Презентация на тему Исследование свойств полупроводниковых приборов

(несмотря на чувствительность к внешним факторам : повышение температуры,

электрические перегрузки, проникающее излучение) производства путем выявления преимуществ над остальными отраслями научной сферы.

полупроводниковой электроники и микроэлектроники. Это привело к изменению мировой

экономики, основанной на новых информационных технологиях.

Введение

занимает промежуточное место между проводимостью металлов и диэлектриков.
Полупроводник –

это материал, который проводит электричество лучше, чем такой диэлектрик, как каучук, но не так хорошо, как хороший проводник, например медь.
В отличие от металлов, электропроводность полупроводников с повышением температуры и освещенности возрастает.

устройство, излучающее некогерентный свет при пропускании через него электрического

тока. Излучаемый свет лежит в узком участке спектра, его цветовые характеристики зависят от химического состава использованного в СИД полупроводника.

Как и в нормальном полупроводниковом диоде, в светодиоде имеется p-n переход. При пропускании электрического тока в прямом направлении, носители заряда — электроны и дырки рекомбинируют с излучением фотонов. На самом деле, любой кремниевый или германиевый диод испускает фотоны, но правильный выбор материалов и технологии позволяет минимизировать потери энергии.
Светодиоды используются в сигнальных и осветительных приборах.

сопротивление при приложении напряжения на управляющий электрод, что позволяет

управлять мощной цепью слабым сигналом. Благодаря этому свойству, транзистор применяется для усиления, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзисторы — основа всех современных электронных устройств, они применяются практически во всех современных бытовых приборах. Сейчас большая часть транзисторов используется в составе интегральных микросхем. Интегральная микросхема может содержать миллионы транзисторов на одном кристалле полупроводника (в основном кремния).

или p-n-p. Показаны эмиттер, коллектор и база. Транзисторы такого

типа применяются в качестве усилителей.

прижаты к полупроводниковому кристаллу n-типа (германий), припаянному к металлическому

кристаллодержателю. 1 – латунный или иной кристаллодержатель; 2 – области p-типа; 3 – припой или золотой сплав (контакт базы); 4 – кристалл n-типа; 5 – эмиттерный точечный контакт (бериллиевая бронза); 6 – коллекторный точечный контакт (фосфористая бронза); 7 – область n-типа.

схематически в разрезе. Представляет собой электронный ключ, который открывается

и закрывается при изменении направления смещения. Разные варианты такого устройства применяются в компьютерах, телефонном оборудовании и радиоприемниках.

– коллекторный переход; 3 – слой диоксида кремния; 4

– коллекторный контакт; 5 – микрокристалл кремния; 6 – вывод базы; 7 – эмиттерный вывод; 8 – электрическое соединение золото – кремний; 9 – металлический кристаллодержатель; 10 – напыленный электрод; 11 – эмиттерная область n-типа; 12 – эмиттерный переход

выходят на поверхность, где они могут быть защищены слоем

диоксида кремния. Используются носители обоих типов – и электроны, и дырки, в отличие от полевых транзисторов
Существуют два вида транзисторных структур – из объемного материала и эпитаксиальная. Первая создается просто на поверхности пластинки из «массивного» кремния. Такой транзистор имеет тот недостаток, что у него большое последовательное сопротивление коллектора, нежелательное в случае переключающего устройства. Этот недостаток отсутствует при использовании эпитаксиального материала – тонкого слоя кремния с высоким удельным сопротивлением (в котором может быть создана транзисторная структура), выращенного поверх толстого слоя сильно легированного материала

или n-типа. В кремнии p-типа методом диффузии создаются две

сильно легированные близлежащие области n-типа. Одна из них, называемая истоком, является входной. Другая – сток – служит выходом. Над узкой промежуточной областью наращивается тонкий изолирующий слой (толщиной 200 нм и менее) диоксида кремния. На него наносят слой металла или кремния, который служит управляющим электродом. При подаче на управляющий электрод положительного напряжения возникает сильное электрическое поле, которое притягивает электроны к поверхности кремния, и образуется проводящий канал n-типа, соединяющий исток со стоком. Режим с положительным напряжением называется режимом обогащения. Можно изготавливать приборы, открытые в отсутствие внешнего напряжения. Отрицательное напряжение в них сужает канал и повышает его сопротивление; такой режим называется режимом обеднения. Изготавливаются также транзисторы с каналом p-типа

расположенных так, что коллектор pnp-части тиристора является базой npn-части,

а коллектор npn-части – базой pnp-части. Если инжектировать небольшой ток в базу npn-части, то он создаст для эмиттера прямое смещение, и возникнет ток эмиттера. Этот ток, собранный коллектором npn-части, становится током базы pnp-части, который вызывает появление тока эмиттера этой части



ТРИОДНЫЙ ТИРИСТОР – полупроводниковый прибор, позволяющий преобразовать переменный ток в постоянный.

термометров при дистанционных измерениях
Использование в качестве термометров для замера

температур окружающей среды




Термистор(видео – опыт)

в большом числе точек
в приборах для измерения утечки

газа,
для дистанционного измерения влажности,
для измерения высоких давлений, механических напряжений, скорости или количества протекающих жидкости, скорости движения

транзистор падает свет достаточно большой энергии, т.е. с достаточно

малой длиной волны, в нем освобождаются электронно-дырочные пары. Если пары возникают вблизи p-n-перехода с напряжением обратного смещения, они могут диффундировать в область перехода. Один из носителей может быть ускорен напряжением, имеющимся на переходе, и тогда он приобретает способность освобождать дополнительные заряды в процессах столкновения. В материале n-типа ускоряется дырка, в материале p-типа – электрон. Поскольку заряды несут ток через переход, он возникает и во внешней цепи, т.е. свет преобразуется в электрический ток.

инфракрасных лучей.
3. В автоматических устройствах, служащих для подсчета изделий

движущихся на конвейере, контроля их размеров

Например, турникет в метро работает именно по такому принципу.

выводу, что полупроводники имеют существенные преимущества над остальными проводящими

элементами:
Миниатюрность
Долговечность
Высокая чувствительность
Возможность использования источников тока с малым рабочим напряжением
Низкое энергопотребление
Экономичность

таблиц и графиков можно сделать вывод, что нанотехнологическая промышленность

является самой перспективной отраслью на сегодняшний день и находит свое применение практически во всех сферах жизни человека и общества.
Несмотря на бурное развитие биотехнологий, появление биочипов сохранит востребованность очень долго. Именно поэтому, современная, и прежде всего, полупроводниковая, электроника, которую сегодня можно называть наноэлектроникой, является самым мощным потребителем научных исследований, в том числе фундаментальных, и, безусловно, прикладных. Следовательно, необходимо усиленно развивать это направление науки.

Драгунов, И.П. Неизвестный, В.А. Гридчин. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000.

332 с.

2. «Полупроводниковые приборы:» Пасынков В.В. Учебник для вузов /В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. 6-е изд., стер. СПб.: Лань, 2002. 480 с.

3. «Демонстрационный эксперимент по физике в старших классах средней школы» В.А Буров , Б.С. Зворыкин т. II, под редакцией А.А. Покровского, «Просвещение» 1972 год 449 с.

полупроводников(без примесей)
Делится на электронную и дырочную.
Электронная проводимость обусловлена наличием
свободных

электронов
Дырочная проводимость обусловлена наличием дырок – вакантное место с недостающим электроном

в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны

в зону проводимости.
При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока – электронов (на уровне вблизи дна зоны); одновременно в валентной зоне освобождается такое же число мест на верхних уровнях, в результате чего появляются дырки.

данного полупроводника заменить в узлах кристаллической решетки атомами, валентность

которых отличается на единицу от валентности основных атомов

Изменяя концентрацию примеси, можно значительно изменять число носителей заряда того или иного знака. Благодаря этому можно создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей

свободных электронов значительно возрастает и становится в тысячу раз

больше концентрации свободных электронов в чистом полупроводнике. Примеси, легко отдающие электроны, называют донорными, и такие полупроводники являются полупроводниками n-типа. В полупроводнике n-типа электроны являются основными носителями заряда, а дырки — не основными

связей с соседями атому, например, индия не достает электрона.

В результате образуется дырка. Число дырок в кристалле равно числу атомов примеси. Такого рода примеси называют акцепторными (принимающими). При наличии электрического поля дырки перемещаются по полю и возникает дырочная проводимость. Полупроводники с преобладанием дырочной проводимости над электронной называют полупроводниками р-типа

между полупроводниковыми материалами p-типа и n-типа. Кружками со знаками

изображены подвижные носители заряда: электроны (-) и дырки (+), а квадратами – неподвижные ионы в области перехода.

p-n-ПЕРЕХОД

пробое в обратносмещенном p-n-переходе возникают избыточные носители в области

дрейфа, т.е. в области, где носители заряда движутся под влиянием приложенного напряжения. Если размер области дрейфа выбран правильно, то избыточные носители проходят ее на протяжении отрицательного полупериода напряжения переменного тока. Далее ток увеличивается при уменьшении напряжения. При этом существует своего рода отрицательная проводимость, которую можно использовать в объемном резонаторе для генерации СВЧ-колебаний

на свойстве вызывать замедление электронов в материале при некоторой

критической напряженности электрического поля. В соответствии с законом Ома ток при слабых полях пропорционален напряженности поля. Однако при очень сильных полях энергии электронов в полупроводниках (GaAs или InP) возрастают до величин, при которых свобода движения электронов в полупроводниковом кристалле ограничивается. Вследствие их пониженной подвижности при превышении напряженностью электрического поля некоторого критического уровня электроны еще более замедляются. Как и в лавинно-пролетном диоде, здесь возникает некоторая разновидность отрицательной проводимости, которую можно использовать для генерации СВЧ-колебаний