Презентация на тему Статические параметры транзистора

h12 U2
I2 = h21 I1 + h22

U2

качестве независимых переменных выбраны входной ток и выходное напряжение.

Коэффициенты h11 , h12, h21 , h22 имеют определенный физический смысл и являются параметрами транзистора. Решая систему уравнений, нетрудно определить ее коэффициенты-параметры:
h11 = U1 / I1 при U2 = 0 – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе;

I1 = 0 – коэффициент обратной передачи при холостом

ходе на входе;
h21 = I2 / I1 при U2 = 0 – коэффициент усиления на входе при коротком замыкании на выходе;
h22 = I2 / U2 при I1 = 0 – выходная проводимость при холостом ходе на входе, где h11 , h12, h21 , h22
являются входными и выходными параметрами.
Параметры малыx сигналов зависят от схемы включения транзистора, поэтому они для различных схем включения а справочниках обозначаются индексом «б» для схемы с общей базой, «э» —для схемы с общим эмиттером.
В ряде случаев оказывается более удобно поль­зования не параметрами четырехполюсника, а физическими параметрами транзистора, которые не зависят от схемы его включения.

эмиттерного перехода с учетом объемного сопротивления эмиттерной области (несколько

десятков омов); rк — сопротивление коллекторного перехода (несколько сотен килоом до мегоома); rб — объемное сопротивление базы (сотни омов).

германиевых транзисторов значение Тn тах лежит в пределах 50—100°

С, а у кремниевых — в пределах I20 -200° С;
Максимальная мощность, рассеиваемая транзистором:

Pkmax = Ukmax (Tn max - Tокр)/RТокр

где Tокр - температура окружающей среды;
Предельное напряжение коллекторного перехода Ukmax - максимальное напряжение, при котором отсутствует лавинный пробой.

 

положение входных, выходных характеристик, а также параметры транзистора. Основной

причиной температурной нестабильности является зависимость обратного тока коллектора от температуры. При повышении температуры на каждые 10° С ток увеличивается примерно в 2 раза. Увеличение обратного тока приводит к смещению статических характеристик в сторону больших токов, что нарушает выбранный режим работы транзистора. Для обеспчения термостабильности транзистора используют термостойкие материалы, например кремний и его соединения, а также различные схемы температурной стабилизации режима работы транзистора.

емкостей эмиттерного и коллекторного переходов,

а также подвижностью инжектированных эмиттером носителей зарядов в области базы. С повышением рабочей частоты реактивное сопротивление емкости электронно-дырочных переходов уменьшается и оказывает шунтирующее действие на сопротивление перехода. Существенное влияние оказывает емкость коллекторного перехода, так как ее реактивное сопротивление велико. Поскольку емкость коллекторного перехода для схемы с общим эмиттером примерно в h21э раз больше емкости коллекторного перехода для схемы с общей базой, то частотные свойства схемы с общим эмиттером хуже, чем схемы с общей базой.

распространение получила схема с общим

эмиттером, обладающая наибольшим усилением по мощности. В выходную (коллекторную) цепь включена нагрузка RK, а во входную (базовую) цепь — источник входного сигнала с напряжением UBX. В этой схеме увеличение тока базы вызывает возрастание тока в цепи коллектора и уменьшение напряжения на коллекторе. Ток и напряжение на коллекторе связаны между собой уравнением
Uкэ = E к – I кR к
Такой режим работы транзистора называют динамическим, а характеристики, определяющие связь между токами и напряжениями транзистора при наличии сопротивления нагрузки,— динамическими характеристиками. Динамические характеристики строят на семействе статических при заданных значениях напряжения источника питания коллекторной цепи Ек и сопротивления нагрузки RK. Для построения выходной (коллекторной) динамической характеристики используют уравнение динамического режима, которое представляет собой уравнение прямой.
Поэтому достаточно найти отрезки, отсекаемые прямой на осях координат. При I = 0 UKЭ = EK и при UK3 — 0 IK = Eк/RK