Презентация на тему Полупроводниковые приборы

Гана;
б) стабилитроны;
в) варикапы;
г) тоннельные диоды;
д) диоды

Шоттки;
е) светодиоды;
ж) фотодиоды;
з) выпрямительные блоки

электронно-дырочными переходами, обеспечивающий управление электрическим током посредством управляющего тока

или напряжения.

полупроводника называют базой (Б), противоположную ей по электропроводимости область

меньшего объема — эмиттером (Э), а другую такую же область большего объема — коллектором (К). Эти три электрода образуют два p-n перехода: между базой и коллектором — коллекторный, а между базой и эмиттером — эмиттерный. Каждый из них по своим электрическим свойствам аналогичен p-n переходам полупроводниковых диодов и открывается при таких же прямых напряжениях на них.

неосновных носителей заряда гораздо меньше концентрации основных. В этом

случае ток неосновных носителей настолько мал, что его можно не учитывать. Однако ток коллекторного перехода ЭК можно резко увеличить, повысив концентрацию неосновных носителей в базе, если их туда инжектировать (впрыснуть) из эмиттера.
Для этого необходимо движение носителей зарядов через эмиттерный переход. Для начала инжекции зарядов нужно подключить положительный полюс к n-области базы (npn) и отрицательный - к p-области эмиттера.