Презентация на тему Стандарты для полупроводниковых приборов

свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового

материала находит отражение в системе условных обозначений их типов.
В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 20 лет трижды претерпевала изменения.

приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и базируется

на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы:
Г и 1 - для германия и его соединений;
К и 2 - для кремния и его соединений;
А или 3 - для соединений галлия (например, для арсенида галлия);
И или 4 - для соединений индия (например, для фосфида индия).

Диод выпрямительный

Диод туннельный

Диод Обращенный

группу) приборов.
Для обозначения подклассов приборов используется одна из

следующих букв:
Д - диодов выпрямительных и импульсных;
Ц - выпрямительных столбов и блоков;
В – варикапов;
И - туннельных диодов;
А - сверхвысокочастотных диодов
С - стабилитронов
Г - генераторов шума
Л - изучающих оптоэлектронных приборов
О - оптопар
Н - диодных тиристоров
У - триодных тиристоров
Третий элемент обозначения - цифра, определяющая основные функциональные возможности прибора. Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков приборов (их функциональных возможностей) используются следующие цифры применительно к различным подклассам приборов

Варикапная сборка

Светодиод

Фотодиод

постоянным или средним значением прямого тока не более 0.3

А
2 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока более 0.3А, но не свыше 10А
4 - для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500нс
5 - для импульсных диодов с временем восстановления более 150нс, но не более 500нс
7 - для импульсных диодов с временем восстановления 5..30нс
8 - для импульсных диодов с временем восстановления 1..5нс
9 - для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1нс

для умножительных варикапов
Туннельных диоды (подкласс И)
1 - для усилительных

туннельных диодов
2 - для генераторных туннельных диодов
3 - для переключательных туннельных диодов
4 - для обращенных диодов
Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А)
1 - для смесительных диодов
2 - для детекторных диодов
3 - для усилительных диодов
4 - для параметрических диодов
5 - для переключательных и ограничительных диодов
6 - для умножительных и настроечных диодов
7 - для генераторных диодов
8 - для импульсных диодов

Тиристор триодный, запир. в обр. напр. с упр. по аноду

Тиристор триодный, запир. в обр. напр. с упр. по катоду

Тринистор триодный, запир. в обр. напр.,выкл с упр. по аноду

более 0.3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10В
2

- для стабилитронов мощностью не более 0.3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10..100В
3 - для стабилитронов мощностью не более 0.3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100В
4 - для стабилитронов мощностью -.3..5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10В
5 - для стабилитронов мощностью 0.3..5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10..100В
6 - для стабилитронов мощностью 0.3..5Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100В
7 - для стабилитронов мощностью 5.. 10Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10В
8 - для стабилитронов мощностью 5..10Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10..100В
9 - для стабилитронов мощностью 5..10Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100В

Стабилитрон; стабистор

Стабилитрон с двусторонней проводимостью

Варактор

максимально допустимым значением прямого тока не более 0.3А
2 -

для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0.3А, но не свыше 10А
Триодные тиристоры (подкласс У)
Незапираемые тиристоры:
1 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0.3А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15А
2 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0.3..10а или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15..100А
7 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100А

Тринистор триодн., запир. в обр. напр.,выкл с упр. по катоду

Тиристор диодный симетричный

Двухполярный/двухцветный диод

значением среднего тока в открытом состоянии 0.3...10А или с

максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 - 100А
8 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100А
Симметричные тиристоры:
5 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 0.3А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открыто состоянии не более 15А
6 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0.3..15А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 - 100А
9 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100А

технологического типа
Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число

от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трехзначное число от 101 до 999
Пятый элемент- буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.
В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э)
В качестве дополнительных обозначения используют следующие символы
цифры 1-9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров
букву С для обозначения сборок - наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами
цифры, написанных через дефис для обозначений следующих модификаций конструирования исполнения бескорпусных приборов

эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1нс, номер

разработки 21, группа А
3И203Г - арсенидогаллиевый туннельный генераторный диод, номер разработки 3, группа Г
АД103Б - арсенидогаллиевый излучающий диод инфракрасного диапазона, номер разработки 3, группа Б.

Оптопара диодная

Тиристор диодный симетричный

Тиристор диодный,запираемый в обратном напрвлении

электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит

свое отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с появлением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений
Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 1133919-81 и базируется на ряде классификационных признаков. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для обозначения исходного материала используются следующие символы:
Г и 1 - для германия и его соединений;
К и 2 - для кремния и его соединений;
А или 3 - для соединений галлия (например, для арсенида галлия);
И или 4 - для соединений индия (например, для фосфида индия).

группу) транзисторов. Для обозначения подклассов используется одна из двух

букв; Т - для биполярных и П - для полевых транзисторов.
Третий элемент - цифра, определяющая основные функциональные возможности транзисторов (допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту)
Для обозначения характерных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следующие цифры
Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, не более 0.3Вт)
1 - с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3МГц.
2 - с граничной частотой более 3, но не более 30МГц,
3 - с граничной частотой болеее 30МГц

Транзистор безкорпусной структуры n-p-n

Транзистор безкорпусной структуры n-p-n с несколькими эмитерами

Транзистор n-p-n в корпусе

более 0.3, но не более 1.5Вт)
4 - с граничной

частотой не более 3МГц
5 - с граничной частотой более 3, но не более 30МГц
6 - с граничной частотой более 30МГц
Для транзисторов большой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, более 1.5Вт)
7 - с граничной частотой не более 3МГц
8 - с граничной частотой более 3, но не более 30МГц
9 - с граничной частотой более 30 МГц

Четвёртый элемент - число обозначающее порядковый номер разработки технологического типа.
Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трехзначное число от 101 до 999.

р-канальный однопереходный транзистор

Транзистор n-p-n база соединена с корпусом

Транзистор n-p-n коллектор соединен с корпусом

по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.
В качестве классификационной

литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э)
В качестве дополнительных обозначения используют следующие символы
цифры 1-9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров.
Букву С для обозначения сборок - наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами. Цифры, написанных через дефис для обозначений следующих модификаций конструирования исполнения бескорпусных приборов.

Транзистор n-p-n с отдельным выводом от корпуса

Транзистор лавинный структуры n-p-n

n-канальный однопереходный транзистор

мощности, низкочастотный, номер разработки 04, группа А
2Т920 - кремниевый

биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А
2ПС202А-2 - набор маломощных кремниевых полевых транзисторов средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе.

Полевой транз. с управл. p-n переходом и n-каналом

Полевой транз. с управл. p-n переходом и р-каналом

Транзистор полевой структ. МОП с р-канал. работающ. в реж. обеднения

Транзистор полевой структ. МОП с n-канал. работающ. в реж. обогощения

Транзистор полевой структ. МОП с р-канал. работающ. в реж. обеднения

Транзистор полевой структ. МОП с n-канал. работающ. в реж. обеднения