Презентация на тему Основы электроники и радиоматериалы

Проект ИМС
7 сем.
36/36/18


ФизХимОснТех
5 сем.
18/0/36




Предмет и задачи дисциплины,
ее связь

с дисциплинами учебного плана.

СПбГЭТУ «ЛЭТИ», кафедра МИТ, ОЭиР, 2016

изучает Физика Твердого Тела!
СПбГЭТУ «ЛЭТИ», кафедра МИТ, ОЭиР, 2016

Физика твердого тела. ‑ М.: Мир, 1979.
2. Блатт

Ф., Физика электронной проводимости в твердых телах. ‑ М.: Мир, 1971.
3. Ситникова М.Ф. Конспект Лекций. Презентации . Информрегистр №0321603400.2016
4. Вендик И.Б., Ситникова М.Ф. Физические основы микроэлектроники. – СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1989.
5. Горбачев В.В., Спицина Л.Г., Физика полупроводников и металлов. ‑ М.: Металлургия, 1981.
6. Киттель Ч., Введение в физику твердого тела. ‑ М.: Наука, 1978.
7. Марголин В.И., Жабрев В.А., Тупик В.А., Физические основы микроэлектроники: - М.: Издательский центр "Академия", 2008.
*8. Павлов П.В., Хохлов А.Ф., Физика твердого тела.-М.: Высшая шк.,2000.
*9. Шалимова К.В. Физика полупроводников. ‑ М.: Энергия, 1976.
*10. Шаскольская М.П. Кристаллография. – М.: Высш. шк., 1976.

Методическая литература

1.. Замешаева Е.Ю., Ситникова М.Ф. «Физические свойства радиоматериалов», методические указания к практическим занятиям, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013.
2. Аничкова Н.С., Замешаева Е.Ю., Мунина И.В., Ситникова М.Ф. «Физические свойства полупроводниковых радиокомпонентов», методические указания к лабораторным занятиям, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2014.
3. Одит М.А., Ситникова М.Ф. «Компъютерное моделирование физических свойств материалов микроэлектроники», методические указания к лабораторным работам СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2007.

Список рекомендуемой литературы

СПбГЭТУ «ЛЭТИ», кафедра МИТ, ОЭиР, 2016

для индивидуального

выбора темы и написания реферата с последующим докладом

СПбГЭТУ «ЛЭТИ», кафедра МИТ, ОЭиР, 2016

А. Лодыгин – лампа накаливания с угольным стержнем
1874 г.

Ф. Браун –выпрямительный эффект в контакте Ме-ПП
1883 г. Т. Эдисон –явление термоэлектронной эмиссии
1888 г. Г. Столетов -законы фотоэффекта.
1895 г. А. С. Попов – осуществление радиосвязи.

В 1909В 1909 г. Браун получает, совместно с итальянцем Гульельмо Маркони, Нобелевскую премию
«за выдающийся вклад в создание беспроволочной телеграфии».

1901г.- заменил когерер, создал
кристаллический детектор,

1897г.-

катодо-лучевая трубка

СПбГЭТУ «ЛЭТИ», кафедра МИТ, ОЭиР, 2017

электроприборов:
1904г. Д. Флеминг –электровакуумный диод (детектор)
1907г. Ли де Фрест – триод (аудион),
1924г. М.А. Бонч-Бруевич –генераторные лампы, А. Халл – тетрод,
1930 –пентод, 1929г. Зворыкин- кинескоп

В 1914 г. поступил на работу
помощником начальника Тверской приемной радиостанции, где
организовал лабораторию и
изготовил первые отечественные электронные лампы и первые
ламповые приемники. . 

Халл установил природу шумов в триодах (1923 г).
Один из способов устранения дробовоого шумОдин из способов устранения дробовоого шума -переход от триода к экранированной лампе (тетродуОдин из способов устранения дробовоого шума -переход от триода к экранированной лампе (тетроду), впервые предложенной Вальтером Шоттки в 1918

СПбГЭТУ «ЛЭТИ», кафедра МИТ, ОЭиР, 2016

Бардин и Уолтер Браттейн 
получили Нобелевскую премию по физике.
Копия первого в мире

работающего транзистора

Период создания и внедрения дискретных
полупроводниковых приборов

Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов
были зарегистрированы
в Германии в Германии в 1928 году

В 1947 г.  в лабораториях Bell Labs 
впервые был создан действующий
биполярный транзистор

первый МОП-транзистор, был изготовлен
позже биполярного транзистора, в 1960 г.

СПбГЭТУ «ЛЭТИ», кафедра МИТ, ОЭиР, 2016

из корпуса
Джек Сент-Клэр Килби (1923 – 2005)
 — американский учёный.
Лауреат Нобелевской премии

по физике 2000 года
за изобретение интегральной схемы в 1958 году
в период работы в Texas Instruments 

Роберт Нортон Нойс ( 1927 ( 1927 —  1990) 
американский инженерамериканский инженер, один из изобретателей интегральной схемы
и планарной технологии (1959),
Основатель корпорации Intel (1968).

Современные интегральные микросхемы,
предназначенные для поверхностного монтажа

малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,
средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,
большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле,
сверхбольшая интегральная схема (СБИС) —
более 10 тыс. элементов в кристалле.

Первая в СССР полупроводниковая интегральная микросхема
была создана на основе планарной технологии,
разработанной в начале 1960 года в НИИ-35 (НИИ «Пульсар»)

СПбГЭТУ «ЛЭТИ», кафедра МИТ, ОЭиР, 2016

уменьшен до 0,5-2 мкм. Некоторые экспериментальные образцы фотолитографического оборудования

рентгеновского диапазона обеспечивали минимальный размер 0,18 мкм.

В 1990-х годах, из-за нового витка «войны платформ», стали внедряться в производство и быстро совершенствоваться экспериментальные методы:
в начале 1990-х процессоры (например, ранние Pentiumв начале 1990-х процессоры (например, ранние Pentium и Pentium Pro) изготавливали по технологии 0,5-0,6 мкм (500—600 нм), потом технология дошла до 250—350 нм.

Следующие процессоры (Pentium IIСледующие процессоры (Pentium II, K6-2Следующие процессоры (Pentium II, K6-2+, Athlon) уже делали по технологии 180 нм.

В конце 1990-х фирма Texas Instruments создала ультрафиолетовую технологию с минимальным контролируемым размером около 80 нм.
Следующие процессоры делали по УФ-технологии 45 нм (сперва это был Core 2 Duo). Другие микросхемы достигли и превзошли этот уровень
(в частности, видеопроцессоры (в частности, видеопроцессоры и флеш-память (в частности, видеопроцессоры и флеш-память фирмы Samsung — 40 нм).

В 2010 году в розничной продаже появились процессоры, разработанные по 32-нм тех. процессу.

В апреле 2012 года в продажу поступили процессоры, разработанные по 22-нм тех. процессу (ими стали процессоры фирмы Intel,

Процессоры с технологией 14 нм планируется к внедрению в 2014 году, а 10 нм — около 2018 года.

EUV-литография (сверхкороткий УФ)

рисунок проектной нормы 45 нм

Современное состояние развития микроэлектроники

СПбГЭТУ «ЛЭТИ», кафедра МИТ, ОЭиР, 2016

согласно которому (в современной формулировке) количество транзисторов, размещаемых на кристалле

интегральной схемы, удваивается каждые 24 месяца. 

 В 1960-е годы ни один человек в Силиконовой долине не мог даже предположить, что современные технологии производства позволят размещать миллионы элементов в кремниевом кристалле (чипе) размером с почтовую марку. Но когда в соответствии с законом Мура должна была возникнуть такая степень интеграции, она возникла.
Правда, закон Мура, похоже, стал действовать быстрее — за последние несколько лет период удвоения производительности сократился с двух лет до полутора

СПбГЭТУ «ЛЭТИ», кафедра МИТ, ОЭиР, 2016

введённый в 1998 году Юджином Мейераном «Второй закон Мура», введённый в 1998 году Юджином

Мейераном: стоимость производства микросхем экспоненциально возрастает с усложнением производимых микросхем. Стоимость фабрики корпорации Intel по производству микросхемы динамической памяти ёмкостью 1 Кбит, составляла $4 млн., а оборудование по производству микропроцессора Pentium по 0,6-микрометровой технологии c 5,5 млн. транзисторов обошлось в $2 млрд..