Презентация на тему Основы наноэлектроники и нанотехнологий. Наноэлектроника. (Лекция 3)

структурах

Квантуемая проводимость
Квант сопротивления:
Средняя длина свободного пробега l– путь электрона

N – число разрешенных состояний в проводнике

Для металлов l ~ 10 нм
Для полупроводников – l ~ 50–120 нм
Например, для Si, GaAs: l = 50-100; 120 нм

ям
Квантовая точка

исследование резонансного туннелирования.
1962 г. Л.В.Келдыш – возможность создания особой

Принцип работы резонансно-туннельного диода и его ВАХ

1974 г. – Исаки и Чанг –
создают первый РТД

10-12).
Низкая потребляемая мощность.
Большие плотности тока при малых размерах.
Существенная нелинейность

Особенности резонансно-туннельного диода

- частота излучения,
Eg – ширина запрещенной зоны,
EC

Высокий (60%) КПД

исследования в области физики полупроводников и полупроводниковой технологии: полупроводниковые

Коэффициент преломления

Формирование излучения

препятствующая туннелированию электронов

конденсатора (для Ɛ=10) – R1 ~ 1 мкм

300 К:

Емкость сферического конденсатора (пример) - Ссф = 4πƐƐ0R1

нА

одноэлектронный транзистор