Презентация на тему Нові технології в комп'ютерному світі

покоління Skylake

які будуть розроблені Intel в якості наступника сучасних архітектур.

Skylake буде створений по 14 нм процесу.

напівпровідникових (н/п) виробів і матеріалів, що складається з послідовності

технологічних (обробка, складання) та контрольних операцій, частина виробничого процесу виготовлення н/п виробів (транзисторів, діодів тощо).

графічних процесорів (RAM), яка володіє мікросхеми пам'яті вертикально, подібно

поверхах в будівлі. Це сприяє скороченню відстані передачі інформації. Засобом з'єднання таких споруд з центральним або графічним процесором служить надшвидкий інтерпозер. Кілька «стопок» пам'яті HBM підключаються до інтерпозеру разом з центральним або графічним процесором, і цей модуль з'єднується з схемноюінтерпретацією платою.

стандарти і спонукає всю галузь розсовувати межі можливого. Пам'ять

з високою пропускною здатністю стала черговим пунктом у величезному списку досягнень компанії, який охоплює процесори, відеокарти, сервери і багато іншого.

специфікаціями, але оперативна пам'ять має перевагою в часі. DDR

SDRAM був запущений в 2000 році і пройшло три роки, перед приходом в 2003 році DDR2 SDRAM. Час DDR2 тривало чотири роки, в 2007 році її замінила DDR3 SDRAM. З тих пір вона вже сім років без змін, але запуск DDR4 здійснився.

але трохи вище приблизно на 9 мм. Різниця між

DDR3 і DDR4 в тому, що DDR4 використовує 288 контактів у порівнянні з 240 на DDR3 і ключ знаходиться в іншому місці.

Безліч косметичних змін, але чотири основні поліпшення DDR4 SDRAM:
Більш низька робоча напруга
Збільшення енергозбереження
Збільшення частоти
Ущільнення мікросхем

за деякими прогнозами, вже до кінця 2015 року DDR4

повинна перехопити значну частину ринку у DDR3.

світлодіод, випромінюючий електролюмінісцентний шар якого складається з плівки органічної

суміші. Цей шар зазвичай включає у себе полімерні речовини, які дозволяють органічним складовим бути як слід депонованими. Вони розташовуються у так званих рядках та стовпчиках за площею підкладки простим процесом «друку». У результаті отримуємо матрицю з пікселів.

люмінесцентному шарі органічного напівпровідника, в який із двох електродів

інжектуються електрони й дірки. В межах люмінесцентного шару електрони й дірки рекомбінують, утворюючи екситони, частина з яких гине, випромінюючи фотон.

Електрод із малою роботою виходу, який інжектує електрони.
Шар органічного напівпровідника, з високою провідністю для електронів.
Рекомбінація електрона й дірки, з утворенням екситона й випромінювання кванта світла.
Шар органічного напівпровідника, з високою провідністю для дірок.
Прозорий електрод, звідки інжектуються дірки.

низьке енергоспоживання при тій же яскравості
можливість створення гнучких екранів

необхідності в підсвічуванні
великі кути огляду — зображення видно без

втрати якості з будь-якого кута
миттєвий відгук (на кілька порядків вище, ніж у LCD) — власне повна відсутність інерційності
висока контрастність
можливість створення гнучких екранів
великий діапазон робочих температур (від-40 до +70 ° C[1])

років)
як наслідок першого, неможливість створення довговічних повноцінних Truecolor дисплеїв
дорожнеча

технології по створенню великих матриць

бути не менше 15 тис. годин. Одна проблема, яка

останнім часом перешкоджає широкому поширенню цієї технології в моніторах та телевізорах, полягає в тому, що «червоний» OLED і «зелений» OLED можуть безперервно працювати на десятки тисяч годин довше, ніж «синій» OLED. Це візуально спотворює зображення, причому час якісного показу неприйнятно для комерційно життєздатного пристрою. Хоча сьогодні «синій» OLED таки дістався позначки в 17,5 тис. годин (приблизно 2 роки) безперервної роботи.