van Wees,, L.P.Kouwenhoven et al.,
Phys.Rev. B38, 3625 (1988)
Гетероструктура
GaAs – AlxGa1-xAs1. Не зависит от длины !
2. Диссипация без
рассеяния !
FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.
Email: Нажмите что бы посмотреть
1. Не зависит от длины !
2. Диссипация без
рассеяния !
зависит
от расстояния l
и
от импульса k
Вычисляем сопротивление
по реккурентной формуле (по индукции)
Мы воспользовались формулой, полученной после усреднения
R << 1,
T ~ 1
R
T
R
Пока N мало, R N и RN растут линейно: RN ~ N.
Это – закон Ома .
при
1D − локализация (продолжение)
R N R N-1 1
R
Длина пробега l = l /R
ОПРЕДЕЛЕНИЕ
Другая форма записи
ξ = l / |ln T | l /R = l
В одноканальном 1D–проводнике ξ = l !!
Температурная зависимость проводимости при фиксированных напряжениях на затворе, т.е. в разных точках на шумовой кривой
Димерная модель. Одномерная цепочка периодически расположенных пар ям двух сортов (Еa и Еb )
Если |Ea− Eb| < 2J, то делокализованным оказывается состояние
J − интеграл перекрытия
Алгоритм построения модельного потенциала, обеспечивающего появление окон прозрачности