Что такое findslide.org?

FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.


Для правообладателей

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Яндекс.Метрика

Презентация на тему Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния

Содержание

Актуальность моей работы Бурный наземной рост солнечной энергетики требует создания новых мощностей по производству кремния и альтернативных технологий его получения. Основным фактором, сдерживающим рост солнечной энергетики, является цена полупроводникового кремния. С этой точки зрения наиболее перспективным является
Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния Выполнила: Клушина Надежда, студентка физического Актуальность моей работы	Бурный наземной рост солнечной энергетики требует создания новых мощностей по Объект нашего исследования — слитки мультикристаллического кремния, выращенные из рафинированного металлургического кремния методом направленной кристаллизации Бриджмена-Стокбаргера Задачи исследования:Цели работы:	Освоение теоретического анализа экспериментальных профилей распределения примесей, основанного на приближения  Теоретический анализ Таблица.1.Условия выращивания mc-Si   Рисунок.2 Схематичное изображение диаметрального разреза слитка mc-Si, Н-высота слитка Таблица.3 Результаты послойного элементного анализа слоёв mc-Si методом ИСП-МС для исходной загрузки mc-Si №3 .        Таблица.4 Эффективные коэффициенты распределения примесей при выращивании mc-Si из MG-Si и mc-Si на основе загрузок №1-4 Заключение	Установлен характер распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния, показывающий, что при направленной
Слайды презентации

Слайд 2 Актуальность моей работы
Бурный наземной рост солнечной энергетики требует

Актуальность моей работы	Бурный наземной рост солнечной энергетики требует создания новых мощностей

создания новых мощностей по производству кремния и альтернативных технологий

его получения. Основным фактором, сдерживающим рост солнечной энергетики, является цена полупроводникового кремния. С этой точки зрения наиболее перспективным является рафинированный металлургический кремний (UMG-Si) с долей основного вещества от 99,9 ат.% до 99,999 ат.%.

Слайд 3 Объект нашего исследования —
слитки мультикристаллического кремния,
выращенные

Объект нашего исследования — слитки мультикристаллического кремния, выращенные из рафинированного металлургического кремния методом направленной кристаллизации Бриджмена-Стокбаргера

из рафинированного металлургического кремния
методом направленной кристаллизации Бриджмена-Стокбаргера


Слайд 4 Задачи исследования:
Цели работы:
Освоение теоретического анализа экспериментальных профилей распределения

Задачи исследования:Цели работы:	Освоение теоретического анализа экспериментальных профилей распределения примесей, основанного на

примесей, основанного на приближения полного конвективно-диффузионного перемешивания расплава.

Задачи

исследования:
Установление характера и исследование причин распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния.

Слайд 5
 
Теоретический анализ

 Теоретический анализ

Слайд 6 Таблица.1.Условия выращивания mc-Si

Таблица.1.Условия выращивания mc-Si

Слайд 8 Рисунок.2 Схематичное изображение диаметрального разреза слитка mc-Si, Н-высота

Рисунок.2 Схематичное изображение диаметрального разреза слитка mc-Si, Н-высота слитка

слитка


Слайд 9


Таблица.3 Результаты послойного элементного анализа слоёв mc-Si методом

Таблица.3 Результаты послойного элементного анализа слоёв mc-Si методом ИСП-МС для исходной загрузки mc-Si №3

ИСП-МС для исходной загрузки mc-Si №3


Слайд 10 .
 
 


.   

Слайд 13
Таблица.4 Эффективные коэффициенты распределения примесей при выращивании mc-Si

Таблица.4 Эффективные коэффициенты распределения примесей при выращивании mc-Si из MG-Si и mc-Si на основе загрузок №1-4

из MG-Si и mc-Si на основе загрузок №1-4


Слайд 14 Заключение
Установлен характер распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния,

Заключение	Установлен характер распределения примесей в слитках мультикристаллического кремния, показывающий, что при

показывающий, что при направленной кристаллизации имеет место как конвективный,

так и диффузионный перенос вещества.

  • Имя файла: raspredelenie-primesey-v-protsesse-vyrashchivaniya-multikristallicheskogo-kremniya.pptx
  • Количество просмотров: 114
  • Количество скачиваний: 0