-память широко используется в цифровых портативных устрой-ствах — фото-
и видеокамерах, диктофонах, MP3-плеерах, КПК, мобильных телефонах, а также смартфонах и коммуникаторах. Кроме того, она используется для хранения встроенного програм-много обеспечения в различных устройствах (маршрутизаторах, мини-АТС, принтерах, сканерах, модемax), различных контроллерах.
Слайд 12
Флэш-память. Применение
В последнее время широкое распространение получили USB
флэш-накопители («флэшка», USB-драйв, USB-диск), практически вытеснившие CD.
Слайд 13
Флэш-память. Применение
В USB флэш-накопителях в основном применяет-ся NAND-тип
памяти, которая подключается через USB. Данный интерфейс поддерживается всеми
современными операционными системами.
Слайд 14
Флэш-память. Применение
На флэш-памяти также основываются карты памя-ти, такие
как Secure Digital (SD) и Memory Stick, которые активно
применяются в портативной тех-нике (фотоаппараты, мобильные телефоны). Флэш-память занимает большую часть рынка переносных носителей данных.
Слайд 15
Флэш-память. Применение
NOR-тип памяти чаще применяется в BIOS и
ROM-памяти устройств, таких, как DSL-модемы, маршрутизаторы и т. д.
Флэш-память позволяет легко обновлять прошивку устройств, при этом скорость записи и объём для таких устройств не так важны.
Слайд 16
Флэш-память. Применение
Сейчас активно рассматривается возможность замены жёстких дисков
на флэш-память. Но на данный момент жесткие диски обладают
неоспоримыми преимущества-ми перед флэш-устройствами (применение флэш-памяти ограничивает высокая цена и меньший срок службы, чем у жёстких дисков, из-за ограниченного количества циклов перезаписи). Разумная и оправданная замена жесткого диска на флэш-память пока возможна только в недорогих устройствах, где нет повышенных требований к долговечности, скорости работы и большому объему записываемой информации.
Слайд 17
Флэш-память. История
Флэш-память была изобретена инженером компании Toshiba Фудзио
Масуокой в 1984 году. Название «флэш» было придумано также
в Toshiba коллегой Фудзио, Сёдзи Ариидзуми, потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash).
Слайд 18
Флэш-память. История
Масуока представил свою разработку на IEEE
1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-Франциско,
Калифорния. Intel увидела большой потенциал в изобретении и в 1988 году выпустила первый коммерческий флэш-чип NOR-типа.