Презентация на тему Микросхемы памяти

random access memory) — полупроводниковая оперативная память, в которой

каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние без регенерации, необходимой в динамической памяти (DRAM). Тем не менее, сохранять данные без перезаписи SRAM может только пока есть питание, то есть SRAM остается энергозависимым типом памяти.

инверторов и ключевых транзисторов для обеспечения доступа к ячейке.
В

настоящее время появилась усовершенствованная схема с обратной связью отключаемой сигналом записи, которая не требует транзисторов нагрузки и соответственно избавлена от высокого потребления энергии при записи.

Шеститранзисторная ячейка статической двоичной памяти (бит) SRAM

действительно память произвольного доступа, доступ к любой ячейке памяти

в любой момент занимает одно и то же время.
Простая схемотехника — SRAM не требуются сложные контроллеры. Возможны очень низкие частоты синхронизации, вплоть до полной остановки синхроимпульсов.
Недостатки:
Невысокая плотность записи (шесть-восемь элементов на бит, вместо двух у DRAM).
Вследствие чего — дороговизна килобайта памяти.

произвольным доступом) — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным

доступом; DRAM широко используемая в качестве оперативной памяти современных компьютеров, а также в качестве постоянного хранилища информации в системах, требовательных к задержкам.
Физически DRAM состоит из ячеек, созданных в полупроводниковом материале, в каждой из которых можно хранить определённый объём данных, строку от 1 до 4 бит. Совокупность ячеек такой памяти образуют условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор ячеек условно делится на несколько областей.

ячеек, которые состоят из конденсаторов и транзисторов, расположенных внутри

полупроводниковых микросхем памяти.
Cтрока является минимальной порцией обмена с динамической памятью, поэтому обмен данными с отдельно взятой ячейкой невозможен

Принцип чтения DRAM

технологиях SRAM. Технология совмещает скорость SRAM и надежность энергонезависимой

память, такой как EEPROM. nvSRAM соответствует стандартному расположению выводов по стандарту JEDEC для асинхронной SRAM, предоставляет полностью произвольный доступ к памяти и может быть соединена и использоваться микроконтроллером или микропроцессором как любая стандартная SRAM. Однако, внутри микросхемы есть специальный микроконтроллер и аналоговая схема, которые контролируют напряжение питания микросхемы. При любом сбое в напряжении питания, система немедленно автоматически сохраняет данные из всех ячеек SRAM в примыкающие к каждой из них энергонезависимые ячейки. Когда нормальное напряжение питания восстанавливается, данные переносятся обратно в ячейки SRAM и продолжается нормальная работа.

с добавленной частью SONOS для энергонезависимости.
Сохранение данных происходит

за счет улавливания заряда в слое нитрида кремния, находящегося между слоями оксида.