Презентация на тему Ионизирующие излучения ядерного взрыва, космического пространства, ядерных энергетических установок и аварий на АЭС

РЭА

излучения ядерных силовых и энергетических установок (ИИ ЯЭУ),
излучения,

существующие в космическом пространстве (ИИ КП).

нейтронов
1011-1015 нейтр.см-2;
- доза гамма-квантов 10-105Р;
рентгеновское излучение
1,0 –

104 кал.см-2.

нейтронов:

, с


где L – расстояние между центром ЯВ и облучаемым объектом, км;
En – энергия нейтронов, МэВ.

деления с энергией от 0,025 эВ до 1-2 МэВ,

запаздывающих нейтронов со средней энергией 0,5 МэВ, мгновенных гамма-квантов с энергией 0,5-6,5 МэВ, гамма-квантов продуктов деления от 0,1 до 1-2 МэВ и захватных гамма-квантов с максимальной энергией энергией до 10 МэВ

Земли (ИРПЗ),
галактические космические лучи (ГКИ),
солнечные космические лучи (СКИ).

существования на орбитах эксплуатации необходимо предъявлять при создании новой

радиационно-стойкой элементной компонентной базы (ЭКБ) следующие требования:
- по стойкости к дозе протонного и электронного излучения космического пространства - полная поглощенная доза не менее 100 крад;
- по стойкости к отказам при воздействии протонов и тяжелых заряженных частиц
- порог ЛПЭ отказа не менее 60 МэВ см2/мг;
- по стойкости к сбоям при воздействии протонов и тяжелых заряженных частиц – порог ЛПЭ сбоя не менее 36 МэВ см2/мг.

на материалы и радиоэлектронную аппаратуру КА
- потоки электронов

и протонов радиационных поясов Земли;
- потоки протонов, солнечных космических лучей и галактических тяжелых заряженных частиц.
Эффекты радиационного воздействия
- накопление ионизационных эффектов и структурных повреждений в материалах и ЭКБ;
- сбои и отказы ЭКБ при воздействии протонов и ТЗЧ.
Требования стойкости, прочности и устойчивости аппаратуры систем КА определяются интегральными эффектами в материалах элементов под воздействием гамма-нейтронного излучения ЯЭУ.
Кратковременные сбои и обратимые отказы могут наблюдаться в аппаратуре вследствие проявления ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах под воздействием ИИ КП. При этом определяющими являются дифференциальные характеристики излучения – плотность энерговыделения в чувствительных объемах полупроводников.