Презентация на тему Лекция 6 Основы микроэлектроники Контактная разность потенциалов, Термоэлектронная эмиссия,Диод Шотки, Электронно-дырочный переход,Биполярные и полевые транзисторылектор:Колосько Анатолий Григорьевич( agkolosko@mail.ru )

с удалением его от поверхности

металла (EF выше Ec): полупроводника

(EF ниже Ec):

Работы выхода электронов из вещества:
χ0 — термодинамическая работа выхода (с уровня Ферми)
χ вн — внешняя работа выхода (со дна зоны проводимости)
χ1 — работа выхода из глубины валентной зоны

кинетической
энергией, превышающей высоту потенциального барьера выхода электрона (χ0).

Такие электроны способны выходить из вещества(«испаряться»).
Это явление получило название термоэлектронной эмиссии.

Поместив вблизи нагретого металла проводник и
создав между ними электрическое поле, можно
получить термоэлектронный ток с плотностью j,
которая согласно формуле Ричардсона-Дешмена:



где коэффициент А – постоянная Ричардсона.



Из экспериментальной прямой ln(j/T2)(1/T) можно
найти термодинамическую работу выхода χ0 и коэф. А.

вещества, уменьшая этим
потенциальную энергию выхода χ0 на величину

Δχ. Это понижение потенциального
барьера под действием внешнего поля называется эффектом Шоттки.










Ускоряющее электроны поле Е вызывает не только понижение потенциального
барьера, но и уменьшение его толщины d.
Поэтому в сильных электрических полях электроны получают шанс туннелировать
под барьером, и возникает туннельный эмиссионный ток, т.н. автоэмиссия.

потенциального
барьера и создаёт туннельный ток по закону Фаулера-Нордгейма:

i – плотность тока эмиссии,  E  –  напряжённость эл. поля на острие, φ  –  работа выхода.














Для массива эмиттеров ВАХ можно построить в координатах Фаулера-Нордгейма:

β - коэффициент усиления
U - приложенное напряжение,
I - общий ток, d - расстояние м/у анодом и катодом.

Дисплеи технологии FED

обмен электронами:
е переходят из проводника с меньшей работой

выхода χ0 в проводник с большей.
Контактной разностью потенциалов называется: Vк.р.п. = (χ01 - χ02)/e = ϕ1 - ϕ2











Длина экранирования обратно пропорциональна концентрации электронов n,
поэтому из двух тел Vк.р.п. приходится на проводник с бо ́льшим сопротивлением ρ.

В термоэлектронном преобразователе энергии электроны «испаряются» из
горячего катода с ϕ1 и «конденсируются» на аноде с ϕ2, создавая эл. напряжение.

Электрическое поле Ек.р.п.
сосредоточено вблизи
границы раздела, в области
порядка Дебаевской
длины экранирования LD:

в металлах она имеет атомные
размеры (10-8 ÷ 10-7 см),

в полупроводниках колеблется
в широких пределах
(может быть даже 10-4 ÷ 10-5 см).

+

-

контакта металл-полупроводник n или p типа. В результате
перетекания

электронов в п/п формируется область пространственного заряда (ОПЗ)
из ионизованных доноров или акцепторов (барьер Шоттки), так что ВАХ нелинейна.












W зависит от
напряжения VG:
(εs - диэл. п/п, q - заряд е, ND - конц. доноров, v0 - тепловая скорость е, ns - поверхн. концентрация е, β - коэф.)

=>

+

-

n и p типа. Дрейфовый ток, вызванный внутренним
эл.

полем между + и - примесями, конкурирует с диффузным током (падение
электронов в зонной диаграмме). Напряжение прямого смещения делает изгиб зон
в ОПЗ меньше (растёт диффузный ток), а обратное - круче (растёт дрейфовый ток).

+

-

(εs - диэлектрическая проницаемость п/п, Δϕ - высота потенцианого барьера,
Dn - дебаевская длина экранирования, D - коэффициент диффузии носителей заряда)

Js

разного типа проводимости.
Необходимо, чтобы у них с высокой

точностью совпадали температурный коэфф-т
расширения α и постоянная решётки а. Таких п/п мало: Ge, GaAs, InP, InGaAsP...
pGe – nGaAs nGe – pGaAs










Требования к построению зонной диаграммы:
1. Уровень вакуума Е = 0 непрерывен.
2. Электронное сродство в пределах одного сорта п/п Ge и GaAs постоянно.
3. Ширина запрещенной зоны Eg в пределах одного сорта п/п постоянна.

поглощается свет солнца, то фотоэлемент называется солнечной ячейкой.










g -

число е--h+, родившихся на 1см2 p-n перехода за 1c, α – показатель поглощения,
J – интенсивность света, η – внутренний квантовый выход (ηкремниевых фотодиодов ~ 100%).

Кванты света генерируют е--h+ пары - неравновесные носители заряда, а диффузия и
поле объемного заряда их разделяют: е- уходят в n-область, а дырки h+ – в р-область.
В результате накопления этих зарядов (в области границы n-p) возникает фото-ЭДС,
которое уменьшает область пространственного заряда, как при прямом смещении.

на диоде.
Стабилитроны (диод Зенера)
Используют обратную ветвь ВАХ диода с

обратимым пробоем для стабилизации U.
Туннельные диоды (диоды Лео Эсаки)
Используют квантовые эффекты: область «отрицательного сопротивления» на ВАХ.
Варикапы (диоды Джона Джеумма)
Запертый p-n переход обладает большой ёмкостью, которая зависит от обратного U.
Применяются в качестве конденсаторов переменной ёмкости.
Светодиоды (диоды Генри Раунда)
При рекомбинации электронов и дырок в области p-n перехода излучают свет,
существуют диоды, излучающие в видимом, ИК и даже УФ диапазоне волн.
Полупроводниковые лазеры
Светодиоды с оптическим резонатором, излучают когерентный свет.

элемент
Падающий на p-n-переход свет вызывает движение электронов и генерацию

тока.
Диоды Ганна
Используются для генерации и преобразования колебаний U в СВЧ диапазоне.
Диод Шоттки
Диод с малым падением напряжения при прямом включении <0,4 В (p-n диод >0,6 В)
Лавинный диод
Основан на лавинном пробое обратного участка ВАХ: защита от перенапряжений.
Лавинно-пролётный диод
Применяется для генерации колебаний в СВЧ-технике.
Магнитодиод
ВАХ зависит от величины и ориентации магнитного поля относительно p-n перехода.
Смесительный диод
Перемножает два высокочастотных сигнала.
pin диод
Имеет область собственной проводимости между сильнолегированными областями,
используется в СВЧ-технике, силовой электронике, как фотодетектор.

прямом направлении => через него
течёт большой ток. В

базе электрического поля нет (UЭБ < 1 В, а dЭ-Б большое), зато
толщина базы меньше диффузионной длины электронов (< 10 мкм), поэтому
электроны, попавшие в неё через эмиттерный р-n, диффундируют ко второму р-n ,
где сильное электрическое поле втягивает их в коллектор, так что через
коллекторный р-n, "смещёный" в обратном направлении!, тоже течёт ток: IЭ ≈ IК.

Отношение β = IК / IБ показывает усилительные возможности. Обычно β = 10 ÷ 300,
у очень широкополосных транзисторов - 2÷5 , у супербетатранзисторов 5000÷10000.

слабо легирован

(Iэ0 - ток утечки при Uбэ = 0, Vt = kT/q - "термическое напряжение")

переходов:
1. Метод вытягивания: в процессе вытягивания п/п монокристалла из

расплава в
него вводят сначала примесь n-типа, а затем р-типа.
2. Диффузионный метод: диффузия акцепторной примеси в донорный п/п.
3. Эпитаксиальный метод: осаждение на n-Si монокристаллической плёнки р-Si.
4. Метод ионного легирования: поверхностный слой полупроводника n-типа
легируется ионным пучком примесью p-типа.

металлический кристаллодержатель
(латунь - Cu + Zn)

области p-типа

припой -контакт базы

кристалл n-типа

область n-типа

коллекторный точечный контакт
(бронза - Cu + P)

эмиттерный точечный контакт
(бронза - Cu + Be)

Размеры транзистора не более 1 мм

С изолированным
р-п переходом

затвором






При подключении к истоку (И) отрицательного ϕ-, а к стоку (С) – положительного ϕ+
в канале возникает электрический ток. При этом затвор (З) электрически отделен от
канала либо "обратно смещённым" (запертым) p-n переходом, либо тонким слоем
диэлектрика (структура МДП - металл диэл. полупроводник), обычно это SiO2 (МОП).
Электрическое поле между затвором и каналом меняет плотность е в канале, т.е IС-И.

Индуцированный канал МДП: проводящий канал И-С появляется при UЗ-И >Uпороговое,
связано с обогащением канала основными носителями заряда. (для n-канала Uпор>0).
Встроенный канал МДП: изготавливается технологически, проводит ток при UЗ-И=0.
При UЗ-И Подложка (П) тоже может быть затвором, если р-n переход И-П смещён обратно.

Полевой транзистор

лучше p-транзисторов.
Структура n-канального МОП транзистора: LDD структура (Lightly

Doped Drain):












Изготовление МОП много проще биполярных, к тому же МОП могут использоваться
как резисторы и конденсаторы, т.е. на них можно реализовать все схемные функции.
МОП: Iвх = 5 мкА, Rвх = 106 Ом, Rи-с закр.= 1012 Ом, Rи-с откр.~ 100 Ом, Си-с = 10 пФ.
Бип. : Iвх = 1 мкА, Rвх ~ 100 Ом, Rи-с закр.~ 100 Ом, Rи-с откр~ 10 Ом, Си-с = 10 пФ.

Обозначение:

толщина канала ~ 100 А

Слаболегированные области
c плавным p-n переходом
удлиняют И и С в сторону канала, повышая Uпробоя.