Презентация на тему Эквивалентные схемы. Параметры биполярных транзистров

заданий на основе принципа последовательности: «от простой к усложняющейся

дидактической величине», путем изменения числовых и введения буквенных коэффициентов;
б) продолжить формирование умений и навыков при решении заданий по теме: «Эквивалентные схемы и параметры биполярных транзисторов»; в)формирование профессионализма технических знаний;
г) сформировать умение делать оценки некоторых величин характеризующих и влияющих на работу биполярных транзисторов.
развивающие: учить анализировать, выделять главное, обобщать, доказывать и опровергать логические выводы в предложенной дидактической величине. формировать на репродуктивном уровне проектные умения анализа, обобщения.
воспитательные:
а) обосновать значимость психологического аспекта изучаемой темы в курсе электронной техники;
б) вырабатывать умение действовать в ситуации, отличной от заданного алгоритма.

знаете?
Назовите особенности биполярного транзистора.
4. Что является основным носителем заряда

в эмиттере и коллекторе?
Что является основным носителем заряда в базе?
6. Описать принцип работы n-p-n транзистора

характеристику каждому режиму

8. Показать структурную схему и условное графическое

изображение биполярных транзисторов.

9.Перечислить схемы включения биполярных транзисторов

10.Показать схемы включение биполярного транзистора.

два взаимодействующих между собой p–n-перехода, называется биполярным транзистором.

n-p-n и p-n-p транзисторы, где n (negative) – электронный

тип примесной проводимости, p (positive) – дырочный. Основные носители заряда: электроны и дырки («би» – два); электроды эмиттер, база, коллектор.

Особенности транзистора:
- площадь p-n перехода коллектора больше, чем эмиттера;
- в базе мало носителей заряда, ее толщина невелика.

Биполярный транзистор основной элемент усилителей
и интегральных микросхем (операционные усилители, транзисторно-транзисторная, диодно-транзисторная логика и т.д.).

основные дырки;
База (Б): основные заряды дырки, не основные электроны;

p-n переходы П1, П2 образованы
ионами полупроводника.

– коллектор для них открыт (здесь они не основные

заряды) и большая часть уходит в коллектор, совсем немного доходит до базы. За счет этого происходит усиление базового тока (ток коллектора).

n-p-n

напряжения действуют на переходах, различают 3 режима работы транзистора:

активный режим работы или режим усиления, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении , а коллекторный в обратном;
режим насыщения, когда оба перехода смещены в прямом направлении;
режим отсечки, когда оба перехода смещены в обратном направлении.

Структурная схема и графическое обозначение.

общим эмиттером (ОЭ),
общим коллектором (ОК) .

ОБ ОЭ ОК

транзисторы

общим коллектором.
Биполярные транзисторы

общей базой.
Биполярные транзисторы

транзистора
(Объяснение нового материала)

для различных схем включения.

режим работы при отсутствии нагрузки в выходной цепи.

Статические характеристики

связывают постоянные токи электродов с постоянными напряжениями на них- это графически выраженные зависимости напряжения и тока входной цепи и выходной цепи (вольтамперные характеристики ВАХ).
Их вид зависит от способа включения транзистора.

усиления по току
Статический коэффициент передачи тока базы :

Т- образная схема транзистора с генератором тока

схеме ОЭ- эквивалентная схема с генератором тока
Биполярные транзисторы

UБЭ/IБ, при UКЭ = const:
входное сопротивление транзистора переменному току

при отсутствии выходного переменного напряжения.
h12Э = UБЭ/UКЭ, при IБ = const:
коэффициент обратной связи по напряжению – доля выходного переменного напряжения передаваемая
на вход транзистора вследствие обратной связи в нем.
h21Э = IК/IБ, при UКЭ = const:
коэффициент усилия по току – усиление переменного
тока транзистором при работе без нагрузки.
h22Э = IК/UКЭ, при IБ = const:
выходная проводимость переменного
тока между коллектором и эмиттером.
Выходное сопротивление RВЫХ = 1/h22Э.

h21Э ImБ + h22Э UmКЭ
Эквивалентная схема БТ,
система h-параметров

тока, мощности
Практическая часть
Расчет схемы с общим эмиттером

транзисторе (тепловой пробой Т).


(десятки-сотни).
(десятки-сотни Ом).
Выходное сопротивление:
(сотни Ом – кОмы)

действия:



полная потребляемая мощность схемы