Что такое findslide.org?

FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.

Обратная связь

Презентация на тему Алотропні модифікації карбону залежно від типу гібридизації. Рисунки та таблиці

Содержание

2. Таблиця 1 Алотропні модифікації карбону залежно від
3. Рис. 2. Кристалічна ґратка кубічного (а) та
4. Таблиця 2 Застосування алмазних матеріалів
5. Рис 3. Кристалічна ґратка графітуРис. 4. Схематичне зображення графену
6. Рис. 5. Схематичне зображення вертикального польового
7. Рис. 6. Схематичне (а) та електронно-мікроскопічне (б)
8. Рис. 7. Схематичне зображення кристалічної структури графану
9. Рис 8. Прозорий ікосаедр (а), ікосаедр із лініями відсікання вершин (б) та фулерен (в)
10. Рис 9. Зовнішній вигляд фулеренів: а - С60, б - С70, в-С90
11. Рис.10. Кристалічна ґратка фулериту: а – схематичне зображення; б – об’ємний вигляд
12. Рис. 11. Схема отримання фулеренів із графіту
13. Рис. 12. Схематичне зображення польового транзистора з
14. Рис. 13. Електронно-мікроскопічне зображення
15. Рис. 14. Схематичне формування закритої нанотрубки (а) та зображення правого і лівого кристалів кварцу (б)
16. Рис. 15. Можливі індекси, вектори та кути
17. Рис. 16. Схематичне зображення ОВНТ типу крісло
18. Рис. 17. Поперечний переріз БВНТ: а
19. Таблиця 3 Порівняння механічних властивостей одношаровіих вуглецевих
20. Рис. 18. Функціоналізовані нанотрубки: 1 - інорідні
21. Рис. 19. Процес формування нанотрубки на каталітичній частинці
22. Рис. 20. Зміна типу провідності нанотрубки внаслідок
23. Рис. 22. Відведення тепла від Si кристалу за допомогою нанотрубок
24. Скачать презентацию
25. Похожие презентации

Таблиця 1 Алотропні модифікації карбону залежно від типу гібридизаціїРис. 1. Види гібридизації електронних оболонок: а -sp3; б - sp2; в - sp

Главная
Разное
Алотропні модифікації карбону залежно від типу гібридизації. Рисунки та таблиці

Таблиця 1 Алотропні модифікації карбону залежно від типу гібридизаціїРис. 1. Види гібридизації

Рис. 2. Кристалічна ґратка кубічного (а) та гексагонального алмазу (б)а аналогічний показник

Таблиця 2 Застосування алмазних матеріалів

Рис 3. Кристалічна ґратка графітуРис. 4. Схематичне зображення графену

Рис. 5. Схематичне зображення вертикального польового транзистору на основі графену: 1

Рис. 6. Схематичне (а) та електронно-мікроскопічне (б) зображення нанотрубок вирощених на шарі

Рис. 7. Схематичне зображення кристалічної структури графану (а) та пористий матеріал на

Рис 8. Прозорий ікосаедр (а), ікосаедр із лініями відсікання вершин (б) та фулерен (в)

Рис 9. Зовнішній вигляд фулеренів: а - С60, б - С70, в-С90

Рис.10. Кристалічна ґратка фулериту: а – схематичне зображення; б – об’ємний вигляд

Рис. 11. Схема отримання фулеренів із графіту

Рис. 12. Схематичне зображення польового транзистора з використанням молекули фулерену: 1 -

Рис. 13. Електронно-мікроскопічне зображення вуглецевої нонотрубки (а) та

Рис. 14. Схематичне формування закритої нанотрубки (а) та зображення правого і лівого кристалів кварцу (б)

Рис. 15. Можливі індекси, вектори та кути хіральності одношарових вуглецевих нанотрубок .Базис

Рис. 16. Схематичне зображення ОВНТ типу крісло (12, 12) (а), зигзаг (18,

Рис. 17. Поперечний переріз БВНТ: а – матрьошка; б – шестикутна

Таблиця 3 Порівняння механічних властивостей одношаровіих вуглецевих нанотрубок (ОВНТ )та багатошарових вуглецевих

Рис. 18. Функціоналізовані нанотрубки: 1 - інорідні атоми в пучку нанотрубок; 2

Рис. 19. Процес формування нанотрубки на каталітичній частинці

Рис. 20. Зміна типу провідності нанотрубки внаслідок її деформації шляхом впровадження в

Рис. 22. Відведення тепла від Si кристалу за допомогою нанотрубок

Рис. 23. Характеристики резистивного (а) та ємнісного (б) модуля сенсора від концентрації

Слайды презентации

Слайд 2 Таблиця 1 Алотропні модифікації карбону залежно від типу

Таблиця 1 Алотропні модифікації карбону залежно від типу гібридизаціїРис. 1. Види

гібридизації
Рис. 1. Види гібридизації електронних оболонок: а -sp3; б

- sp2; в - sp

Слайд 3 Рис. 2. Кристалічна ґратка кубічного (а) та гексагонального

Рис. 2. Кристалічна ґратка кубічного (а) та гексагонального алмазу (б)а аналогічний

алмазу (б)
а аналогічний показник для алмазу – від 1000

до 2600 Вт/(м∙К), залежно від чистоти кристалів.

Слайд 4 Таблиця 2 Застосування алмазних матеріалів

Слайд 5 Рис 3. Кристалічна ґратка графіту
Рис.

4. Схематичне зображення графену

Слайд 6 Рис. 5. Схематичне зображення вертикального польового транзистору

на основі графену: 1 - шари графену; 2 -

стік; 3 - керуваль-ний електрод; 4 - витік; 5 -відокремлювальний шар діелектрика (BN або MoS2).

Слайд 7 Рис. 6. Схематичне (а) та електронно-мікроскопічне (б) зображення

Рис. 6. Схематичне (а) та електронно-мікроскопічне (б) зображення нанотрубок вирощених на

нанотрубок вирощених на шарі графену з використанням безшовної технології

Слайд 8 Рис. 7. Схематичне зображення кристалічної структури графану (а)

Рис. 7. Схематичне зображення кристалічної структури графану (а) та пористий матеріал

та пористий матеріал на основі графану з приєднаними атомами

лужних металів: 1 - атоми водню; 2 - атоми металу; 3 - вуглець (б).

Слайд 9 Рис 8. Прозорий ікосаедр (а), ікосаедр із лініями

відсікання вершин (б) та фулерен (в)

Слайд 10 Рис 9. Зовнішній вигляд фулеренів: а - С60,

б - С70, в-С90

Слайд 11 Рис.10. Кристалічна ґратка фулериту: а – схематичне зображення;

б – об’ємний вигляд

Слайд 12 Рис. 11. Схема отримання фулеренів із графіту

Слайд 13 Рис. 12. Схематичне зображення польового транзистора з використанням

молекули фулерену: 1 - стік; 2 - витік; 3

- кантилевер, що виконує функції затвора

Слайд 14 Рис. 13. Електронно-мікроскопічне зображення

вуглецевої нонотрубки (а) та їх «ліс нанотрубок» (б, в)

Слайд 15 Рис. 14. Схематичне формування закритої нанотрубки (а) та

зображення правого і лівого кристалів кварцу (б)

Слайд 16 Рис. 15. Можливі індекси, вектори та кути хіральності

Рис. 15. Можливі індекси, вектори та кути хіральності одношарових вуглецевих нанотрубок

одношарових вуглецевих нанотрубок
.
Базис графітового шару визначається за векторами

а1 і а2 (рис. 15), а вектор хіральності (Ch) можна подати сумою:

де n i m – цілі числа (індекси хіральності).

Зв’язок між індексами хіральності (n, m) і кутом Θ має такий вигляд:

Слайд 17 Рис. 16. Схематичне зображення ОВНТ типу крісло (12,

Рис. 16. Схематичне зображення ОВНТ типу крісло (12, 12) (а), зигзаг

12) (а), зигзаг (18, 0) (б) та хіральні (20,

3) (в)

Залежно від кута хіральності розрізняють такі типи вуглецевих нанотрубок (рис. 16):
- ахіральні зигзагоподібні (Θ = 0°, Ch = (n, 0));
- Θ ахіральні кріслоподібні (armchair) (0 = 30°, Ch = (n, n));
- хіральні (0 < Θ < 30°, Ch = (n, m)).

У випадку повного опису геометрії нанотрубки необхідно зазначити її діаметр. Індекси хіральності одношарової нанотрубки (n, m) визначають її діаметр D:

де d0 = 0,142 нм - відстань між сусідніми атомами вуглецю у графітовій площині. Діаметр одношарових вуглецевих нанотрубок знаходиться в діапазоні 0,3-5 нм

Слайд 18 Рис. 17. Поперечний переріз БВНТ: а –

матрьошка; б – шестикутна призма; в – згорток
Відстань між

шарами в бездефектних багатошарових вуглецевих трубок залежить від початкового діаметра нанотрубки (D тр) і зменшується в міру його збільшення:

де dc - відстань між шарами в багатошарових вуглецевих трубках

Слайд 19 Таблиця 3 Порівняння механічних властивостей одношаровіих вуглецевих нанотрубок

Таблиця 3 Порівняння механічних властивостей одношаровіих вуглецевих нанотрубок (ОВНТ )та багатошарових

(ОВНТ )та багатошарових вуглецевих нанотрубок (БВНТ)
Примітка: E Експериментальні спостереження.

T Теоретичні дані. * Кевлар – синтетичне волокно, що має високу міцність (у п’ять разів міцніше сталі, межа міцності σ0 = 3620 МПа)

Слайд 20 Рис. 18. Функціоналізовані нанотрубки: 1 - інорідні атоми

Рис. 18. Функціоналізовані нанотрубки: 1 - інорідні атоми в пучку нанотрубок;

в пучку нанотрубок; 2 - інкапсулювання частинок усередину ВНТ

(піпод - фулерени в нанотрубці); 3, 4 - ковалентна (3) та нековалентна (4) функціоналізація трубок; 5 - атомно-модифіковані нанотрубки (ВНТ модифікована атомами фтору)

Слайд 21 Рис. 19. Процес формування нанотрубки на каталітичній частинці

Слайд 22 Рис. 20. Зміна типу провідності нанотрубки внаслідок її

Рис. 20. Зміна типу провідності нанотрубки внаслідок її деформації шляхом впровадження

деформації шляхом впровадження в графітову сітку п’яти- і семикутника
Рис.

21. Схематичне зображення польового транзистора на основі нанотрубки, з різним положенням затвору (а, б): 1 – підкладка (Si); 2 – ізолюючий шар; 3 – керуючий затвор; 4 – стік; 5 – нанотрубка; 6 – витік