Презентация на тему Пленочные наноматериалы и технологии их получения

(по структуре)

Нанопокрытие – однослойный рыхлый (островковый, неоднородный)

пленочный наноматериал толщиной до 100 нм на поверхности какого-либо изделия (подложки).

Нанопленка – однослойный сплошной нанофазный материал толщиной до 100 нм на поверхности какого-либо изделия (подложки).

Композиционное нанопокрытие – слоистый сплошной пленочный наноматериал на поверхности какого-либо изделия (подложки), в котором чередующиеся нанослои могут быть выполнены из одного и того же материала (химический состав слоев – одинаков), либо – из различных (химический состав слоев – разный).

чередующихся однородных нанослоев (одинакового (а) и различного (б) химического

состава) и набора поверхностей между ними.








 

Разновидностью композиционных нанопокрытий являются СВЕРХРЕШЕТКИ.

признакам

виды ПНМ обладают свойствами, которые существенно отличаются от свойств

объемного материала. Это обусловлено большей энергией поверхностных атомов по сравнению с атомами в объеме твердой фазы; их избыточная энергия вызывает искажение структуры приповерхностного слоя, а значит, и большую разупорядоченность материала нанофазы.
Физико-химические свойства ПНМ (а значит, и применение ПНМ) определяются:
1) структурой ПНМ (кристаллическая или аморфная, когерентная или некогерентная границы раздела между подложкой и пленкой и между чередующимися слоями нанофаз, толщина и дефектность слоя нанофазы);
2) составом ПНМ (выбором материала и размером частиц нанофазы);
3) технологией нанесения ПНМ и подготовки подложки (влияющей на характеристики границы раздела).

на свойства ПНМ

Монокристаллические (широко применяемые в технологии микроэлектроники) и поликристаллические ПНМ обладают повышенной пластичностью и твердостью, но пониженной температурой плавления.

Аморфные ПНМ (например, плёночное стекло) обладают повышенной гибкостью, прозрачностью и термостойкостью.

Композиционные (слоистые) ПНМ могут обладать:
сверхтвердостью, повышенной трещиностойкостью и другими особыми и уникальными свойствами.

соответствия параметров решеток подложки и наносимого нанослоя на свойства

ПНМ
В случае когерентной границы раздела фаз всегда образуются сплошные эпитаксиальные нанопленки с искаженной структурой и хорошими изолирующими свойствами (даже при малой толщине).
При большом (~ 10 %) отличии параметров (межатомных расстояний решеток) в ПНМ появляются (при определенной толщине) собственная неискаженная структура нанофазы с механическими напряжениями, ухудшающими целевые свойства ПНМ.

3. Влияние толщины нанослоя δ на свойства ПНМ
Уменьшение толщины сплошного нанослоя (δ = 10–100 нм) в составе ПНМ обеспечивает улучшение механических свойств (повышается твердость и прочность за счет уменьшения напряжений в нанослое):
HV = a + b /√ δ , ГПа;
σв = c + d /√ δ , МПа,
где a, b, c, d – константы, зависящие от природы материала нанослоя.

свойства ПНМ
Уменьшение размера частиц

(до 10–20 нм) простых веществ (Ni, Cu, Si) существенно повышает (в 4–6 раз) твердость нанопленок (табл. 1).
Таблица 1
Механические свойства никеля при 25 оС










5. Влияние состава материала нанофазы на свойства ПНМ
Замена нано-Ni (10 нм) на нано-BN (14 нм) повышает твердость однослойных нанопленок более чем в 10 раз (для нитрида бора HV составляет 85 ГПа).

Разновидностью ПНМ с уникальными свойствами являются сверхрешетки.

СВЕРХРЕШЕТКИ (crystal superlattic) – твердые слоистые структуры (получаемые методами эпитаксии), в которых чередующиеся слои отличаются физическими свойствами.

Сверхрешетками могут быть:
1) композиционные нанопокрытия с периодическим чередованием нанослоев, которые отличаются физическими свойствами;

2) однослойные нанопленки из монокристаллического материала на поверхности подложки из того же материала;

3) однослойные нанопленки из монокристаллического материала на поверхности подложки из другого материала с небольшим (не более 10 %) рассогласованием межатомных расстояний однотипных решеток (ПСЕВДОМОРФНЫЕ СВЕРХРЕШЕТКИ).

Виды сверхрешеток (по составу межфазной границы)

1.1. Гомоэпитаксиальные

(образованы наночастицами одного типа):
Ni/Ni, Ag/Ag, Si/Si, GaAs/GaAs, TiO2/TiO2 ;

1.2. Гетероэпитаксиальные
(образованы наночастицами разных типов):
NiAl/Ni, Si/Al2O3, Ge/Si, ZnS/Si, Si3N4/TiN.

Виды сверхрешеток (по свойствам)
2.1. Сверхтвердые (чередующиеся слои отличаются высокой

и низкой упругостью, что может обеспечивать повышение HV в 5–100 раз – до HV >40 ГПа):
Si3N4/TiN (HV = 50 ГПа);
2.2. Сверхпрочные (чередующиеся слои отличаются высокой и низкой прочностью):
NbTi/Ti (σв = 750 + 814/√ δ , МПа, где δ = 10–90 нм);
2.3. Полупроводниковые (чередующиеся слои сильно отличаются электронными свойствами – шириной запрещенной зоны, что обеспечивает качественные потенциальные барьеры в создаваемой структуре и возможность создания гетеропереходов на их основе, используемых, например в полупроводниковых лазерах):
Si/Al2O3, Ge/Si, ZnS/Si, PbS/Pd, AlxGa1–xAs/AlAs.
2.4. Оптические (чередующиеся слои сильно отличаются коэффициентом преломления электромагнитных волн) [фотонные кристаллы].
2.5. Магнитные (чередующиеся слои сильно отличаются магнитными свойствами).
2.6. Термоэлектрические (чередующиеся слои сильно отличаются удельным сопротивлением): TiN/Ti

пленочных наноматериалов относится к матричным методам, поскольку тонкие пленки

и нанопокрытия повторяют форму подложки. Осаждение на подложку производят из паров, плазмы или коллоидного раствора.
Группа физических методов:
термовакуумное напыление, ионно-плазменное напыление, ионно-лучевое напыление, молекулярно-лучевая эпитаксия.
Группа химических методов:
погружение подложки в коллоидный раствор (или дисперсию) с медленным вытягиванием подложки и высушиванием, ионное наслаивание, послойное осаждение, спинингование (нанесение на вращающуюся подложку), химическое осаждение из газовой фазы, плазмохимическое напыление.
Для получения композиционных нанопокрытий и сверхрешеток используют жидкофазные и газофазные технологии эпитаксиального осаждения.

Рассмотрим особенности газофазных технологий.

газофазные технологии

Простейшая схема вакуумной установки для получения нанопленок методом ТВН

приведена на рис. 4.

К технологии ТВН

Рис. 4. Схема испарительной части вакуумной установки для получения нанопленок: 1 – подложка, 2 – испаритель, 3 – маска, 4 – нанопленка, 5 – нагреватель, 6 – корпус вакуумной камеры

устройством для реализации технологии ИПН является диодная система с

тлеющим разрядом на постоянном токе. Схема установки представлена на рис. 5.

К технологии ИПН

Рис. 5. Схема установки для нанесения нанопленок ионно-плазменным (катодным) напылением: 1 – вакуумная камера; 2 - катод; 3 - заземленный экран; 4 - заслонка; 5 - подложка; 6 - заземленный анод; 7 - резистивный нагреватель подложки

представлена на рис. 6.

Рис. 6. Схема ионной пушки

(а) и ионно-лучевого напыления (б): 1 –ввод рабочего газа; 2 – термоэлектронный катод; 3 – анод; 4 – магнитная система; 5 – ускоряющий электрод; 6 – пучок ионов; 7 – распыляемый материал; 8 – подложкодержатель; 9 – присоединение к вакуумной системе

технологии МЛЭ

на рис. 8.

К технологии МЛЭ
Рис. 8. Схема расположения элементов

вакуумной камеры для осуществления молекулярно-лучевой эпитаксии: 1 – держатель подложки с нагревателем; 2 –подложка; 3 – масс-спектрометр; 4 – эффузионные ячейки; 5 – заслонки; 6 – манипулятор; 7 – электронная пушка; 8 – люминесцентный экран; I и II – молекулярные пучки (потоки) отдельных атомов

Химические газофазные технологии

К технологии ХОГФ