область резкой зависимости тока от напряжения на обратном участке
вольт-амперной характеристики.Что такое-стабилитрон
- Главная
- Разное
- Бизнес и предпринимательство
- Образование
- Развлечения
- Государство
- Спорт
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Религиоведение
- Черчение
- Физкультура
- ИЗО
- Психология
- Социология
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Что такое findslide.org?
FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.
Обратная связь
Email: Нажмите что бы посмотреть
Презентация на тему Полупроводниковые диоды-СТАБИЛИТРОН
Содержание
- 2. Стабилитроном называется полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого
- 3. ВАХ стабилитрона имеет вид, представленный на рисунке
- 4. При достижении напряжения на стабилитроне, называемого напряжением
- 5. стабилизация напряжения на нагрузке, при изменяющемся напряжении
- 6. Напряжение стабилизации Uстаб зависит от физического механизма,
- 7. Проанализируем более подробно механизмы туннельного и лавинного
- 8. Рис. 4.10. Зонная диаграмма диода на базе сильнолегированного p-n перехода при обратном смещении
- 9. Квантово-механическое рассмотрение туннельных переходов для электронов показывает,
- 10. Форма потенциального барьера обусловлена полем p-n перехода.
- 11. Рассмотрим, как зависит напряжение туннельного пробоя от
- 12. Эмпирические зависимости напряжения туннельного пробоя Uz для
- 13. Основными характеристиками стабилитрона являются ток Iст и
- 14. Приборные характеристикиРис. 4.13. Дифференциальные параметры различных стабилитронов:
- 15. Как следует из приведенных данных, значение дифференциального
- 16. Скачать презентацию
- 17. Похожие презентации
Стабилитроном называется полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого имеет область резкой зависимости тока от напряжения на обратном участке вольт-амперной характеристики.Что такое-стабилитрон
Слайд 2 Стабилитроном называется полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого имеет
Слайд 3
ВАХ стабилитрона имеет вид, представленный на рисунке 4.9
Рис.
4.9. Вольт-амперная характеристика (а) и конструкция корпуса (б) стабилитрона
Слайд 4 При достижении напряжения на стабилитроне, называемого напряжением стабилизации
Uстаб, ток через стабилитрон резко возрастает. Дифференциальное сопротивление Rдиф
идеального стабилитрона на этом участке ВАХ стремится к 0, в реальных приборах величина Rдиф составляет значение: Rдиф ≈ 2÷50 Ом.Слайд 5 стабилизация напряжения на нагрузке, при изменяющемся напряжении во
внешней цепи. В связи с этим последовательно со стабилитроном
включают нагрузочное сопротивление, демпфирующее изменение внешнего напряжения. Поэтому стабилитрон называют также опорным диодом.Основное назначение стабилитрона
Слайд 6 Напряжение стабилизации Uстаб зависит от физического механизма, обуславливающего
резкую зависимость тока от напряжения. Различают два физических механизма,
ответственных за такую зависимость тока от напряжения, - лавинный и туннельный пробой p-n перехода
Слайд 7
Проанализируем более подробно механизмы туннельного и лавинного пробоя.
Рассмотрим
зонную диаграмму диода с p-n переходом при обратном смещении
при условии, что области эмиттера и базы диода легированы достаточно сильно (рис. 4.10).Туннельный пробой в полупроводниках
Слайд 8 Рис. 4.10. Зонная диаграмма диода на базе сильнолегированного
p-n перехода при обратном смещении
Слайд 9 Квантово-механическое рассмотрение туннельных переходов для электронов показывает, что
в том случае, когда геометрическая ширина потенциального барьера сравнима
с дебройлевской длиной волны электрона, возможны туннельные переходы электронов между заполненными и свободными состояниями, отделенными потенциальным барьером.Слайд 10 Форма потенциального барьера обусловлена полем p-n перехода. На
рисунке 4.11 схематически изображен волновой пакет при туннелировании через
потенциальный барьер треугольной формыРис. 4.11. Схематическое изображение туннелирования волнового пакета через потенциальный барьер
Слайд 11 Рассмотрим, как зависит напряжение туннельного пробоя от удельного
сопротивления базы стабилитрона. Поскольку легирующая концентрация в базе ND
связана с удельным сопротивлением ρбазы соотношением ND = 1/ρμe, получаем: (4.21)
Из уравнения (4.21) следует, что напряжение туннельного пробоя Uz возрастает с ростом сопротивления базы ρбазы.
Слайд 12 Эмпирические зависимости напряжения туннельного пробоя Uz для различных
полупроводников имеют следующий вид:
германий (Ge): Uz = 100ρn +
50ρp;
кремний (Si): Uz = 40ρn + 8ρp,
где n, p - удельные сопротивления n- и p-слоев, выраженные в (Ом·см). Слайд 13 Основными характеристиками стабилитрона являются ток Iст и напряжение
Uст стабилизации, дифференциальное напряжение стабилитрона rст и температурная зависимость
этих параметров. На рисунке 4.13 приведены дифференциальные параметры различных стабилитронов.Приборные характеристики стабилитронов
Слайд 14
Приборные характеристики
Рис. 4.13. Дифференциальные параметры различных стабилитронов:
а) зависимость
дифференциального сопротивления от прямого тока 2С108; б) зависимость изменения
напряжения стабилизации от температуры для различных типономиналов стабилитрона 2С108; в) зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока 2С351Слайд 15 Как следует из приведенных данных, значение дифференциального сопротивления
