- Главная
- Разное
- Бизнес и предпринимательство
- Образование
- Развлечения
- Государство
- Спорт
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Религиоведение
- Черчение
- Физкультура
- ИЗО
- Психология
- Социология
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Что такое findslide.org?
FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.
Обратная связь
Email: Нажмите что бы посмотреть
Презентация на тему Лекция 3. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ
Содержание
- 2. Как изменяются свойства материала при переходе к наноразмерам?Бог создал объем; поверхность придумал дьявол.В. ПаулиОбъемПодложкаd0Тонкая пленка (пример)
- 3. d0Как изменяются свойства материала при переходе к наноразмерам?
- 4. СОВРЕМЕННЫЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ ДОЛЖНЫ ОБЕСПЕЧИВАТЬ:
- 5. МАГНИТНЫЕ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ) СВОЙСТВА H.Miguez, A.Blanco
- 6. Методика измерения электрофизических свойств – интегральная по
- 7. Влияние кристаллической структуры, изменение температуры фазового перехода
- 8. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХТеоретическое рассмотрение размерных эффектов
- 9. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХКорреляционная длина зависит от
- 10. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХВлияние поверхности на поляризацию
- 11. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХПодавление сегнетоэлектричества связано с
- 12. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ: ВЛИЯНИЕ ЭКРАНИРОВАНИЯИдеальный СЭ
- 13. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ: ВЛИЯНИЕ ЭКРАНИРОВАНИЯВ реальных
- 14. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ: ВЫВОД
- 15. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУРMartin Alexe, Max Plank Institute of Microstructure Physics, Halle, Germany
- 16. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР
- 17. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: ЛИТОГРАФИЯ
- 18. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: ТРАВЛЕНИЕ ФОКУСИРОВАННЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ
- 19. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: ТРАВЛЕНИЕ ФОКУСИРОВАННЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ
- 20. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: ТРАВЛЕНИЕ ФОКУСИРОВАННЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМРазмерные эффекты в наноразмерных структурах ЦТС
- 21. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ
- 22. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР:ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯТестовая структура – проверка пространственного разрешения методикиУпорядоченные наноструктуры на большой площади
- 23. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: ИМПРИНТ- ЛИТОГРАФИЯ
- 24. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: ИМПРИНТ- ЛИТОГРАФИЯ
- 25. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: НЕДОСТАТКИ МЕТОДА ЛИТОГРАФИИ
- 26. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: МЯГКАЯ ЛИТОГРАФИЯПозволяет наносить структуру
- 27. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: МЯГКАЯ ЛИТОГРАФИЯ
- 28. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: МЕТОДЫ САМООРГАНИЗАЦИИ
- 29. СХЕМЫ ВВЕДЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ ИЛИ МЕТАЛЛОВ В ПОРЫ ИСКУССТВЕННЫХ ОПАЛОВ
- 30. СОЗДАНИЕ МАССИВОВ УПОРЯДОЧЕННЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
- 31. Искусственный опал, заполненный квантовыми точками «углерод-ZrO2»
- 32. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: МЕТОДЫ САМООРГАНИЗАЦИИ
- 33. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: МЕТОДЫ САМООРГАНИЗАЦИИ
- 34. ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: МЕТОДЫ САМООРГАНИЗАЦИИВлияние температуры отжига
- 35. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ НАНОСИСТЕМЫНанопровода
- 36. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ НАНОСИСТЕМЫНанопровода
- 37. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ НАНОСИСТЕМЫНанотрубки
- 38. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ НАНОСИСТЕМЫНанотрубки
- 39. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ НАНОСИСТЕМЫПьезоэлектрические нанотрубки
- 40. Скачать презентацию
- 41. Похожие презентации
Как изменяются свойства материала при переходе к наноразмерам?Бог создал объем; поверхность придумал дьявол.В. ПаулиОбъемПодложкаd0Тонкая пленка (пример)
Слайд 2
Как изменяются свойства материала при переходе
к наноразмерам?
Бог
создал объем; поверхность придумал дьявол.
Слайд 5
МАГНИТНЫЕ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ) СВОЙСТВА
H.Miguez, A.Blanco et
al. // J. Lightwave Technol. 1999. V. 17. №
11. P.1975−1981.Полидоменная структура
Узкая петля гистерезиса с «вертикальной» ориентацией
Малое коэрцитивное поле
Однодоменная структура
Широкая петля гистерезиса
Большое коэрцитивное поле
Суперпараэлектрик, квази-монодоменное состояние
«Схлопнутая» петля гистерезиса
Отсутствие спонтанной поляризации
Параэлектрик, отсутствие поляризации и гистерезиса
Линейная зависимость от внешнего поля
Слайд 6 Методика измерения электрофизических свойств – интегральная по всему
образцу (электроды, измерение вольт-фарадных характеристик, метод Сойера-Тауэра, слабые рабочие
токи)Чувствительность аппаратуры
Влияние интерфейса пленка-подложка
МАГНИТНЫЕ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ) СВОЙСТВА
Слайд 7 Влияние кристаллической структуры, изменение температуры фазового перехода при
переходе к наноразмерам (обычно область ФП становится размытой или
происходит смещение ФП в область более низких температур)МАГНИТНЫЕ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ) СВОЙСТВА
200С
390С
480С
620С
700С
900С
Слайд 8
РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ
Теоретическое рассмотрение размерных эффектов производится
с использованием двух характерных длин: корреляционной длины и экстраполяционной
длиныКорреляционный объем – определяет необходимое для возникновения сегнетоэлектричества число упорядоченных диполей. Существует анизотропия КО: сильное дальнодействующее взаимодействие вдоль полярной оси и более слабое в перпендикулярном направлении (оно способствует образованию центросимметричной параэлектрической фазы).
Слайд 9
РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ
Корреляционная длина зависит от того,
насколько температура образца далека от температуры фазового перехода
где
Корреляционная
длина ξ – характерный минимальный размер образца вдоль полярной оси, при котором еще сохраняется устойчивое СЭ состояниеПредельные толщины, при которых наблюдалось СЭ:
Полимерные пленки – 10 Å
Перовскит ЦТС – 40 Å (порядка 10 элементарных ячеек)
РТО на SrTiO3 – от 12 до 42 Å
BST – порядка 50 Å
Слайд 10
РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ
Влияние поверхности на поляризацию сегнетоэлектрика
Используется
феноменологический подход для описания изменения поляризации на поверхности СЭ
пленки. Для этого в разложении полной свободной энергии Гинзбурга-Ландау-Девоншира был добавлен поверхностный член, что привело к появлению градиента поляризации от поверхности и т.н. экстраполяционной длины δ, такой, что:Р0 – спонтанная поляризация.
Положительное значение δ свидетельствует об уменьшении поляризации вблизи поверхности относительно поляризации объема; отрицательное – наоборот.
Слайд 11
РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ
Подавление сегнетоэлектричества связано с качеством
образцов:
«мертвые» слои на поверхности
границы зерен
кислородные вакансии
отличие свойств поверхности от
свойств объема пленки«Мертвые» слои:
- пиннинг доменов
- бомбардировка ионами в процессе осаждения электрода
- отклонение от стехиометрии из-за потери летучих компонент
Слайд 12
РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ: ВЛИЯНИЕ ЭКРАНИРОВАНИЯ
Идеальный СЭ конденсатор
с идеальными электродами: экранирующие заряды распределены строго на границе
пленки и электрода и полностью компенсируют поверхностные заряды, связанные с поляризацией.
Слайд 13
РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ: ВЛИЯНИЕ ЭКРАНИРОВАНИЯ
В реальных электродах
экранирующие заряды распределены в конечной малой области в металле
неполная компенсация за счет смещения экранирующих зарядов от границ раздела создание диполей на границах падение напряжения на границах V.деполяризации
d - толщина пленки, eff – эффективная длина экранирования системы.
Для того, чтобы вся структура осталась эквипотенциальной, нужно падение компенсирующего потенциала на пленке в пленке возникает деполяризующее поле
Слайд 15
ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР
Martin Alexe, Max Plank Institute of
Microstructure Physics, Halle, Germany
Слайд 20
ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: ТРАВЛЕНИЕ ФОКУСИРОВАННЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ
Размерные эффекты
в наноразмерных структурах ЦТС
Слайд 22
ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР:
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ
Тестовая структура – проверка пространственного
разрешения методики
Упорядоченные наноструктуры на большой площади
Слайд 26
ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: МЯГКАЯ ЛИТОГРАФИЯ
Позволяет наносить структуру на
большие площади практически любой формы, в т.ч. на гибкие
подложки
Слайд 34
ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР: МЕТОДЫ САМООРГАНИЗАЦИИ
Влияние температуры отжига
