Что такое findslide.org?

FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.


Для правообладателей

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Яндекс.Метрика

Презентация на тему Статистические распределения, металлы и полупроводники

Содержание

Микроскопические состоянияРазличные состояния, отвечающие одной и той же энергии, имеют различную вероятность. Разумеется, что изолированная система будет переходть из менее вероятного состояния в более вероятное. Более вероятное состояние реализуется большим количеством микросостояний.Классическое определение: микросостояние определено как
Статистические распределения, металлы и полупроводникиЛекция 8Весна 2012 г. Микроскопические состоянияРазличные состояния, отвечающие одной и той же энергии, имеют различную вероятность. μ – пространствоЭто пространство имеет шесть измерений: px, py, pz, x, y, μ – пространствоУказание распределения частиц системы по ячейкам μ – пространства и Макроскопические состояния. Статистический весМакроскопическое состояние термолинамической системы определяется макроскопическими параметрами: давлением, температурой Энтропияμ – пространство Величина, которая служит для характеристики вероятности макросостояний, называется энтропией. Энтропия – величина аддитивнаяДействительно, общий статвес двух подсистем равенПоэтому энтропия такой системы имеет вид Энтропия (продолжение)Энтропия для системы из n – подсистем: Второе начало термодинамикиЭнтропия изолированной системы может только возрастать либо по достижении максимального Сравнение статистических распределений Химический потенциал – μ.Это распределение Ферми – Дирака (фермионы) Для бозонов – распределение Бозе - Эйнштейна Распределение Максвелла – Больцмана. Распределение МаксвеллаДля классической частицы «Ионный микроскоп впервые снабдил человечество средством видеть атомы. Замечательное достижение, да еще Квантовая теория свободных электронов в металле. Электронный газ Пусть электроны движутся совершенно Металл как потенциальная яма. Уровень Ферми Распределение Ферми-Дирака для свободных электронов Энергия Ферми системы невзаимодействующих фермионов — это увеличение энергии основного состояния системы Физический смысл уровня Ферми: вероятность попадания частицы на уровень Ферми составляет 0,5 Энри́ко Фе́рми (итал. Enrico Fermi, в профессиональной речи физиков: Ферми́; 29 сентября Температура ФермиTF ≈ 60000 K для металлов Вырожденный электронный газT TF или kT >> εF – невырожденный электронный газ. Квантовая теория свободных электронов в металле. Электронный газ Пусть электроны движутся совершенно Поверхность ФермиИзоэнергетическая поверхность в k – пространстве (p=ħk)В случае свободных электронов поверхность Энергетические зоны в кристаллахВместо одного одинакового для всех N атомов уровня возникают Одномерная цепочка ионов Модель Кронига-Пенни Функции БлохаУравнение Шредингера имеет видЗдесь U – периодический потенциал: Феликс Блох (нем. Felix Bloch; 23 октября 1905, Цюрих — 10 сентября 1983, Цюрих)  Функции Блоха (продолжение)Функция uk имеет периодичность потенциала Зона БриллюэнаОбласть k-пространства, внутри которой энергия электрона в кристалле изменяется квазинепрерывно, называется зоной Бриллюэна. Квантовая теория электропроводностиУдельное электрическое сопротивление металлов:Складывается из примесного и колебательного.Дрейфовая скорость: Взаимодействие с кристаллической решеткой дает силу «трения» Fтр=−rvУравнение движения имеет вид:m* – Решение уравнения (2) имеет вид:vдр (0) – значение дрейфовой скорости в момент Теперь силу трения можно записать в виде Fтр=−(m*/τ)vдрВ устанавившемся режиме (dv/dt=0) уравнение Установившаяся плотность тока j равна произведению vдр, −e и n:С другой стороны, Сравним с классической формулойЗдесь τ/ - среднее время свободного пробега, m – Для диэлектриков ΔE >> kT; для полупроводников ΔE ~ kT Для нормальных – не вырожденных и чистых бездефектных полупроводников – вероятность перескока много меньше единицы, поэтому Примесные полупроводники Подвижность носителей тока: v = μ E Эффективная масса носителей токаАнализ движения электрона в периодическом поле кристалла под действием Сравнение этих двух формул дает выражение для эффективной массы носителей токаЭффективная масса носителей тока: Электропроводность собственных п/пэффективной массы Движение электронов и дырок в электрическом поле Температурная зависимость электропроводности п/пКонцентрация носителей тока в собственном п/п: Концентрация носителей тока Где С – слабо зависит от температуры (по сравнению Концентрация носителей тока Концентрация электронов в зоне проводимостиКонцентрация дырок в валентной зоне Зависимость концентрации носителей тока от температуры lnn Область истощения примеси
Слайды презентации

Слайд 2 Микроскопические состояния
Различные состояния, отвечающие одной и той же

Микроскопические состоянияРазличные состояния, отвечающие одной и той же энергии, имеют различную

энергии, имеют различную вероятность. Разумеется, что изолированная система будет

переходть из менее вероятного состояния в более вероятное. Более вероятное состояние реализуется большим количеством микросостояний.
Классическое определение: микросостояние определено как позиции и импульсы (моменты движения) каждого составляющего систему атома.

Слайд 3 μ – пространство
Это пространство имеет шесть измерений: px,

μ – пространствоЭто пространство имеет шесть измерений: px, py, pz, x,

py, pz, x, y, z.


Объем элементарной ячейки в этом

пространстве получается путем перемножения уравнений (1):

Слайд 4 μ – пространство
Указание распределения частиц системы по ячейкам

μ – пространствоУказание распределения частиц системы по ячейкам μ – пространства

μ – пространства и есть задание его микросостояния. Это

самое точное из возможных описаний термодинамической системы.

Слайд 5 Макроскопические состояния. Статистический вес

Макроскопическое состояние термолинамической системы определяется

Макроскопические состояния. Статистический весМакроскопическое состояние термолинамической системы определяется макроскопическими параметрами: давлением,

макроскопическими параметрами: давлением, температурой и т.п.
Каждому макроскопическому состоянию соответствует

множество микросостояний. Количество таких микросостояний Ω называется статистическим весом данного макросостояния.

Слайд 6 Энтропия
μ – пространство Величина, которая служит для характеристики

Энтропияμ – пространство Величина, которая служит для характеристики вероятности макросостояний, называется

вероятности макросостояний, называется энтропией. Эта величина является функцией состояния

термодинамической состемы. По определению


здесь k – постоянная Больцмана (k=1.38×10−23 Дж/K).

Слайд 7 Энтропия – величина аддитивная
Действительно, общий статвес двух подсистем

Энтропия – величина аддитивнаяДействительно, общий статвес двух подсистем равенПоэтому энтропия такой системы имеет вид

равен



Поэтому энтропия такой системы имеет вид


Слайд 8 Энтропия (продолжение)
Энтропия для системы из n – подсистем:

Энтропия (продолжение)Энтропия для системы из n – подсистем:

Слайд 9 Второе начало термодинамики
Энтропия изолированной системы может только возрастать

Второе начало термодинамикиЭнтропия изолированной системы может только возрастать либо по достижении

либо по достижении максимального значения оставаться постоянной (т.е. не

убывать).

Слайд 10 Сравнение статистических распределений

Сравнение статистических распределений

Слайд 11 Химический потенциал – μ.

Это распределение Ферми – Дирака

Химический потенциал – μ.Это распределение Ферми – Дирака (фермионы)

(фермионы)





Слайд 12 Для бозонов – распределение Бозе - Эйнштейна

Для бозонов – распределение Бозе - Эйнштейна

Слайд 13 Распределение Максвелла – Больцмана.

Распределение Максвелла – Больцмана.

Слайд 14 Распределение Максвелла
Для классической частицы

Распределение МаксвеллаДля классической частицы

Слайд 15 «Ионный микроскоп впервые снабдил человечество средством видеть атомы.

«Ионный микроскоп впервые снабдил человечество средством видеть атомы. Замечательное достижение, да

Замечательное достижение, да еще полученное с таким простым прибором»
Р.Фейнман


Слайд 21 Квантовая теория свободных электронов в металле. Электронный газ

Квантовая теория свободных электронов в металле. Электронный газ Пусть электроны движутся


Пусть электроны движутся совершенно свободно в пределах образца металла.

Тогда U = 0, а уравнение Шредингера имеет вид:




Решение уравнения (8) очевидно:

Слайд 22 Металл как потенциальная яма. Уровень Ферми

Металл как потенциальная яма. Уровень Ферми

Слайд 23 Распределение Ферми-Дирака для свободных электронов

Распределение Ферми-Дирака для свободных электронов

Слайд 26 Энергия Ферми системы невзаимодействующих фермионов — это увеличение

Энергия Ферми системы невзаимодействующих фермионов — это увеличение энергии основного состояния

энергии основного состояния системы при добавлении одной частицы. Что

эквивалентно химическому потенциалу системы в ее основном состоянии при абсолютном нуле температур. Энергия Ферми может также интерпретироваться как максимальная энергия фермиона в основном состоянии при абсолютном нуле температур.


Слайд 27 Физический смысл уровня Ферми: вероятность попадания частицы на

Физический смысл уровня Ферми: вероятность попадания частицы на уровень Ферми составляет

уровень Ферми составляет 0,5 при любых температурах.

Название дано в

честь итальянского физика Энрико Ферми.


Слайд 30 Энри́ко Фе́рми (итал. Enrico Fermi, в профессиональной речи

Энри́ко Фе́рми (итал. Enrico Fermi, в профессиональной речи физиков: Ферми́; 29

физиков: Ферми́; 29 сентября 1901, Рим — 28 ноября 1954,

Чикаго) 

Слайд 31 Температура Ферми
TF ≈ 60000 K для металлов

Температура ФермиTF ≈ 60000 K для металлов

Слайд 32 Вырожденный электронный газ
T

Вырожденный электронный газT TF или kT >> εF – невырожденный электронный газ.

εF – вырожденный электронный газ;
T >>TF или kT >>

εF – невырожденный электронный газ.


Слайд 33 Квантовая теория свободных электронов в металле. Электронный газ

Квантовая теория свободных электронов в металле. Электронный газ Пусть электроны движутся


Пусть электроны движутся совершенно свободно в пределах образца металла.

Тогда U = 0, а уравнение Шредингера имеет вид:




Решение уравнения (1) очевидно:

Слайд 34 Поверхность Ферми
Изоэнергетическая поверхность в k – пространстве (p=ħk)
В

Поверхность ФермиИзоэнергетическая поверхность в k – пространстве (p=ħk)В случае свободных электронов

случае свободных электронов поверхность описывается уравнением:





и имеет форму сферы



Слайд 36 Энергетические зоны в кристаллах
Вместо одного одинакового для всех

Энергетические зоны в кристаллахВместо одного одинакового для всех N атомов уровня

N атомов уровня возникают N очень близких, но не

совпадающих уровней: образуется энергетическая полоса или зона.

Слайд 37 Одномерная цепочка ионов

Одномерная цепочка ионов

Слайд 38 Модель Кронига-Пенни

Модель Кронига-Пенни

Слайд 39 Функции Блоха
Уравнение Шредингера имеет вид



Здесь U – периодический

Функции БлохаУравнение Шредингера имеет видЗдесь U – периодический потенциал:

потенциал:



Слайд 40 Феликс Блох (нем. Felix Bloch; 23 октября 1905, Цюрих —

Феликс Блох (нем. Felix Bloch; 23 октября 1905, Цюрих — 10 сентября 1983, Цюрих) 

10 сентября 1983, Цюрих) 


Слайд 41 Функции Блоха (продолжение)







Функция uk имеет периодичность потенциала

Функции Блоха (продолжение)Функция uk имеет периодичность потенциала

Слайд 44 Зона Бриллюэна
Область k-пространства, внутри которой энергия электрона в

Зона БриллюэнаОбласть k-пространства, внутри которой энергия электрона в кристалле изменяется квазинепрерывно, называется зоной Бриллюэна.

кристалле изменяется квазинепрерывно, называется зоной Бриллюэна.


Слайд 49 Квантовая теория электропроводности
Удельное электрическое сопротивление металлов:



Складывается из примесного

Квантовая теория электропроводностиУдельное электрическое сопротивление металлов:Складывается из примесного и колебательного.Дрейфовая скорость:

и колебательного.


Дрейфовая скорость:




Слайд 50 Взаимодействие с кристаллической решеткой дает силу «трения» Fтр=−rv
Уравнение

Взаимодействие с кристаллической решеткой дает силу «трения» Fтр=−rvУравнение движения имеет вид:m*

движения имеет вид:



m* – эффективная масса электрона. При отсутствии

внешнего электрического поля уравнение (1) имеет вид

Слайд 51 Решение уравнения (2) имеет вид:



vдр (0) – значение

Решение уравнения (2) имеет вид:vдр (0) – значение дрейфовой скорости в

дрейфовой скорости в момент выключения поля. Из (3) следует,

что время релаксации равно


Слайд 52 Теперь силу трения можно записать в виде Fтр=−(m*/τ)vдр
В

Теперь силу трения можно записать в виде Fтр=−(m*/τ)vдрВ устанавившемся режиме (dv/dt=0)

устанавившемся режиме (dv/dt=0) уравнение (1) можно записать в виде



Слайд 53 Установившаяся плотность тока j равна произведению vдр, −e

Установившаяся плотность тока j равна произведению vдр, −e и n:С другой

и n:




С другой стороны, из уравнения j=σE следует, что

удельная электропроводность равна

Слайд 54 Сравним с классической формулой



Здесь τ/ - среднее время

Сравним с классической формулойЗдесь τ/ - среднее время свободного пробега, m

свободного пробега, m – масса электрона (Друде, Лоренц)
τ/ ~1/

√T


Слайд 55 Для диэлектриков ΔE >> kT; для полупроводников ΔE

Для диэлектриков ΔE >> kT; для полупроводников ΔE ~ kT

~ kT


Слайд 57


Для нормальных – не вырожденных и чистых бездефектных

Для нормальных – не вырожденных и чистых бездефектных полупроводников – вероятность перескока много меньше единицы, поэтому

полупроводников – вероятность перескока много меньше единицы, поэтому


Слайд 60 Примесные полупроводники

Примесные полупроводники

Слайд 69 Подвижность носителей тока: v = μ E

Подвижность носителей тока: v = μ E

Слайд 71 Эффективная масса носителей тока
Анализ движения электрона в периодическом

Эффективная масса носителей токаАнализ движения электрона в периодическом поле кристалла под

поле кристалла под действием электрической силы F дает для

ускорения электрона выражение:





Здесь E(k) – полная энергия электрона, k – его волновой вектор.

Слайд 72 Сравнение этих двух формул дает выражение для эффективной

Сравнение этих двух формул дает выражение для эффективной массы носителей токаЭффективная масса носителей тока:

массы носителей тока
Эффективная масса носителей тока:


Слайд 73 Электропроводность собственных п/п
эффективной массы

Электропроводность собственных п/пэффективной массы

Слайд 74 Движение электронов и дырок в электрическом поле

Движение электронов и дырок в электрическом поле

Слайд 75 Температурная зависимость электропроводности п/п
Концентрация носителей тока в собственном

Температурная зависимость электропроводности п/пКонцентрация носителей тока в собственном п/п:

п/п:


Слайд 76 Концентрация носителей тока
Где С – слабо зависит

Концентрация носителей тока Где С – слабо зависит от температуры (по

от температуры (по сравнению с exp)
Эффективная плотность состояний в

зоне проводимости



Эффективная плотность состояний в валентной зоне


Слайд 77 Концентрация носителей тока
Концентрация электронов в зоне проводимости



Концентрация

Концентрация носителей тока Концентрация электронов в зоне проводимостиКонцентрация дырок в валентной зоне

дырок в валентной зоне


Слайд 78 Зависимость концентрации носителей тока от температуры

Зависимость концентрации носителей тока от температуры

  • Имя файла: statisticheskie-raspredeleniya-metally-i-poluprovodniki.pptx
  • Количество просмотров: 97
  • Количество скачиваний: 0