Презентация на тему Процессы, происходящие в веществе при его бомбардировке электронами

2. Упругие взаимодействия с атомами облучаемого вещества:
• образование радиационных

дефектов (Е > нескольких сотен кэВ);
• фононные колебания (на дискретных квантовых частотах);
• упругое отражение электронов.

3. Неупругие взаимодействия:
• генерация излучений (становится существенным при достаточно высоких энергиях ускоренных электронов (Епорог зависит от свойств мишени и превышает для многих веществ 10 МэВ):
- тормозного;
- переходного;
- черенковского;
- когерентного испускания рентгеновских квантов (в каналах монокристаллов);

электрон-электронные взаимодействия (это основной тип взаимодействий, при которых теряется

энергия ускоренных электронов с энергией менее 10 МэВ):

- коллективные: плазмоны – кванты колебаний плотности системы валентных электронов при ее возбуждении ускоренным электроном;

* плазменные колебания имеют дискретные квантовые частоты;
* при распаде плазмонов выделяется энергия, которая затем уносится в виде э/м излучения или передается подходящему электрону твердого тела;
* плазменные колебания возбуждаются, если длина их волн много больше расстояния между свободными электронами, т.е. их энергия невелика;
* рассеяние электрона при возбуждении плазмона происходит на небольшой угол, т.к. от электрона передается небольшое количество импульса и энергии;

одночастичные: ускоренный электрон взаимодействует с индивидуальным электроном;


* передается

большая доля энергии первичного электрона, рассеяние ускоренного электрона происходи на большие углы;
* энергия первичного электрона тратится на возбуждение и ионизацию атомов, а также передается электронам проводимости;
схема возбуждения и ионизации: электрон на внутренней оболочке получает энергию, достаточную для перехода на вышележащие энергетические уровни -> переход на вышележащие энергетические уровни -> возбуждение и ионизация.

Отражение электронов
• упругое отражение первичных электронов;
• неупругое отражение первичных

электронов;
• эмиссия вторичных электронов с облучаемой поверхности.

5. Процессы, происходящие при снятии возбуждения атомов:
• оже-процессы (безызлучательная передача дискретной порции энергии оже-электрону при переходе электронов из вышележащих энергетических уровней на вакансии на более низких оболочках);
• характеристическое излучение (при заполнении вакансий на внутренних электронных оболочках испускается квант э/м излучения, величина которого характерна для данного вещества и данных оболочек, спектр излучения - в области рентгеновских длин волн).

Методы анализа поверхности с использованием электронного облучения:
- вторичная электронная

спектроскопия;
- оже-спектроскопия;
- рентгеноспектральный анализ.

7. Изменение проводимости полупроводников и диэлектриков (радиационная проводимость).

8. Когда атом в возбужденном состоянии, то его связи с соседями могут меняться; это приводит к:
- десорбции чужеродных атомов (радиационно-стимулированная десорбция);
- диссоциации химических соединений;
- образованию химических соединений;
- образованию радиационных дефектов внутри кристаллов.

Диссипация энергии ускоренных электронов при их взаимодействии с веществом:
•

унос энергии с поверхности электронами, фотонами, атомными частицами (некоторая доля);
• превращение в конечном итоге в тепловую энергию облучаемого вещества (бόльшая доля); из зоны торможения тепловая энергия распространяется:
- путем теплопроводности в глубь вещества;
- возникновение теплового излучения.
10. Явления, к которым приводит нагрев:
- структурно-фазовые изменения в облучаемом материале;
- усиление диффузии;
- отжиг дефектов;
- плавление, рекристаллизация;
- испарение;
- десорбция, термоэлектронная эмиссия;
- возникновение термоупругих и термопластических напряжений; нарушение сплошности среды и т.д.

ионами.

Процессы, которые могут происходить при приближении ионов к бомбардируемой

поверхности:
- потенциальная электронно-ионная эмиссия (оже-процессы при переходе электронов твердого тела с вышележащих уровней на нижележащие уровни бомбардирующего иона);
- химические реакции на поверхности в результате возбуждения электронных состояний атомов и молекул, возбуждение свободных химических связей, разрушение адсорбированных соединений.

ионами.
2. Процессы, происходящие внутри твердого тела:

потеря энергии и рассеяние

из-за:
1) упругих и неупругих взаимодействий с электронами вещества;
2) упругих и неупругих взаимодействий с ядрами атомов вещества;
3) излучения различных видов.

Основные виды потерь энергии ускоренных ионов при энергиях до

нескольких МэВ:
- упругие соударения с ядрами;
- неупругие соударения с электронами.

4. Свойства упругих соударений с ядрами:
- передача энергии имеет дискретный характер, так как массы взаимодействующих частиц сопоставимы;
- рассеяние может быть очень существенным.

5. Свойства неупругих соударений с электронами вещества:
- при каждом соударении передается относительно малая доля энергии;
- рассеяние не слишком велико.

Явления, основанные на упругом взаимодействии с атомами вещества:

• отражение

бомбардирующих ионов от поверхности;
• образование радиационных дефектов (приводит к радиационно-стимулированной диффузии,
радиационно-стимулированному отжигу дефектов; изменению химической структуры соединений и химическим реакциям);
• распыление;
• фото-ионная эмиссия (атомы, группы атомов и ионы, вылетевшие в возбужденном состоянии в вакуум, могут переходить в невозбужденное состояние, испуская кванты света).

Неупругие взаимодействия с электронной подсистемой вещества приводят к возбуждению

электронов и ионизации атомов:

возбуждение электронов – появление электронов на высоких, ранее свободных энергетических уровнях и одновременно образование электронных вакансий на заполненных в условиях термодинамического равновесия более низких уровнях.

Явления, к которым приводят неупругие взаимодействия с электронной подсистемой:
•

увеличение проводимости у полупроводников и диэлектриков (радиационная проводимость);
• эмиссия электронов, или кинетическая ионно-электронная эмиссия;
• оже-процессы;
• ионолюминесценция, характеристическое рентгеновское излучение;
• изменение зарядового состояния примесных атомов, дефектов кристаллической решетки и собственных атомов твердого тела, что приводит к изменению энергии активации ряда процессов, в т.ч. диффузии примесей или дефектов, скорости распада сложных дефектов, образованию радиационных дефектов, инициации химических реакций, невозможных в равновесных условиях при данной температуре;

Почти вся энергия, внесенная ускоренными ионами в вещество и

растраченная в упругих и неупругих взаимодействиях, превращается в тепловую. Исключение составляет небольшая доля энергии (как правило, менее 10%), унесенная эмиттированными частицами).

10. Нагрев образца и все последующие процессы, которые могут возникнуть при достаточной мощности (плавление, испарение, термоэмиссия электронов, тепловое излучение и т.д.) в общем, ничем не отличаются от подобных процессов, происходящих при бомбардировке вещества электронами.

Ионное легирование, или имплантация – результат внедрения ускоренных ионов

в вещество и потери там их начальной энергии во всевозможных упругих и неупругих взаимодействиях.

12. Каналирование (имеет место, когда ускоренный ион взаимодействует с монокристаллом; ионы при движении в определенных направлениях «чувствуют» не отдельные атомы, а плоскости или цепочки атомов как целые, поэтому близкие взаимодействия каналируемых ионов с атомами, находящимися в узлах кристаллической решетки, оказываются невозможными).

Переходное и тормозное излучение тоже могут иметь место, но

они имеют заметную интенсивность только при больших скоростях заряженных частиц, т.е. при энергиях, значительно больших, чем в случае электронной бомбардировки, т.к. массы ионов на несколько порядков больше массы электронов.