Слайд 2
Цели занятия:
обучающие:
а) показать студентам процесс составления
заданий на основе принципа последовательности: «от простой к усложняющейся
дидактической величине», путем изменения числовых и введения буквенных коэффициентов;
б) продолжить формирование умений и навыков при решении заданий по теме: «Эквивалентные схемы и параметры биполярных транзисторов»; в)формирование профессионализма технических знаний;
г) сформировать умение делать оценки некоторых величин характеризующих и влияющих на работу биполярных транзисторов.
развивающие: учить анализировать, выделять главное, обобщать, доказывать и опровергать логические выводы в предложенной дидактической величине. формировать на репродуктивном уровне проектные умения анализа, обобщения.
воспитательные:
а) обосновать значимость психологического аспекта изучаемой темы в курсе электронной техники;
б) вырабатывать умение действовать в ситуации, отличной от заданного алгоритма.
Слайд 3
Фронтальный опрос
Дать определение биполярного транзистора.
Какие типы биполярных транзисторов
знаете?
Назовите особенности биполярного транзистора.
4. Что является основным носителем заряда
в эмиттере и коллекторе?
Что является основным носителем заряда в базе?
6. Описать принцип работы n-p-n транзистора
Слайд 4
7.Перечислить режимы работы биполярного транзистора и дать краткую
характеристику каждому режиму
8. Показать структурную схему и условное графическое
изображение биполярных транзисторов.
9.Перечислить схемы включения биполярных транзисторов
10.Показать схемы включение биполярного транзистора.
Слайд 5
Биполярные транзисторы
Биполярные транзисторы
Полупроводниковый прибор, имеющий три электрода и
два взаимодействующих между собой p–n-перехода, называется биполярным транзистором.
Слайд 6
Биполярные транзисторы (БТ)
Тип транзистора с тремя слоями полупроводника, различают
n-p-n и p-n-p транзисторы, где n (negative) – электронный
тип примесной проводимости, p (positive) – дырочный. Основные носители заряда: электроны и дырки («би» – два); электроды эмиттер, база, коллектор.
Особенности транзистора:
- площадь p-n перехода коллектора больше, чем эмиттера;
- в базе мало носителей заряда, ее толщина невелика.
Биполярный транзистор основной элемент усилителей
и интегральных микросхем (операционные усилители, транзисторно-транзисторная, диодно-транзисторная логика и т.д.).
Слайд 7
Эмиттер (Э), Коллектор (К): основные заряды электроны, не
основные дырки;
База (Б): основные заряды дырки, не основные электроны;
p-n переходы П1, П2 образованы
ионами полупроводника.
Слайд 8
База вызывает электроны из эмиттера, но переход эмиттер
– коллектор для них открыт (здесь они не основные
заряды) и большая часть уходит в коллектор, совсем немного доходит до базы. За счет этого происходит усиление базового тока (ток коллектора).
n-p-n
Слайд 9
Режимы работы биполярного транзистора
В зависимости от того, какие
напряжения действуют на переходах, различают 3 режима работы транзистора:
активный режим работы или режим усиления, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении , а коллекторный в обратном;
режим насыщения, когда оба перехода смещены в прямом направлении;
режим отсечки, когда оба перехода смещены в обратном направлении.
Слайд 10
Биполярные транзисторы n-p-n и p-n-p типа
Структурная схема и графическое обозначение.
Слайд 11
Схемы включения БТ:
с общей базой (ОБ),
общим эмиттером (ОЭ),
общим коллектором (ОК) .
ОБ ОЭ ОК
Слайд 12
Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером
Биполярные
транзисторы
Слайд 13
Включение биполярного транзистора n-p-n- типа по схеме с
общим коллектором.
Биполярные транзисторы
Слайд 14
Включение биполярного транзистора n-p-n- типа по схеме с
общей базой.
Биполярные транзисторы
Слайд 15
Схема с общим эмиттером
Эквивалентные схемы и параметры биполярного
транзистора
(Объяснение нового материала)
Слайд 16
Параметры биполярного транзистора
собственные
(или первичные)
вторичные
характеризуют свойства самого транзистора.
различны,
для различных схем включения.
Слайд 17
Статические характеристики биполярных транзисторов
Статический режим работы транзистора –
режим работы при отсутствии нагрузки в выходной цепи.
Статические характеристики
связывают постоянные токи электродов с постоянными напряжениями на них- это графически выраженные зависимости напряжения и тока входной цепи и выходной цепи (вольтамперные характеристики ВАХ).
Их вид зависит от способа включения транзистора.
Слайд 18
статический коэффициент передачи IЭ или : статический коэффициент
усиления по току
Статический коэффициент передачи тока базы :
Слайд 19
Эквивалентная Т- образная схема транзистора с генератором ЭДС
Эквивалентная
Т- образная схема транзистора с генератором тока
Слайд 20
Эквивалентная Т – образная схема транзистора включенного по
схеме ОЭ- эквивалентная схема с генератором тока
Биполярные транзисторы
Слайд 21
h параметры схемы с общим эмиттером
h11Э =
UБЭ/IБ, при UКЭ = const:
входное сопротивление транзистора переменному току
при отсутствии выходного переменного напряжения.
h12Э = UБЭ/UКЭ, при IБ = const:
коэффициент обратной связи по напряжению – доля выходного переменного напряжения передаваемая
на вход транзистора вследствие обратной связи в нем.
h21Э = IК/IБ, при UКЭ = const:
коэффициент усилия по току – усиление переменного
тока транзистором при работе без нагрузки.
h22Э = IК/UКЭ, при IБ = const:
выходная проводимость переменного
тока между коллектором и эмиттером.
Выходное сопротивление RВЫХ = 1/h22Э.
Слайд 22
UmБЭ = h11Э ImБ + h12Э UmКЭ
ImК =
h21Э ImБ + h22Э UmКЭ
Эквивалентная схема БТ,
система h-параметров
Слайд 23
Схема с общим эмиттером применяется для усиления напряжения,
тока, мощности
Практическая часть
Расчет схемы с общим эмиттером
Слайд 24
Коэффициент усиления по току:
или
Входное сопротивление:
или
или
- мощность рассеиваемая на
транзисторе (тепловой пробой Т).
(десятки-сотни).
(десятки-сотни Ом).
Выходное сопротивление:
(сотни Ом – кОмы)
Слайд 25
Коэффициент усиления по напряжению:
Коэффициент усиления по мощности:
Коэффициент полезного
действия:
полная потребляемая мощность схемы
