между липкими лентами и отщепляют раз за разом тонкие
пленки графита, пока не будет получен достаточно тонкий слой.
Слайд 4
Механические методы.
Метод скотча. После отшелушивания скотч с тонкими пленками
графита и графена прижимают к подложке окисленного кремния. Часть
пленок прилипает к подложке. Среди них удается обнаружить пленки с линейным размером вплоть до 1 мм(сканирующий туннельный и атомно силовой микроскоп) Шероховатость графена 0.32нм
клеем(слой порядка 10мкм) и прижимается к тонкой пластинке графита
при помощи пресса. После удаления графитовой пластинки с помощью липкой ленты на поверхности клея могут оставаться области с графеном. Шероховатость графена 0.16 нм
и соляной кислот. Графит окисляется, на краях образца появляются
карбоксильные группы графена. Их превращают в хлориды при помощи тионилхлорида. Затем под действием октадецимина в растворах тетрагидрофурана, тетрахлорметана и дихлорэтана они переходят в графеновые слои толщиной 0.54нм.
Слайд 7
Химические методы.
Тотальный химический синтез. Данный метод заключается в
том, что из простых органических молекул собирают нужные «соты».
На данный момент получен графеновый лист из двухсот атомов углерода.
Слайд 8
Эпитаксия и разложение. Выделяется два способа: Радиочастотное плазмохимическое осаждение
из газовой фазы(PECVD) и рост при высоком давлении и
температуре(HPHT).
Слайд 9
Эпитаксия. PECVD Оно же плазмохимическое осаждение из газовой фазы. В
аргоновую плазму впрыскиваются капельки этанола. Этанол разлагается. Образовавшийся материал
диспергируют в метанол. В итоге получаем суспензию с листами графена
Слайд 10
HPHT Используется установка для выращивания алмаза. Подбирается особый режим роста,благоприятный
для графена: Р=5-6 ГПа Т= 1300-1700 С
Слайд 11
Другие методы Если кристалл пиролитического графита и подложку
поместить между электродами, то можно добиться того, что кусочки
графита с поверхности(среди которых могут оказаться пленки атомарной толщины) под действием электрического поля могут перемещаться на подложку окисленного кремния.