Что такое findslide.org?

FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.

Для правообладателей

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Яндекс.Метрика

Презентация на тему Влияние имплантации ионов фосфора на структурные изменения в поверхностных слоях монокристалла кремния

Содержание

Цель работыИсследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации ионов фосфора. Энергия имплантованных ионов - Е=180 кэВ, доза - D=81014 см-2
ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ФОСФОРА НА СТРУКТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ Цель работыИсследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации ионов Для реализации цели:Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального спектрометра;Использовано численные методы решения 1исходная2имплантацияОбразец кремния схематичноИсходная областьИонная имплантация:фосфор (Е=180кеВ, D=8·1014cм-2) КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕИ – источник рентг. излученияЩ – Топография монокристалов Siа) Lext=2,1мкмб) Lext=1,05мкмв) Lext=0,75мкмХ-лучевые топограмы монокристала Si:CuKα-излучение, входящая плоскость (111)1112221-исходная область;2-имплантированаяс17 Атомно-силовая микроскопия образца Siб)а)Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца Siа) исходная областьб) имплантированая область18 Схема трехосного рентгеновского дифрактометра Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр PANalytical X’Pert MRD PRO. Кривые дифракционного отражения монокристалла Si -800 -600 Кривые дифракционного отражения монокристалла Si:сопоставление теоретической и экспериментальных кривых Выводы:.Воздействие ионной имплантации на поверхность образца приводят к изменению характеристик и формы
Слайды презентации

Слайд 2 Цель работы

Исследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов

Цель работыИсследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации

Si после имплантации ионов фосфора.
Энергия имплантованных ионов -

Е=180 кэВ, доза - D=81014 см-2

Слайд 3 Для реализации цели:
Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального

Для реализации цели:Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального спектрометра;Использовано численные методы

спектрометра;
Использовано численные методы решения системы дифференциальных уравнений, описывающие процессы

рассеяния рентгеновских лучей в искаженных кристаллах

Слайд 4 1
исходная
2
имплантация
Образец кремния схематично
Исходная область
Ионная имплантация:
фосфор (Е=180кеВ, D=8·1014cм-2)

1исходная2имплантацияОбразец кремния схематичноИсходная областьИонная имплантация:фосфор (Е=180кеВ, D=8·1014cм-2)

Слайд 5 КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ
В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕ
И –

КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕИ – источник рентг. излученияЩ

источник рентг. излучения
Щ – щель
П – пленка
К – кристалл
Основное

условие:



Схема
эксперимента

Схематическое представление особенный значений азимутального угла поворота 
при повороте кристалла вокруг
вектора дифракции

0 < 0  cos  tgBctg дифракция Лауэ; 00  cos 000cos0,h<tgBctg эффект ПВО
0  0  кр дифракція Брэгга
и эффект ПВО

Слайд 6 Топография монокристалов Si
а) Lext=2,1мкм
б) Lext=1,05мкм
в) Lext=0,75мкм
Х-лучевые топограмы монокристала

Топография монокристалов Siа) Lext=2,1мкмб) Lext=1,05мкмв) Lext=0,75мкмХ-лучевые топограмы монокристала Si:CuKα-излучение, входящая плоскость (111)1112221-исходная область;2-имплантированаяс17

Si:
CuKα-излучение,
входящая плоскость (111)
1
1
1
2
2
2
1-исходная область;
2-имплантированаяс
17

Слайд 7 Атомно-силовая микроскопия образца Si
б)
а)
Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца

Атомно-силовая микроскопия образца Siб)а)Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца Siа) исходная областьб) имплантированая область18

Si
а) исходная область
б) имплантированая область
18

Слайд 8 Схема трехосного рентгеновского дифрактометра
Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр

Схема трехосного рентгеновского дифрактометра Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр PANalytical X’Pert MRD

PANalytical X’Pert MRD PRO. используется для измерения кривых дифракционного

отражения (КДО). На трехосном дифрактометре фирмы “Philips” находится: на первой оси- германиевый монохроматор из четырехкратным отражением, на второй – исследуемый образец, на третьей кристалл - анализатор .

Рентгеновская трубка

монохроматор

исследуемый образец

детектор

Слайд 9 Кривые дифракционного отражения монокристалла Si

-800

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si -800 -600 -400

-600 -400 -200 0

200 400 600 800 ∆θ

lg(I/I0)

1E-3

0.1

1

2

отражение (111),
CuКa- излучение

1 – исходная область,
2 – имплантированная область

Слайд 10 Кривые дифракционного отражения монокристалла Si:
сопоставление теоретической и экспериментальных

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si:сопоставление теоретической и экспериментальных кривых

кривых
-600

-400 -200 0 200 400 600 ∆θ

lg(I/I0)

отражение (333),
CuКα - излучение

1 – экспериментальная кривая,
2 – теоретически рассчитанная кривая.

1

2

0  500 1000 1500 2000 2500 Z, нм

2

1

0

-1

-2

∆d/d *10-3

Профиль деформации в приповерхностных
слоях кристалла, имплантированного ионами фосфора

0 2000 4000 6000 8000 Z,E

6

5

4

3

2

n*10-19

1

Распределение имплантированных ионов фосфора
в кристалле кремния, полученное с помощью
программного пакета SRIM-2003

  • Имя файла: vliyanie-implantatsii-ionov-fosfora-na-strukturnye-izmeneniya-v-poverhnostnyh-sloyah-monokristalla-kremniya.pptx
  • Количество просмотров: 119
  • Количество скачиваний: 0
- Предыдущая Пермский период
Следующая - Специальная педагогикаРаздел 3. Педагогические системы специального образования

Похожие презентации

законы Ньютона законы Ньютона 143
Олимпиада 2014 Олимпиада 2014 160
Физика глазами литераторов Физика глазами литераторов 142
Движение и взаимодействие тел Движение и взаимодействие тел 145
Физика в быту Физика в быту 194
Электронный образовательный ресурс. Презентация к уроку физики по теме Свободное падение тел Электронный образовательный ресурс. Презентация к уроку физики по теме Свободное падение тел 143
Магнитное поле соленоида Магнитное поле соленоида 156
Основные понятия и определения, теплопроводность Основные понятия и определения, теплопроводность 168
7 класс. Диффузия 7 класс. Диффузия 148
Определение поверхностного натяжения жидкости Определение поверхностного натяжения жидкости 148
Основные положения МКТ Основные положения МКТ 120
Свет и его законы Свет и его законы 121
Охота за киловаттами Охота за киловаттами 114
Електричний струм у газах Електричний струм у газах 104
Физика в маслёнке Физика в маслёнке 154
Теория излучения в физике Теория излучения в физике 119
Современный урок физики Современный урок физики 191
Предстартовое состояние и разминка Предстартовое состояние и разминка 151
Хвильова оптика Хвильова оптика 124
Реактивний двигун Реактивний двигун 155
История создания фотографии История создания фотографии 167
Аттестационная работа. Программа регионального компонента образовательной области физика Аттестационная работа. Программа регионального компонента образовательной области физика 120
Закон Архимеда Закон Архимеда 158
М. В. Ломоносов – великий переводчик М. В. Ломоносов – великий переводчик 150
Эектрическая машина Эектрическая машина 149
Занимательная физика Занимательная физика 136
Использование энергии Солнца на Земле Использование энергии Солнца на Земле 148
Изучение реактивного движения на модели воздушного шарика Изучение реактивного движения на модели воздушного шарика 109
Электрический ток в металлах. Действия тока Электрический ток в металлах. Действия тока 127
Элементы квантовой механики и физики атомов, молекул, твердых тел Элементы квантовой механики и физики атомов, молекул, твердых тел 133