- Главная
- Разное
- Бизнес и предпринимательство
- Образование
- Развлечения
- Государство
- Спорт
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Религиоведение
- Черчение
- Физкультура
- ИЗО
- Психология
- Социология
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Что такое findslide.org?
FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.
Обратная связь
Email: Нажмите что бы посмотреть
Презентация на тему Схемо- и системотехника электронных средств
Содержание
- 2. ИЕРАРХИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ© КРИВИН Н.Н. 2017I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС
- 3. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС© КРИВИН Н.Н.
- 4. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС© КРИВИН Н.Н.
- 5. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС© КРИВИН Н.Н. 2017ТРАНЗИСТОРЫ
- 6. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС© КРИВИН Н.Н. 2017ТРАНЗИСТОРЫ
- 7. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭСОПРЕДЕЛЕНИЕ ТРАНЗИСТОР –
- 8. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭСКЛАССИФИКАЦИЯ ПО ОСНОВНОМУ
- 9. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭСКЛАССИФИКАЦИЯ ПО СТРУКТУРЕ© КРИВИН Н.Н. 2017ТРАНЗИСТОРЫ
- 10. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭСКЛАССИФИКАЦИЯ ПО СТРУКТУРЕ© КРИВИН Н.Н. 2017ТРАНЗИСТОРЫ
- 11. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭСКЛАССИФИКАЦИЯ ПО ЧАСТОТЕ И МОЩНОСТИ© КРИВИН Н.Н. 2017ТРАНЗИСТОРЫ
- 12. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭСКЛАССИФИКАЦИЯ ПО ЧАСТОТЕ И МОЩНОСТИ© КРИВИН Н.Н. 2017ТРАНЗИСТОРЫ
- 13. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭСРЕЖИМЫ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО
- 14. Биполярные транзисторы n-p-n и p-n-p типаСтруктурная схема и условно-графическое обозначение
- 15. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭССХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ© КРИВИН Н.Н. 2017ТРАНЗИСТОРЫ
- 16. I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭССХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО p-n-p ТРАНЗИСТОРА© КРИВИН Н.Н. 2017ТРАНЗИСТОРЫ
- 17. Включение биполярного n-p-n транзистора по схеме с
- 18. Процессы, протекающие в транзисторе в активном режиме
- 19. - коэффициент передачи (усиления) тока эмиттера- коэффициент передачи (усиления) тока базы
- 20. Схемы включения БТОЭобладает высоким усилением как по
- 21. Параметры биполярного транзисторасобственные(первичные, физические)вторичныехарактеризуют свойства самого транзистора различны для различных схем включения
- 22. Удобство физических параметров заключается в том, что
- 23. Характеристики БТ как четырехполюсника.
- 24. Если на постоянные составляющие токов и напряжений
- 25. Эквивалентные схемы замещения транзисторовРазличают:Физическую Т-образную эквивалентную схему,формальные
- 26. Эквивалентная схема транзистора для системы r-параметров Система r-параметров
- 27. – входное сопротивление транзистора в режиме ХХ
- 28. Эквивалентная схема для g-параметров Система g-параметров
- 29. – входная проводимость транзистора при КЗ
- 30. Следует особо подчеркнуть, что
- 31. Система h-параметровСистема h-параметров используется как комбинированная система
- 32. Эквивалентная схема для h-параметров
- 34. Способы получения h- параметров Основное достоинство
- 35. Сводные значения h-параметров для различных схем включения
- 36. ВАХ транзистора существенно нелинейны. Значение h-параметров зависит
- 37. – коэффициент обратной связи при ХХ
- 38. h-параметры БТ как четырехполюсника.
- 39. Характеристики БТ как четырехполюсника.Поскольку транзистор имеет три
- 40. h - параметры можно определить с помощью
- 41. Т-образная эквивалентная схема транзистора При ХХ на
- 42. rб- объемное сопротивление базыrк –дифф. сопротивление перехода
- 43. При ХХ на входе Учитывая, что rэ
- 44. Физическая Т-образная эквивалентная схема с ОБТок эмиттера
- 45. Связь h-параметров биполярного транзистора с дифференциальными параметрами
- 46. Учитывая, что
- 47. Коэффициент обратной связи по напряжению при ХХ на входе ( =0) :
- 48. Сравнение h-параметров для различных схем включения транзистора
- 49. Физические Т-образные эквивалентные схемы транзистора представляют собой
- 50. UmБЭ = h11Э ImБ + h12Э UmКЭImК
- 51. h параметры схемы с общим эмиттеромh11Э
- 52. Формулы Эберса-МоллаОсновной моделью биполярного транзистора считается модель,
- 53. Схема замещения Эберса-Молла (пример для p-n-p транзистора)
- 54. Расчет модели Эберса-Молла
- 55. Продолжение расчета
- 56. Окончательные формулы
- 57. В npn-транзисторе:
- 58. Статические характеристики биполярных транзисторовСтатический режим работы транзистора
- 59. статический коэффициент передачи IЭ или : статический
- 60. Переход ЭБ включен в прямом направлении (прямая
- 61. Переход БК включен в обратном направлении
- 62. UкэIэ = Iк + IбВходная характеристика
- 63. Коллекторная характеристика Iк = ƒ(Uкэ,Iб), (Iб- параметр)Iкэо
- 64. Простейший усилительный каскад на транзисторе, включенном по
- 65. Иллюстрация работы усилительного каскада с ОЭ
- 66. Коэффициент усиления по току:илиВходное сопротивление:илиили- мощность рассеиваемая
- 67. Коэффициент усиления по напряжению:Коэффициент усиления по мощности:Коэффициент полезного действия:полная потребляемая мощность схемы
- 68. Схемы включения биполярного транзистораОЭОКОБ
- 70. Основные соотношения токов и напряжений в схеме
- 71. Графо-аналитический метод выбора рабочей точкиТок коллектора задается
- 72. Коэффициент усиления по току (высокий)Входное сопротивление (высокое)Выходное
- 73. Схема с общим коллекторомКоэффициент передачи по току (высокий)Коэффициент усиления по напряжению (низкий)Входное сопротивление (высокое)Выходное сопротивление (низкое)
- 74. Схема с общей базойВходное сопротивление (низкое)Выходное сопротивление (высокое)Коэффициент передачи по току (низкий)Коэффициент усиления по напряжению (высокий)
- 75. Сравнительные характеристики схем
- 76. Принцип усиления напряжения в схеме с ОЭ
- 77. Режим линейного усиления
- 78. Нелинейное усиление
- 79. Схема смещения фиксированным током базыС помощью дополнительного
- 80. Схема смещения фиксированным напряжением база-эмиттер
- 81. Стабилизация рабочей точки в схеме с ОЭ
- 82. Стабилизация рабочей точки в схеме с ОЭЗадаются токи покоя
- 83. Параметры каскадаВходное сопротивлениеКоэффициент усиленияВыходное сопротивление
- 84. Транзисторный усилительУсилительИсточник питанияПомехиИсточник сигналаНагрузка усилителяОбщая структурная схема
- 85. Общая структурная схема усилителяТребования к усилителю: процесс усиления должен быть непрерывным, линейным, однозначным.Параметры усилителяКоэффициенты усиления:Частотный коэфф.усиления
- 86. Частотный коэффициент усиленияАмплитудная характеристикаХарактерные параметры усилителейМаксимальные частоты
- 87. Принципиальная схема усилителя с ОЭРасчет
- 88. Расчет по постоянному току (напряжениям)- статический режим.Цель-
- 89. Iб Uбэ Uкэ0 0 Iб
- 90. 2. Расчет по переменным токам и напряжениям-
- 91. h21·Iвхh22IвыхUвыхВыходная цепь транзистораСхема замещения
- 92. Оценим значения параметров усилителяПараметры схемы: Rн =
- 93. Методы стабилизации положения РТ транзисторных усилителей
- 94. Изменение тока эмиттера IЭ0 Изменение положения рабочей
- 95. Используется несколько схем стабилизации: -
- 96. Дифференциальный усилитель (ДУ)Мостовая схема включения транзисторов с
- 97. Принципиальная схемаСхема включения транзистора с ОК. Эмиттерный повторительRб1RэЕсRсС1 С2СфRнVTIнIбUвых~
- 98. Параметры схемы с ОКВходное сопротивлениеВыходное сопротивлениеУсиление по токуУсиление по напряжениюУсиление по мощности
- 99. Характеристики ОКОК имеет следующие особенности:высокое входное сопротивление
- 100. Домашнее задание до 27 сентябряСТАРОЕХабловски И., Скулимовски
- 101. Домашнее задание до 27 сентябряТЕКУЩЕЕКонспект типа «вопрос-ответ»
- 102. Индивидуальное задание на ноябрь-декабрьОбзорные рефераты на темы«САПР
- 103. Скачать презентацию
- 104. Похожие презентации
ИЕРАРХИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ© КРИВИН Н.Н. 2017I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС
Слайд 3
I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС
© КРИВИН Н.Н. 2017
АЛГОРИТМ
ИЗУЧЕНИЯ НОВОГО ДЛЯ ВАС ЭЛЕКТРОРАДИОЭЛЕМЕНТА
Определение
!
Классификация
Назначение (функция) и области применения
Основные
параметры и их расчетные формулыОтличительные особенности работы в экстремальных режимах эксплуатации
Внешний вид
Принцип работы (ФЭ)
Условно-графическое и позиционное обозначения
Маркировка и кодировка номиналов
Эквивалентные схемы и схемы замещения
Типовая схема включения, примеры использования в схемах различных ФУ
Слайд 4
I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС
© КРИВИН Н.Н. 2017
ИСТОЧНИКИ
ТЕХНИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ ПО ЭЛЕКТРОРАДИОЭЛЕМЕНТАМ
НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ДОКУМЕНТАЦИЯ ПО ЭЛЕКТРОННЫМ ПРИБОРАМ
!
ГОСТ, ОСТ,
ТУ, ФОРМУЛЯР, ПАСПОРТ, ЭТИКЕТКА, ИНСТРУКЦИИ ПО МОНТАЖУ, НАЛАДКЕ, РЕГУЛИРОВКЕ…РУКОВОДСТВА ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ (ПРИМЕНЕНИЮ) ОТ
ЗАВОДА-ПРОИЗВОДИТЕЛЯ (DATASHEET)
СПЕЦИАЛЬНЫЕ СПРАВОЧНИКИ ПО НОМЕНКЛАТУРЕ ЭРЭ
СПЕЦИАЛЬНЫЕ СПРАВОЧНИКИ ПО ТЕХНИЧЕСКИМ И ЭКСПЛУАТАЦИОННЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ ЭРЭ
ОТРАСЛЕВЫЕ ЖУРНАЛЫ
СПЕЦИАЛЬНЫЕ ПОДПИСНЫЕ ПЕРИОДИЧЕСКИЕ ИЗДАНИЯ
Слайд 7
I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС
ОПРЕДЕЛЕНИЕ
ТРАНЗИСТОР – радиоэлектронный компонент
из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный с помощью небольшого
входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
© КРИВИН Н.Н. 2017
ТРАНЗИСТОРЫ
Слайд 8
I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС
КЛАССИФИКАЦИЯ ПО ОСНОВНОМУ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМУ
МАТЕРИАЛУ*
© КРИВИН Н.Н. 2017
ТРАНЗИСТОРЫ
*МРБ 1190 А.И.Аксенов, А.В.Нефедов. Элементы схем
БРА. Диоды. Транзисторы 1992НАПРИМЕР:
КРЕМНИЕВЫЕ (КТ315А; 2Т312; КП303)
ГЕРМАНИЕВЫЕ (ГТ313Б; 1Т313А; )
АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЕ (3П325)
Слайд 11
I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС
КЛАССИФИКАЦИЯ ПО ЧАСТОТЕ И
МОЩНОСТИ
© КРИВИН Н.Н. 2017
ТРАНЗИСТОРЫ
Слайд 12
I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС
КЛАССИФИКАЦИЯ ПО ЧАСТОТЕ И
МОЩНОСТИ
© КРИВИН Н.Н. 2017
ТРАНЗИСТОРЫ
Слайд 13
I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС
РЕЖИМЫ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
©
КРИВИН Н.Н. 2017
ТРАНЗИСТОРЫ
Активный режим — соответствует случаю, рассмотренному при
анализе усилительных свойств транзистора. В этом режиме прямо смещенным оказывается эмиттерный переход, а на коллекторном присутствует обратное напряжение. Именно в активном режиме транзистор наилучшим образом проявляет свои усилительные свойства. Поэтому часто такой режим называют основным или нормальным.Инверсный режим — полностью противоположен активному режиму, т.е. обратно смещенным является эмиттерный переход, а прямо смещенным — коллекторный. В таком режиме транзистор также может использоваться для усиления. Однако из-за конструктивных различий между областями коллектора и эмиттера усилительные свойства транзистора в инверсном режиме проявляются гораздо хуже, чем в режиме активном. Поэтому на практике инверсный режим практически не используется.
Режим насыщения (режим двойной инжекции) — оба перехода транзистора находятся под прямым смещением. В этом случае выходной ток транзистора не может управляться его входным током, т.е. усиление сигналов невозможно. Режим насыщения используется в ключевых схемах, где в задачу транзисторов входит не усиление сигналов, а замыкание/размыкание разнообразных электрических цепей.
Режим отсечки — к обоим переходам подведены обратные напряжения. Такой режим также используется в ключевых схемах. Поскольку в нем выходной ток транзистора практически равен нулю, то он соответствует размыканию транзисторного ключа.
Слайд 14
Биполярные транзисторы n-p-n и p-n-p типа
Структурная схема и
условно-графическое обозначение
Слайд 15
I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС
СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
©
КРИВИН Н.Н. 2017
ТРАНЗИСТОРЫ
Слайд 16
I. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СХЕМОТЕХНИКИ ЭС
СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО p-n-p
ТРАНЗИСТОРА
© КРИВИН Н.Н. 2017
ТРАНЗИСТОРЫ
Слайд 17
Включение биполярного n-p-n транзистора по схеме с ОЭ
Включение
биполярного n-p-n транзистора по схеме с ОК
Включение биполярного n-p-n
транзистора по схеме с ОБ
Слайд 20
Схемы включения БТ
ОЭ
обладает высоким усилением как по напряжению,
так и по току. У нее самое большое усиление
по мощности. Это самая распространенная усилительная схемаусиливает напряжение (примерно, как и схема с ОЭ), но не усиливает ток. Схема находит применение в усилителях ВЧ и СВЧ. Схема с ОБ не дает значительного усиления, но обладает хорошими частотными и температурными свойствами. Применяется не так часто, как схема с ОЭ. Коэффициент усиления по току схемы с ОБ всегда немного меньше еденицы:
Эмиттерный повторитель: не усиливает напряжение, но усиливает ток. Основное применение – согласование сопротивлений источника сигнала и низкоомной нагрузки. Входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь.
ОБ
ОК
Слайд 21
Параметры биполярного транзистора
собственные
(первичные, физические)
вторичные
характеризуют свойства самого транзистора
различны
для различных схем включения
Слайд 22 Удобство физических параметров заключается в том, что они
позволяют наглядно представить влияние конструктивно- технологических параметров транзистора на
его эксплуатационные характеристики.Так, например, уменьшение степени легирования базы или ее толщины должны приводить к росту rб и, соответственно, к увеличению обратной связи в транзисторе.
К недостаткам физических параметров следует отнести то, что их нельзя непосредственно измерить и значения для них получают пересчетом из других параметров.
!
Слайд 24 Если на постоянные составляющие токов и напряжений наложены
достаточно малые сигналы переменного напряжения u или тока i,
то их амплитуды (или действующие значения) можно рассматривать как малые приращения постоянных составляющих.В зависимости от того, какие из этих параметров выбраны в качестве входных, а какие в качестве выходных, можно построить три системы формальных параметров транзистора как четырехполюсника.
Это системы r-параметров (Z), g-параметров (Y) и h-параметров.
Характеристики БТ как четырехполюсника.
Слайд 25
Эквивалентные схемы замещения транзисторов
Различают:
Физическую Т-образную эквивалентную схему,
формальные модели
в h-параметрах, Y-параметрах, Z-параметрах.
Эквивалентные схемы необходимы для
проведения анализа и синтеза электро- и радиотехнических схемРассматриваемые далее эквивалентные схемы можно использовать при условии, что:
транзистор работает в линейном режиме,
изменения токов и напряжений малы по амплитуде,
нелинейные ВАХ можно заменить линейными,
параметры транзистора в общем случае являются дифференциальными.
Слайд 27 – входное сопротивление транзистора в режиме ХХ в
выходной цепи.
– сопротивление обратной связи в режиме ХХ во
входной цепи.– сопротивление прямой передачи сигнала, измеренное в режиме ХХ в выходной цепи.
– выходное сопротивление транзистора, измеренное в режиме ХХ во входной цепи.
Описание r-параметров
Слайд 29 – входная проводимость транзистора при КЗ на
выходе.
– проводимость обратной передачи при КЗ на входе.
– проводимость прямой передачи, которая характеризует влияние входного напряжения на выходной ток при КЗ на выходе. – выходная проводимость транзистора при КЗ на входе.
Описание g-параметров
Слайд 30 Следует особо подчеркнуть, что
, так как r- параметры измеряются в
режиме ХХ, а g–параметры – в режиме КЗ на входе и выходе транзистора.Поскольку при измерениях задаются напряжения, необходимо осуществлять режим генератора напряжения, т.е. сопротивление генератора на частоте сигнала должно быть много меньше входного или выходного сопротивления транзистора.
Слайд 31
Система h-параметров
Система h-параметров используется как комбинированная система из
двух предыдущих, причем из соображений удобства измерения параметров биполярного
транзистора выбирается режим короткого замыкания на в (u2=0) и режим холостого хода на входе (i1=0).Поэтому для системы h-параметров в качестве входных параметров задаются ток i1 и напряжение u2, а в качестве выходных параметров рассчитываются ток i2 и напряжение u1, U1 = f1(I1, U2), I2 = f2(I1, U2).
Слайд 34
Способы получения h- параметров
Основное достоинство
h-параметров состоит в том, что их можно получить экспериментально:
прямым измерением на основе вольт-амперных характеристик.Входные характеристики ОЭ
Выходные характеристики ОЭ
Слайд 36 ВАХ транзистора существенно нелинейны. Значение h-параметров зависит от
точки ВАХ, в которой они определяются.
Значения h-параметров зависят от
температуры и приводятся в справочной литературе.Значение h-параметров зависит от схемы включения транзистора. В справочной литературе приводятся таблицы переводов из одной системы параметров h- в другие системы (Z-, Y-) и для схем включения транзистора ОБ и ОЭ.
Выводы
Слайд 37 – коэффициент обратной связи при ХХ во
входной цепи.
– коэффициент прямой передачи тока при КЗ
на выходе. – выходная проводимость при ХХ во входной цепи транзистора.
– входное сопротивление при КЗ на выходе.
Описание h-параметров
Слайд 39
Характеристики БТ как четырехполюсника.
Поскольку транзистор имеет три электрода
и используется как четырехполюсник, то один из его электродов
является общим для входной и выходной цепи. При этом значения h-параметров отличаются в зависимости от схемы включения биполярного транзистора: hб для схемы с общей базой или hэ для схемы с общим эмиттером.Слайд 40 h - параметры можно определить с помощью статических
характеристик методом измерения их на постоянных токе или напряжении.
Тогда роль малого переменного тока и напряжения будут играть малые приращения постоянных токов Iб, Iк, и напряжений Uк, Uб. Для схемы с общим эмиттером.В справочниках иногда указываются h-параметры для схемы с ОБ (hб), которые можно найти путем пересчета, если известны h-параметры для схемы с ОЭ (hэ):
Слайд 42
rб- объемное сопротивление базы
rк –дифф. сопротивление
перехода КБ
(обр. вкл)
rэ –дифф. сопротивление
перехода ЭБ (прямое вкл.)
-
+
-
+
Для эквивалентной
схемы по постоянному току необходимо в исходной схеме заменить дифференциальные сопротивления на соответствующие статические и удалить конденсатор.Iэ = Iк + Iб
Физическая Т-образная эквивалентная схема с ОЭ
Ток базы является управляющим, ток коллектора – управляемым.
Слайд 44
Физическая Т-образная эквивалентная схема с ОБ
Ток эмиттера является
управляющим,
ток коллектора – управляемым.
rб- объемное сопротивление
базы
rк –дифф.
сопротивление перехода КБ (обр. вкл)
rэ –дифф. сопротивление
перехода ЭБ (прямое вкл.)
-
+
-
+
Для эквивалентной схемы по постоянному току необходимо в исходной схеме заменить дифференциальные сопротивления на соответствующие статические и удалить конденсатор.
Iэ = Iк + Iб
Слайд 45 Связь h-параметров биполярного транзистора с дифференциальными параметрами на
примере схемы с ОБ
– входное сопротивление при коротком замыкании
на выходе. Полагая в эквивалентной схеме выходное напряжение Uкб=0 и считая заданным входной ток эмиттера найдем напряжение на входе:
Слайд 46 Учитывая, что
,
Входное сопротивление:
Найдем с помощью второго
уравнения Кирхгофа для коллекторной цепи, полагая заданным входной ток :Слайд 49 Физические Т-образные эквивалентные схемы транзистора представляют собой электротехнические
цепи, состоящие из пассивных элементов и источников тока. К
ней применимы все законы электротехники для анализа и синтеза цепей.Наличие в эквивалентных схемах конденсаторов указывает на то, что характеристики транзистора являются частотно-зависимыми.
Во многих случаях сквозными токами коллектор-база и коллектора эмиттер можно пренебречь.
Недостаток эквивалентных схем заключается в том, что сопротивления (r-параметры) можно получить только теоретическим путем.
Выводы
Слайд 50
UmБЭ = h11Э ImБ + h12Э UmКЭ
ImК =
h21Э ImБ + h22Э UmКЭ
Эквивалентная схема БТ с ОЭ
система h-параметров
Слайд 51
h параметры схемы с общим эмиттером
h11Э =
UБЭ/IБ, при UКЭ = const:
входное сопротивление транзистора переменному току
при отсутствии выходного переменного напряжения.h12Э = UБЭ/UКЭ, при IБ = const:
коэффициент обратной связи по напряжению – доля выходного переменного напряжения передаваемая
на вход транзистора вследствие обратной связи в нем.
h21Э = IК/IБ, при UКЭ = const:
коэффициент усилия по току – усиление переменного
тока транзистором при работе без нагрузки.
h22Э = IК/UКЭ, при IБ = const:
выходная проводимость переменного
тока между коллектором и эмиттером.
Выходное сопротивление RВЫХ = 1/h22Э.
Слайд 52
Формулы Эберса-Молла
Основной моделью биполярного транзистора считается модель, справедливая
для любых токов (как малых, так и больших) и
предложенная Дж.Дж. Эберсом и Дж.Л. Моллом в 1954 г., и поэтому носящая их имя.Эта модель построена на интерпретации работы транзистора как прибора на взаимодействующих pn-переходах для произвольного сигнала.
Слайд 58
Статические характеристики биполярных транзисторов
Статический режим работы транзистора –
режим работы при отсутствии нагрузки в выходной цепи.
Статические характеристики
связывают постоянные токи электродов с постоянными напряжениями на них- это графически выраженные зависимости напряжения и тока входной цепи и выходной цепи (вольтамперные характеристики ВАХ). Их вид зависит от способа включения транзистора.
Слайд 59 статический коэффициент передачи IЭ или : статический коэффициент
усиления по току
Статический коэффициент передачи тока базы :
Слайд 60 Переход ЭБ включен в прямом направлении (прямая ветвь
pn-перехода).
Uбк- определяет семейство характеристик Iэ = ƒ(Uэб) при
Uбк=const.Входная (эмиттерная) характеристика
Iэ = ƒ(Uэб,Uбк), (Uбк- задаваемый параметр)
0
Схема включения с общей базой
Слайд 61 Переход БК включен в обратном направлении (обратная
ветвь pn-перехода).
Iэ- определяет семейство характеристик Iк = ƒ(Uбк)
при Iэ=const.Наряду с этим
Выходная (коллекторная) характеристика
Iк = ƒ(Uбк,Iэ), (Iэ- задаваемый параметр)
Iк = α·Iэ, α < 1
0
Iэ1
Iэ2
Iэ3
Слайд 62
Uкэ
Iэ = Iк + Iб
Входная характеристика
Iб =
ƒ(Uбэ,Uкэ) , Uкэ -параметр Переход БЭ включен в прямом направлении
(прямая ветвь pn-перехода)Схема включения с общим эмиттером
При Uкэ > 0 ВАХ сдвигается вправо на величину так называемого порогового напряжения Uбэ.пор, различающегося у германиевых и кремниевых транзисторов.
Слайд 63
Коллекторная характеристика
Iк = ƒ(Uкэ,Iб), (Iб- параметр)
Iкэо -
сквозной ток транзистора в схеме ОЭ
Мощность рассеяния Рк
=UкIк < Рк.доп Рк.доп – допустимая мощность рассеяния коллекторной цепи.
Эта мощность выделяется в виде тепла.
Слайд 64 Простейший усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме
с ОЭ
Схема с ОЭ поворачивает фазу на 180
градусов. Фаза выходного напряжения в схеме с ОБ по отношению к входному не меняется.
Слайд 66
Коэффициент усиления по току:
или
Входное сопротивление:
или
или
- мощность рассеиваемая на
транзисторе (тепловой пробой Т).
(десятки-сотни).
(десятки-сотни Ом).
(сотни Ом – кОмы)
Выходное сопротивление:
Слайд 67
Коэффициент усиления по напряжению:
Коэффициент усиления по мощности:
Коэффициент полезного
действия:
полная потребляемая мощность схемы
Слайд 70 Основные соотношения токов и напряжений в схеме с
общим эмиттером (режим покоя)
- Коэффициент передачи (усиления) тока базы
-
Коэффициент передачи (усиления) тока эмиттера
Слайд 71
Графо-аналитический метод выбора рабочей точки
Ток коллектора задается величиной
сопротивления нагрузки (коллектора).
Положение рабочей точки определяется током базы, который
можно задатьподачей смещения на базу .
Слайд 72
Коэффициент усиления по току (высокий)
Входное сопротивление (высокое)
Выходное сопротивление
(высокое)
Схемы включения биполярных
транзисторов.Схема с общим эмиттером
Коэффициент усиления по напряжению (высокий)
Входное сопротивление транзистора
в схеме с ОЭ(приводится в паспорте)
Слайд 73
Схема с общим коллектором
Коэффициент передачи по току (высокий)
Коэффициент
усиления по напряжению (низкий)
Входное сопротивление (высокое)
Выходное сопротивление (низкое)
Слайд 74
Схема с общей базой
Входное сопротивление (низкое)
Выходное сопротивление (высокое)
Коэффициент
передачи по току (низкий)
Коэффициент усиления по напряжению (высокий)
Слайд 76 Принцип усиления напряжения в схеме с ОЭ в
динамическом режиме
а
б
в
г
Работа транзистора с нагрузкой называется динамическим режимом
Каскад с
ОЭ инвертирует входной сигнал
Слайд 79
Схема смещения фиксированным током базы
С помощью дополнительного резистора
в цепи базы задается ток
смещения базы и фиксируется
рабочая точкаТаким образом, ток базы определяется фиксированными величинами
напряжения источника питания и сопротивления резистора
Слайд 84
Транзисторный усилитель
Усилитель
Источник питания
Помехи
Источник сигнала
Нагрузка усилителя
Общая структурная схема усилителя
Источник
сигнала – например, микрофон,
Нагрузка усилителя – например, динамики
Источник питания
– батарея, аккумуляторПомехи – воздействие температуры, ЭМ-наводки
Слайд 85
Общая структурная схема усилителя
Требования к усилителю: процесс усиления
должен быть непрерывным, линейным, однозначным.
Параметры усилителя
Коэффициенты усиления:
Частотный коэфф.
усиления
Слайд 86
Частотный коэффициент усиления
Амплитудная характеристика
Характерные параметры усилителей
Максимальные частоты
до 100 ГГц
Выходная мощность до 100 Вт
К.п.д. 80-95%
1 (0
дБ)
Слайд 87
Принципиальная схема усилителя с ОЭ
Расчет усилителя
производится в 2 этапа
Расчет по постоянному току (напряжениям)- статический
режим.Расчет по переменным токам и напряжениям- динамический режим.
Слайд 88
Расчет по постоянному току (напряжениям)- статический режим.
Цель- определить
рабочую точку для постоянных токов и напряжений.
В схеме
усилителя все конденсаторы заменяются на разрыв цепи.Для цепи постоянного тока рабочая точка находится из входных и выходных характеристики транзистора (базовая и коллекторная ВАХ).
Коллекторная характеристика Iк = ƒ(Uкэ, Iб), (Iб- параметр)
Определили РТ для выходной характеристики,
переход к определению РТ для входных характеристик
А)
Слайд 89
Iб
Uбэ
Uкэ0
0
Iб =
ƒ(Uбэ,Uкэ) , Uкэ -параметр
Б)
Входная характеристика
РТ
Все рабочие точки в статическом
режиме определены.Переход к определению параметров динамического режима.
Делитель
напряжения.
Схема с фиксированным
напряжением базы
Слайд 90 2. Расчет по переменным токам и напряжениям- динамический
режим.
Цель- определить коэффициенты усиления (тока, напряжения, мощности) для переменных
(усиливаемых) токов и напряжений. В схеме усилителя все конденсаторы заменяются на короткое замыкание участка цепи.
Для цепи переменного тока характеристики усилителя находятся из h-параметров после преобразования схемы усилителя.
Входная цепь транзистора
Схема замещения
Слайд 92
Оценим значения параметров усилителя
Параметры схемы:
Rн = ∞ (нагрузка
отключена
холостой ход),
h11 = 100 Oм,
h21 =β = 100.
Rк
= 1000 Ом Параметры транзистора:
Слайд 93
Методы стабилизации положения РТ транзисторных усилителей
Под
действием внешних и внутренних дестабилизирующих факторов положение РТ может
измениться настолько, что транзистор окажется в нерабочей области.Дестабилизирующие факторы:
- основное влияние – изменение температуры (разогрев транзистора)
дрейф параметров элементов схемы,
дрейф напряжения источников питания
В частности, с повышением температуры транзистора его параметры изменяются таким образом, что приводят к увеличению тока коллектора и эмиттера. Для уменьшения этого влияния применяют специальные методы.
Слайд 94
Изменение тока
эмиттера IЭ0
Изменение положения
рабочей точки
(РТ)
Uвых
Uвых
t
t
РТ=const
РТ≠const
Дрейф рабочей точки на примере транзисторного усилителя
включенного по
схеме с ОЭ
Слайд 95
Используется несколько схем стабилизации:
- эмиттерная
стабилизация (обратная связь по току),
- коллекторная стабилизация (обратная связь
по напряжению),- термокомпенсация.
Схема с эмиттерной стабилизацией
Напряжение остается Uб
неизменным.
С повышением температуры T
ток Iк увеличивается,
увеличивается напряжение Uэ
Uб
Rб1
Rк
Iк
Uэ
Rб2
Iк ≈Iэ
+ Ек
Uбэ
Uэ = Rэ·Iк
Uбэ = Uб - Uэ
Iэ
В результате напряжение Uбэ = Uб - Uэ
уменьшается, что приводит к закрыванию транзистора и уменьшению тока коллектора Iк.
Отрицательная обратная связь по току
Слайд 96
Дифференциальный усилитель (ДУ)
Мостовая схема включения
транзисторов с ОЭ.
Симметричные плечи
В основе ДУ лежит идеальная симметрия обоих
плеч
моста, т. е. идентичность параметров транзисторов T1, Т2 и равенствосопротивлений Rк1, Rк2.
Uвх1=Uвх2=0
Uвых=0 при одновременном и одинаковом изменении токов в обоих плечах. В идеальном ДУ дрейф выходного напряжения отсутствует, однако возможен дрейф РТ в каждом Т1, Т2 .
2. Uвх1=Uвх2 =Ucф– синфазные напряжения
Iк1=Iк2, Uк1=Uк2, Uвых=0
3. Uвх1= - Uвх2=Uдиф – противофазные (дифференциальные) напряжения
Iк1=-Ik2, Uк1=-Uк2, Uвых=Uк1-Uк2
Rэ
Uвх1
Uвх2
Uдиф
Ucф
ΔU
ΔU
t
Rвх≈2h11
Rвых≈2(Rк1+ Rк2)
Слайд 97
Принципиальная схема
Схема включения транзистора с ОК.
Эмиттерный повторитель
Rб1
Rэ
Ес
Rс
С1
С2
Сф
Rн
VT
Iн
Iб
Uвых
~
Слайд 98
Параметры схемы с ОК
Входное сопротивление
Выходное сопротивление
Усиление по току
Усиление
по напряжению
Усиление по мощности
Слайд 99
Характеристики ОК
ОК имеет следующие особенности:
высокое входное сопротивление
малое
выходное сопротивление
коэффициент усиления по напряжению равен единице.
В
схеме с ОК транзистор является повторителем входного напряжения по амплитуде и по фазе - Эмиттерный повторитель Эмиттерный повторитель используется для согласования выходного сопротивления источника сигнала с нагрузкой.
Слайд 100
Домашнее задание до 27 сентября
СТАРОЕ
Хабловски И., Скулимовски В.
Электроника в вопросах и ответах (ГЛАВЫ 1-4)
Е. Айсберг. Транзистор?
Это очень просто!..4-е изд-е (Всю книгу!)Р. Сворень. Электроника. Шаг за шагом. (Первые 10 глав включительно до 206 стр)
Зорин А.Ю. УГО на электрических схемах (ВСЕ 16 ГЛАВ!)
Не забывайте вступать в группу https://vk.com/tusur_rkf2017
© КРИВИН Н.Н. 2017
Слайд 101
Домашнее задание до 27 сентября
ТЕКУЩЕЕ
Конспект типа «вопрос-ответ» по
контрольным вопросам темы «Резисторы» (смотри последний слайд)
Краткий конспект по
«Алгоритму изучения новых ЭРЭ» (см. слайд №6) по темам: Конденсаторы [МРБ 0573, 0832, 0861, 1079, 1203]
Катушки индуктивности [WIKI: Катушка индуктивности; МРБ 0031; coil32.ru]
3) Индивидуальные задания желающим по подготовке кратких сообщений для * и ** с презентациями (см. Табл. 5, лекция №4). (10-15 слайдов на 8-10 минут). Структура презентации – в соответствии с «Алгоритмом изучения новых ЭРЭ» с необходимым графическим материалом и указанием списка использованной литературы.
*Терморезисторы (термисторы) [Мэклин Э.Д., 1983]
Варисторы
*Фоторезисторы (болометры) [Боцанов Э.О., 1978]
Магниторезисторы
*Тензорезисторы [Клокова Н.П., 1990]
**Мемристоры
© КРИВИН Н.Н. 2017
Слайд 102
Индивидуальное задание на ноябрь-декабрь
Обзорные рефераты на темы
«САПР для
СиСПЭС» (включая СВЧ-схемотехнику и этап проектирования печатного узла) (к
1 ноября)«Современные методы инженерного творчества»
(к 4 декабря)
«Современные отрасли человеческой деятельности, требующие специалистов со знанием СиСЭС»
(к 11 декабря)
«Отечественные предприятия – разработчики и производители современной ЭКБ» (к 4 декабря)
© КРИВИН Н.Н. 2017
