Презентация на тему Влияние имплантации ионов фосфора на структурные изменения в поверхностных слоях монокристалла кремния

Si после имплантации ионов фосфора.
Энергия имплантованных ионов -

спектрометра;
Использовано численные методы решения системы дифференциальных уравнений, описывающие процессы

источник рентг. излучения
Щ – щель
П – пленка
К – кристалл
Основное

θ<ψ

Схема
эксперимента

Схематическое представление особенный значений азимутального угла поворота ϕ
при повороте кристалла вокруг
вектора дифракции

γ0 < 0 → cosϕ ≥ tgθBctgψ дифракция Лауэ; γ0≥0 → cosϕ 0≥γ0→0→cosϕ0,h<±tgθBctgψ эффект ПВО
0 ≤ γ0 ≤ γкр дифракція Брэгга
и эффект ПВО

Si:
CuKα-излучение,
входящая плоскость (111)
1
1
1
2
2
2
1-исходная область;
2-имплантированаяс
17

Si
а) исходная область
б) имплантированая область
18

PANalytical X’Pert MRD PRO. используется для измерения кривых дифракционного

Рентгеновская трубка

монохроматор

исследуемый образец

детектор

-600 -400 -200 0

lg(I/I0)

1E-3

0.1

1

2

отражение (111),
CuКa- излучение

1 – исходная область,
2 – имплантированная область

кривых
-600

lg(I/I0)

отражение (333),
CuКα - излучение

1 – экспериментальная кривая,
2 – теоретически рассчитанная кривая.

1

2

0  500 1000 1500 2000 2500 Z, нм

2

1

0

-1

-2

∆d/d *10-3

Профиль деформации в приповерхностных
слоях кристалла, имплантированного ионами фосфора

0 2000 4000 6000 8000 Z,E

6

5

4

3

2

n*10-19

1

Распределение имплантированных ионов фосфора
в кристалле кремния, полученное с помощью
программного пакета SRIM-2003