Презентация на тему Принцип транзистора

из 36, просмотр некоторых из них ограничен.
Презентация носит демонстрационный

характер. Полная версии презентации содержит практически весь материал по теме «Транзисторы», а также дополнительный материал, который следует более детально изучить в профильном физико-математическом классе.






Полную версию презентации можно приобрести.

транзистора.
Упрощённая конструкция сплавного биполярного транзистора.
Конструкция транзистора П 13 –

П 15.
Принцип работы транзистора.

Схемы включения биполярных транзисторов.
Простейший усилитель на транзисторе.
ВАХ транзистора.
Биполярные фототранзисторы.
Устройство и схема включения фоторезистора.
Принцип действия фоторезистора.



Переделка транзистора в фототранзистор.
Простая схема, достаточная для обеспечения безопасности жилища.
Схема автоматического  включения освещения с наступлением темноты.

Содержание

в 1956 году «За исследования в области полупроводников и открытие эффекта транзистора»
Транзи́стор -

(от англ. transfer -переносить и резистор), полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трёх областей с различной — электронной (n) и дырочной (p) — проводимостью. Изобретён в 1948 г. американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином.

транзисторы биполярные (чаще называют просто транзисторами) и униполярные (чаще

называют полевыми транзисторами). В первых, содержащих два или более электронно-дырочных перехода, носителями заряда служат как электроны, так и дырки, во вторых - либо электроны, либо дырки. Термин «транзистор» нередко используют для обозначения портативных радиовещательных приёмников на полупроводниковых приборах.

типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям

полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают n-p-n и p-n-p транзисторы (n (negative) – электронный тип примесной проводимости, p (positive) – дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от других разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки (от слова «би» – «два»).

Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, электроды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмиттером. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. В действительности же главное отличие коллектора – большая площадь p – n-перехода. Кроме того, для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы.

Э

Б

К

Схематическое устройство транзистора

Э

Б

К

p-n-p типа включенного по схеме с (ОБ) общей базой.

Между р- и n- областями возникают p-n переходы. Переход между эмиттером и базой называется эмиттерным (ЭП), а переход между коллектором и базой  - коллекторным (КП).

Э

К

Б

ЭП

КП

Коллекторная цепь транзистора подключается к источнику с ЭДС – ЕКБ, т.е. КП включен в обратном направлении.

ЕКБ

В коллекторном переходе напряженность поля под действием ЕКБ возрастает. Это приводит к появлению незначительного обратного тока Iко в коллекторной цепи, обусловленного движением неосновных носителей зарядов. Этот ток существенно возрастает с увеличением температуры, поэтому его называют тепловым током коллектора – Iко

Iко

Принцип работы транзистора

собранном по схеме с общей базой, напряжение входного сигнала

подают между эмиттером и базой транзистора, а выходное напряжение снимают с выводов коллектор-база. Включение транзистора p-n-p структуры по схеме с общей базой приведено на рисунке.

В данном случае эмиттерный переход компонента открыт и велика его проводимость. Входное сопротивление каскада невелико и обычно лежит в пределах от единиц до сотни ом, что относят к недостатку описываемого включения транзистора. Кроме того, для функционирования каскада с транзистором, включённым по схеме с общей базой, необходимо два отдельных источника питания, а коэффициент усиления каскада по току меньше единицы. Коэффициент усиления каскада по напряжению часто достигает от десятков до нескольких сотен раз.

то на резисторе Rн, включенном в цепь коллектора, также

возникает переменное напряжение, амплитуда которого может во много раз превышать амплитуду входного сигнала. Следовательно, транзистор выполняет роль усилителя переменного напряжения.

Iк

Iк

Iэ

Однако такая схема усилителя на транзисторе является неэффективной, так как в ней отсутствует усиление сигнала по току, и через источники входного сигнала протекает весь ток эмиттера Iэ. В реальных схемах усилителей на транзисторах источник переменного напряжения включают так, чтобы через него протекал только небольшой ток базы Iб = Iэ – Iк. Малые изменения тока базы вызывают значительные изменения тока коллектора. Усиление по току в таких схемах может составлять несколько сотен.

ток которого увеличивается за счет подвижных носителей заряда, образующихся

при облучении прибора светом.

началом работы на транзистор приклеивают гайку для того, чтобы

мягкий корпус не деформировался при переделке.

Оргстекло

Гайка

Гайка

Транзистор со снятой шляпкой

Осторожно спиливают надфилем шляпку транзистора МП42Б (или другого транзистора с большим коэффициентом усиления в аналогичном корпусе).

Получившееся отверстие сверху закрывают прозрачным органическим стеклом толщиной 0,1…0,4 мм.