Презентация на тему Методы измельчения

наиболее оптимальный вид измельчения для каждого типа материалов.

конусная
в - валковая
г - шнековая
д - молотковая
II – мельницы
а

– шаровая
б - шаровая вибрационная
в - дезинтегратор
г - аэробильная
д - струйная
1 - материал
2 - воздух
е - бегуны

а)

работа
kR — коэффициент пропорциональности
А — вновь образованная поверхность
Закон

Кирпичева-Кика W=kKV, где
kK — коэффициент пропорциональности
V — объем измельчаемого материала
Закон Бонда W=kB√VA
kB — коэффициент пропорциональности
_______________________________________________________________
Теоретически при помоле расход энергии в 3...4 раза больше, чем при среднем дроблении. По практическим данным расход на помол действительно выше, чем на дробление, но не в 3...4 раза, а в 15...20 раз.

крупности материала)
Практическое количество энергии, необходимой для измельчения:
Щебня 0,6…1 кВтч/т
Молотого

песка 10…15 кВтч/т
Цемента 35…45 кВтч/т

решающее воздействие оказывает их строение, которое подразумевает такие параметры

как количество и характер пор, кристаллическая решетка и др.

надо квазистатически (медленно) приложить к идеальному бездефектному материалу при

достаточно низких температурах, чтобы получить необратимую диссоциацию материала.

Истинная прочность рассматривает тела с присутствием дефектов, которые могут как уменьшать прочностные характеристики тела, так и увеличивать их.

Дефекты в свою очередь подразделяют на точечные (т.н. нульмерные), одномерные и двумерные.

из узла в межузловое пространство
В)Внедрение чужеродного атома или иона

в решетку

Точечные дефекты делят на:
Энергетические - временные искажения регулярности решетки кристалла, вызванные тепловым движением или воздействием различных радиации;
Электронные – к этому типу относят избыток и недостаток (дырка) электронов в валентынх связях кристалла и парные дефекты (экситионы), состоящие из электрона и дырки, связанные между собой кулоновскими силами;
Атомные.

А)

Б)

В)

с краевой дислокацией
в) Кристалл с винтовой дислокацией
Идеальная дислокация (а)

сформирована в виде семейства параллельных друг другу атомных плоскостей.
Краевая дислокация (б) образуется в случае обрыва одной атомных плоскостей.
В случае винтовой дислокации (в) атомные плоскости представляют собой систему, подобную винтовой лестнице.
Область наибольших искажений решетки называется ядром дислокации.
К двумерным (плоскостным) дефектам относятся границы между зернами кристаллов, ряды линейных дислокаций. Сама поверхность кристалла может рассматриваться как двумерный дефект.

другу
б) Возникшие дислокации
Образование дислокаций из скопления вакансий
в) Скопление вакансий

в кристалле
г) Возникшие дислокации

г)

в)

а)

б)

При срастании (а, б) кристаллическая решетка в плоскости соприкосновения будет иметь различную ориентацию. Следовательно, возникнет переходный слой, в котором решетка с ориентацией одного блока переходит к ориентации другого блока.

По мере развития пластической деформации и роста количества дефектов кристалл упрочняется. Сущность этого упрочнения состоит во взаимодействии дислокаций друг с другом и с другими дефектами решетки, приводящем к затруднению перемещения их в решетке кристалла.

в единице объема
Применяющиеся в настоящее время методы упрочнения (наклеп,

легирование) соответствуют правой пологой ветви кривой. Методы упрочнения соответствующие левой ветви, приводят к получению бездефектных кристаллов.

краях микротрещин возникает локальное перенапряжение σ*, которое во много

раз превосходит среднее напряжение σ, рассчитанное на все сечение образца. Если перенапряжение у вершины наиболее опасной трещины достигает теоретической прочности σт, то происходит катастрофическое (со скоростью, близкой к скорости звука) разрастание трещины и образец разделяется на части.

σ*>σ

опытов В.Товарова при помоле шлака (1), песка (2), клинкера

(3) и известняка (4), следует, что при малом изменении удельной поверхности ее прирост ∆s почти пропорционален затраченной энергии Е (гипотеза Риттингера). При значительном увеличении удельной поверхности закон прямой пропорциональности нарушается и поверхность растет значительно медленнее, чем работа.

0 20 40 60 80  100 120

(грохочение) и гидравлическая.
Принципиальные схемы грохочения:
а) от мелкого к крупному;
б)

от крупного к мелкому;
в) комбинированная.

до Wкр=8%, — слабо наклонная прямая. При критической влажности

известняка кривая резко падает, так как происходит залипание отверстий грохота. В пределах 12%50%) с увеличением воды орошения эффективность грохочения приближается к 100%.