Что такое findslide.org?

FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.


Для правообладателей

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Яндекс.Метрика

Презентация на тему Расчет параметров слоев

Содержание

[Ом·см]
Расчет параметров слоев [Ом·см] [Ом/] N(hслоя) = Nподл,   N(hслоя) = NэпитаксNэмиттера(h эмиттера) = Nакт базы(h эмиттера) Диффузия в полуограниченную областьСлучай неограниченного источника примеси 	N(x,t) = Ns erfc (x/L) Примесь знаем,выбираем ТУсловие 1 Условие 2	Получаем t, 	если меньше 10 минут или больше 10 часовнаходимN(hслоя) = Nфоновое Примесь знаем,Выбираем QУсловие 1 Условие 2	Получаем Dt 	(как одну переменную) 	N(hслоя) = NфоновоеЕсли заданы Двух- и трехмерные точечные источники r - расстояние от источника диффузанта m= «Разгонка» примеси  Многостадийная диффузия Если Dр tр > 3 Dз tз загразгразгзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгзагзагзагзагзагзаг Рост пленок SiО2 Зависимость толщины маскирующей пленки SiO2 от режимов проведения диффузии
Слайды презентации

Слайд 2 [Ом·см]

[Ом·см]

Слайд 3 [Ом/]
N(hслоя) = Nподл, N(hслоя) = Nэпитакс
Nэмиттера(h эмиттера) = Nакт

[Ом/] N(hслоя) = Nподл,  N(hслоя) = NэпитаксNэмиттера(h эмиттера) = Nакт базы(h эмиттера)

базы(h эмиттера)


Слайд 4 Диффузия в полуограниченную область
Случай неограниченного источника примеси


N(x,t)

Диффузия в полуограниченную областьСлучай неограниченного источника примеси 	N(x,t) = Ns erfc

= Ns erfc (x/L)




Случай ограниченного источника примеси



N(x,t) = exp ( - x2 /L2)

характеристическая
длина диффузии

Слайд 5 Примесь знаем,
выбираем Т


Условие 1



Условие 2

Получаем t,
если

Примесь знаем,выбираем ТУсловие 1 Условие 2	Получаем t, 	если меньше 10 минут или больше 10 часовнаходимN(hслоя) = Nфоновое

меньше 10 минут или больше 10 часов
находим
N(hслоя) = Nфоновое


Слайд 6 Примесь знаем,
Выбираем Q


Условие 1



Условие 2

Получаем Dt
(как

Примесь знаем,Выбираем QУсловие 1 Условие 2	Получаем Dt 	(как одну переменную) 	N(hслоя) = NфоновоеЕсли

одну переменную)

N(hслоя) = Nфоновое
Если заданы параметры после разгонки
Подбираем под Q

T и t загонки
выбираем Т


Получаем t,
если меньше 10 минут или больше 10 часов


Слайд 7 Двух- и трехмерные точечные источники
r - расстояние

Двух- и трехмерные точечные источники r - расстояние от источника диффузанта

от источника диффузанта
m= 1/2, 1 и 3/2, соответственно,

для одно-, двух- и трехмерного источников

Формула Пуассона

Слайд 8 «Разгонка» примеси Многостадийная диффузия
Если Dр tр >

«Разгонка» примеси Многостадийная диффузия Если Dр tр > 3 Dз tз

3 Dз tз
Если Dр tр  Dз tз


характеристическая величина D t = Dз tз + Dр tр

Dр tр = Dр1 tр1 + Dр2 tр2 + … + Dрi tрi


Слайд 9 заг
разг
разг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
заг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
разг
заг

заг

заг

заг

заг

заг

загразгразгзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагзагразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгразгзагзагзагзагзагзаг

Слайд 10 Рост пленок SiО2

Рост пленок SiО2

  • Имя файла: raschet-parametrov-sloev.pptx
  • Количество просмотров: 117
  • Количество скачиваний: 0