Презентация на тему Дифракционные методы исследований наноматериалов

фотонов, электронов или нейтронов, рассеиваемого исследуемым объектом
Рентгеноструктурный анализ позволяет определять

Основа: явление дифракции рентгеновских лучей на трёхмерной кристаллической решётке
Метод позволяет определять атомную структуру вещества,

5*10-2 - 102 A. (E = 250 кэВ –

Рентгеновское излучение (РИ)

13.6 эВ, Be: 115.6 эВ, Cu: 8.983 кэВ
Например,

Рентгеновское излучение

Выводы:
1. РИ – коротковолновое (0.05 – 100 A) ЭМ излучение.
2. РИ возникает при переходах во внутренних оболочках атомов (характеристическое РИ)

изотопы, ...

20;
Интенсивность (имп., имп./сек, отн.ед. и пр.
1D проекция 3D

ведет к их рассеиванию. Из начального пучка лучей с

достаточно надежно определить размеры зерен при величинах 2- 100

Рентгенография

ОКР)
Положение пика:
метрика решетки
(параметры ЭЯ)

помощью уравнения Debye-Scherrer по формуле: D ср = k

где Dср - усредненный по объему размер кристаллитов,
K - безразмерный коэф-нт формы частиц (постоянная Шеррера) 0,9 для сферы;
∆1/2 - полуширина физического профиля рефлекса,
λ - длина волны излучения,
θ - угол дифракции.

Определение размеров ОКР

Т= 900°С.

),
Границы применимости уравнения Debye-Scherrer: неприменима для кристаллов, размеры которых

Определение размеров ОКР

и золь-гель метом (3, 4), прокаленных при 500 ⁰C

Средние размеры кристаллитов полученных материалов, вычисленные по уравнению Debye-Scherrer, составляют
22, 14, 22 нм для материалов 2, 3 и 4 соответственно.

нм

значит?

значит?
общий термин
“рентгеноаморфный образец”
Две возможности:
1) образец – аморфный (нет дальнего

Значительное текстурирование (эпитаксиальные пленки)
• Аморфизация пленок
• влияние подложки

TiN (а) и пленок TiN,
полученных химическим осаждением
TiCl4

практически любых объектов в конденсированном состоянии.

2. Тонкие пленки обычно

анализа различных материалов.
Ядерные реакторы дают тепловые нейтроны с