Презентация на тему Материалы

рассеяние
Компьютерное моделирование атомной структуры вещества

свойствах и структуре поверхности исследуемых объектов. Важным достоинством метода

является его неразрушающий характер. Исследования могут проводиться в широком интервале температур, в условиях агрессивной среды, высокого давления и непосредственно в ходе модификации поверхности объекта.
С помощью данного метода можно определить с высокой степенью точности толщину и показатель преломления слоя пористого кремния на кремниевой подложке и в дальнейшем определить такие параметры, как пористость и концентрация окисной или иной известной фазы.

Нуль-эллипсометр
ЛЭФ-3М

в широком температурном диапазоне
Основные характеристики:

Измерение спектров и кинетик

флуоресценции в диапазоне 350-800 нм под управлением компьютера.
Детектор: фотоэлектронный умножитель, работающий в режиме счета фотонов.
Фотовозбуждение объектов:
He-Cd лазер, длина волны 325 нм.
Установка снабжена гелиевым криостатом замкнутого цикла, позволяющим варьировать температуру объекта в пределах 14-300 К.

нс,
длина волны излучения лазера 1064 нм может быть преобразована

во вторую (532 нм) или четвертую (266 нм) гармонику;

охлаждаемого фотоприемника на InGaAs с усилителем (модель G6126, Hamamatsu);

вольтметра пиковых значений;

цифрового запоминающего осциллографа.

Временное разрешение при детектировании сигнала составляет 0.1-1000 мкс.

Автоматизированный комплекс для исследования релаксационных процессов при импульсном лазерном воздействии

пористого кремния позволяет определить наличие парамагнитных дефектов типа оборванных

связей, ответственных за безызлучательную релаксацию возбужденного состояния электронной системы в нанокристаллитах.

Основные характеристики:

Рабочая частота: 9ГГц
Отношение сигнал/шум: 3000/1

сканирования:
7500 – 370 см-1

Разрешение: 0.25 см-1

Вакуумирование измерительной камеры:

до 3 мбар

Метод ИК-спектроскопии широко используется для определения фазового состава слоев пористого кремния при различных воздействиях.

сканирования:

0..-100; 0..+168 град.

Минимальный угол поворота детектирующей головки: 0.002 град.

Угловая точность:
± 0.015 град.

Скорость сканирования: 500 град/мин.

Управляется компьютером.

государственный университет им. М.В. Ломоносова (Центр коллективного пользования)

Санкт-Петербургский
государственный

университет
(НИИ физики)

Межуниверситетский центр
микроэлектроники
(IMEC, Лёвен, Бельгия)

Королевский технологический
университет
(Стокгольм, Швеция)

В.Б., доцент, докторант - февраль-декабрь 2007г. IMEC, Лёвен, Бельгия.

Позиция – постдок в Центре нанотехнологий.

Клекачев А.В., аспирант – май 2007-октябрь 2008г. IMEC, Лёвен, Бельгия. Позиция – аспирант по программе «Sandwich PhD students» в Центре нанотехнологий.

Кузнецов А.С., магистр – август 2007-май 2009г. Королевский технологический университет, Стокгольм, Швеция. Магистерская программа по направлению «Нанотехнологии».

искусственные и природные материалы

Углеродные нанотрубки и нанополотна

1046
Наноструктурированный кремний - перспективный материал с широким спектром потенциальных

применений

Свойства наноструктурированного кремния:
- значительная величина удельной поверхности (до 1000 м2/грамм)
способность к видимой люминесценции при фото- и электровозбуждении, а также при адсорбции озона
генерация синглетного кислорода

Возможные сферы применения пористого кремния:
газовые сенсоры
взрывчатые вещества
в качестве матрицы для нанокомпозитов

Пористый кремний представляет собой редкий случай наноструктури-рованного материала, получаемого простым и дешевым способом электрохимического травления широко доступного монокристаллического кремния в электролите на основе плавиковой кислоты.
Уникальные свойства наноструктурированного кремния порождены эффектом квантово-размерного связывания в нанокристаллах1.

концентрацией акцепторной примеси, имеет кораллоподобную структуру, составленную из фаз

аморфизированного кремния и нанокристаллов кремния.
Внутренняя nоверхность пор свежеприготовленного материала пассивирована водородом в виде комплексов Si-Hn (n=1-3), обеспечивающих защиту от окисления кислородом и гидрофобность.
Водород нейтрализует электронные дефекты (типа оборванных связей) на поверхности нанокристаллов, минимизируя безызлучательные потери энергии в возбужденных нанокристаллах.

Морфология наноструктурированного кремния

обладают широким спектром поперечных размеров нанометрового диапазона, причем средний

размер фрагментов монотонно уменьшается с ростом пористости.

пористого кремния демонстрируют сдвиг в голубую область при увеличении

пористости образца.

Увеличение пористости приводит к уменьшению размеров кристаллитов, и, следовательно, к увеличению ширины запрещенной зоны, равной энергии излучаемых квантов.

спектры озон-индуцированной (сплошные линии) и фотолюминесценции (пунктирные линии) для

образцов пористого кремния на p-подложке с разной пористостью: а – 70%, б – 80%.

Обнаружен и изучен новый эффект в пористом кремнии – возбуждение люминес-ценции при адсорбции молекул озона из газовой фазы. Молекулярное воздействие является принципиально новым способом возбуждения электронной подсистемы нанокристаллитов в результате экзотермической химической реакции, идущей на их поверхности. Открытый эффект делает возможным создание датчика озона.

и микрореакторов (то есть устройств, осуществляющих заданный физико-химический процесс

в микрообъеме на субмикронном уровне) нуждается в поиске нанокомпозитных материалов с необходимыми свойствами. Общим атрибутом для обоих типов устройств является наличие высокоразвитой поверхности, доступной для диффузионного проникновения молекул из внешней среды. Это требование может быть удовлетворено на базе нанопористых материалов.

Нанокомпозитные материалы на основе полупроводников имеют дополнительное потенциально важное достоинство. Исследования двух последних десятилетий твердо установили, что фрагменты скелета наноструктурированного полупроводникового слоя проявляют квантово-размерное поведение, выраженное тем ярче, чем меньше характеристические размеры фрагментов.

энергетической структуры с возможностью управления
-низкий уровень собственных потерь энергии

при возбуждении
-установлена собственная активность материала в продуцировании возбужденных состояний молекулярного кислорода1, эффективная при низкой температуре (<100oK)
-биосовместимость с тканями организма наряду со свойством быстрого выведения из организма2 позволяет использовать данный материал в качестве фотосенсибилизатора для фотодинамической терапии рака

Преимущества нанокремния как матрицы для разработки микрореактора для генерации синглетного кислорода

1 Japanese Patent 20020176515, 18.06.2002
2 US Patent 6666214, 28.09.2001

временем жизни (τT~40 μs), энергетическое положение которого близко к

энергии состояния 1Σg+ молекулярного кислорода. Поэтому C60 имеет высокий квантовый выход около 100% генерации синглетного кислорода. Фуллерен стоек к синглетному кислороду, и не вызывает сильного тушения последнего.

Основания для выбора в качестве импрегнанта фуллеренов С60 и С70

численности популяции раковых клеток в случае: 1)отсутствия фотосенсибилизатора; 2)

присутствия 1мг частиц пористого кремния; 3)присутствия кремний-фуллеренового нанокомпозита (масса частиц пористого кремния 1мг, фуллеренов 3 мкг).

1

3

2

Проведено биотестирование предложенного нанокомпозита in vitro на раковых клетках линии HT-1080 человека.
По результатам испытаний подана заявка на патент РФ (регистрационный №2006137542).

математического моделирования.
Дифракционные методы являются единственными прямыми методами анализа структурного

состояния наноразмерных материалов. Сочетание этих методов с методами математического моделирования позволяет построить атомные модели исследуемых материалов и корректно рассчитать их физические свойства. Решаемые таким путем задачи относятся к числу фундаментальных проблем физики конденсированного состояния. Кроме того, использование дифракционных методов для контроля за влиянием условий получения на структурное состояние исследуемых материалов позволит выбрать наиболее оптимальные режимы приготовления.
Методами исследования является рентгеновская дифрактометрия, позволяющая получить дифракционные картины материалов, сопровождаемая современными методиками обработки экспериментальных рентгенограмм, как приобретенными, так и разработанными на КФТТ ПетрГУ. Методы машинного моделирования атомной структуры материалов: методы молекулярной динамики и статики, метод неупорядоченной сетки, методы конструирования углеродных нанотрубок и «сшивки» их в нанополотна, методы построения структуры объектов на молекулярном и надмолекулярном уровне.

углерода
Schwarzite (модель)
Нанотрубки (модели)

материалов
Эксперимент для шунгита после обработки в дуге
Упаковка молекул С70

в элементарной ячейке

Определение атомной структуры фуллерита С70
методом порошковой дифракции

материалов
Определение атомной структуры N-оксида Zn методом порошковой дифракции

формирования нанотрубки из графенового листа.

углеродных нанотрубок характеризуется наличием только одной возможной энергией перехода

электрона с излучением кванта света, зависящей от геометрических параметров нанотрубки.
Это означает, что фотолюминесценция (на рис. «ФЛ эмиссия») наблюдается для переходов с энергией Е11, в то время как для возбуждения фотолюминесценции (поглощение фотонов) подходит излучение в широком спектральном диапазоне.
Таким образом, спектральное расположение макисимумов ФЛ сигнала дает информацию об энергетических зазорах Е11 для тести-руемого набора нанотрубок и, следовательно, об их диаметрах и геометрии1.

1 T. S. Jespersen, Raman Scattering in Carbon Nanotubes, Ms.sc. Thes., University of Copenhagen, 2003

волн возбуждающего излучения
На спектрах отчетливо видны максимумы, соответствующие различным

значением параметра хиральности.

Интенсивность максимумов зависит от длины волны возбуждающего излучения, как это предсказывается теорией.

Данные получены на оборудовании лабораторий
IMEC, Лёвен, Бельгия.

Saren, V. B. Pikulev, Yu.E. Gardin, V.A. Gurtov. Molecular

interaction of ozone with silicon nanocrystallites: A new method to excite visible luminescence // Appl. Surf. Sci. – 2002. - V. 191(1-4). - P. 247-253.
Gurtov V.A., Saren A.A., Kuznetsov S.N., Pikulev V.B., Gardin Yu.E. On the mechanism of photodegradation of porous silicon in oxygen-containing ambient // Physica Status Solidi, 2005. – p. 1557 – 1561 (Proceedings of 4th International Conference “Porous Semiconductors – Science and Technology” (PSST-2004) Cullera-Valencia, Spain, 14 – 19 March 2004 )
Л.А. Алешина, А.Д. Фофанов, Р.Н. Осауленко, Л.А. Луговская. Анализ диффузного фона на рентгенограмме фуллерита С60. //Кристаллография, 2005.- т. 50, № 3. - с.436 – 441.
Лобов Д.В., Мошкина Е.В., Фофанов А.Д. Энергетическое состояние ионов наночастиц шпинели, форстерита и фаялита в рамках ионной модели. // Электронный журнал "Исследовано в России". - 2005. -№ 093. - с. 984 – 998.
Никитина Е.А., Фофанов А.Д. Эволюция дифракционных картин пористого кремния. // Электронный журнал "Исследовано в России", 2006. - №057. – с. 578 – 584.

Сарен, Ю.Е. Гардин, Пикулев В.Б., В.А. Гуртов Передача энергии

фотовозбуждения в нанокомпозите пористый кремний-фуллерен в кислородсодержащей атмосфере. // Письма в ЖТФ, 2006. - т. 32, вып. 3. - с. 75-80.
Gurtov V.A., Pikulev V.B., Kuznetsov S.N., Saren A.A., Tsyganenko A.A. Peculiarities of ozone adsorption on a porous silicon surface at low temperature // Physica Status Solidi, 2007, v.4, N6, pp.2116-2120 (Proceedings of the 5-th International Conference “Porous Semiconductors – Science and Technology” (PSST-2006 Barcelona, Spain, 12-17.03.2006)
Kuznetsov S.N., Saren A.A., Gardin Yu.E.,Gurtov V.A.,., Singlet oxygen generation in porous silicon with fullerene // Physica Status Solidi, 2007, v.204, N5, pp.1266-1270 (Proceedings of the 5-th International Conference “Porous Semiconductors – Science and Technology” (PSST-2006 Barcelona, Spain, 12-17.03.2006)
Заявка на патент РФ «Нанокомпозитный фотосенсибилизатор для метода фотодинамического воздействия на клетки». Регистрационный № 2006137542, дата регистрации заявки: 23.10.2006.

по наноматералам

по наноматералам

2007 года
Встреча с Нобелевским лауреатом Ж.И. Алферовым 15 октября

2006 года