Презентация на тему Биполярные транзисторы

переход подано прямое напряжение, на коллекторный переход – обратное.

Этот режим является основным режимом работы транзистора.
в режиме отсечки (или запирания) – на оба перехода подается обратное напряжение. Через переходы проходит незначительный обратный ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда. Практически транзистор в этом режиме заперт.
в режиме насыщения – на оба перехода подается прямое напряжение. Ток в выходной цепи транзистора максимален и практически не регулируется током входной цепи. Транзистор полностью открыт.
в инверсном режиме – на эмиттерный переход подано обратное напряжение, на коллекторный переход – прямое. Эмиттер и коллектор меняются своими ролями.

выходную.
Входной характеристикой называют зависимость входного тока от входного

напряжения при постоянном выходном напряжении:
 
Iвх = f (Uвх) при Uвых = const
 
Выходной характеристикой называют зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе:
 
Iвых = f (Uвых) при Iвх = const

и выход транзистора поданы только напряжения от источников питания,

называют статическими.

- Характеристики снятые с нагрузкой, т.е. когда на вход транзистора, кроме напряжений, поданных от источника питания подается усиливаемый сигнал, а на выходе - кроме напряжения, поданного от источника питания, включено сопротивление нагрузки, называют динамическими

назначения по граничной частоте усиливаемого сигнала и по мощности,

рассеиваемой на коллекторе.
По частотным свойствам транзисторы делятся на низкочастотные (f ≤ 3МГц), средней частоты
(3 < f ≤ 30МГц), высокочастотные ( 30 < f ≤ 300МГц) и СВЧ (f > 300МГц).
По максимально допустимой мощности, рассеиваемой коллектором, различат транзисторы малой мощности
( РКмакс ≤ 0,3 Вт), средней мощности (0,3< РКмакс ≤ 1,5 Вт) и большой мощности (РКмакс > 300МГц). Для улучшения теплоотвода транзисторов используют радиаторы охлаждения.

IБ = IЭ – IК Iдиф n

р IЭ = IЭр + IЭn IК ≈ IЭ IЭ = IБ + IК

Принцип работы БТ

удобней пользоваться коэффициентом прямой передачи тока
для схемы с общей

базой


для схемы с общим эмиттером


для схемы с общим коллектором

 IБ = f (UБЭ) при UКЭ = const
Выходная статическая

характеристика IК = f (UКЭ) при IБ = const

I Э=f(UЭ) при UK=const
Выходна
я характеристика

транзистора IК = f(UК) при IЭ = const

Взаимосвязь между входной и выходной цепями устанавливается с помощью

h – параметров.
Для данного четырехполюсника справедливо соотношение
u1 = h11i1 + h12u2 i2 = h21i1 + h2u2

Система параметров транзистора как четырехполюсника

(Ом)

при UКЭ = const – коэффициент по току
при

IБ = const – коэффициент обратной связи по напряжению

при IБ = const – выходная проводимость (См)